公开(公告)号：CN101281925A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810082115.4

申请日：2008-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林大文 ,  林盈秀 ,  王世维 ,  黄立平 ,  梁英强 ,  卡罗斯

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/66356

Abstract: 本发明提供一种栅控二极管的半导体装置或其它相似的电子构件及其制作方法。上述半导体装置包含栅极结构，其设置于衬底上，且位于形成在衬底之中的沟道上方，并且此栅极结构还邻接源极区域及漏极区域。上述源极区域或漏极区域的顶部，或者是两区域的顶部，可以是整个或部分地位于比上述栅极结构的底部更高的高度。形成上述结构的方式，可借助覆盖沉积层于栅极结构及衬底的上方，且接着再以蚀刻工艺制作倾斜分布的方式完成。若上述源极区域及漏极区域同时具有上述结构，源极区域及漏极区域的结构也可以是对称或非对称性的分布。上述结构可以明显地降低掺杂物的侵入，据此，上述结构也可降低结漏电流。

公开(公告)号：CN102214607A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201010260670.9

申请日：2010-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江忠祐 ,  林大文 ,  王世维

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/336 ,  H01L27/105 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/266 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明揭示一种集成电路装置及该集成电路装置的制造方法。一范例方法包括提供一基板，于基板上形成用于第一元件的一第一栅极，其具有一第一临界电压特性。所述第一栅极包括具有一第一型功函数的第一材料。于该基板之上形成用于第二元件的第二栅极，其具有大于第一临界电压特性的第二临界电压特性。所述第二栅极包括第二材料，其具有与第一型功函数相反的第二型功函数，以及将该第一元件与该第二元件配置成为一相同沟道形式的装置。本发明提供改善的元件可靠度和效能。

公开(公告)号：CN102214607B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201010260670.9

申请日：2010-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江忠祐 ,  林大文 ,  王世维

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/336 ,  H01L27/105 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/266 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明揭示一种集成电路装置及该集成电路装置的制造方法。一范例方法包括提供一基板，于基板上形成用于第一元件的一第一栅极，其具有一第一临界电压特性。所述第一栅极包括具有一第一型功函数的第一材料。于该基板之上形成用于第二元件的第二栅极，其具有大于第一临界电压特性的第二临界电压特性。所述第二栅极包括第二材料，其具有与第一型功函数相反的第二型功函数，以及将该第一元件与该第二元件配置成为一相同沟道形式的装置。本发明提供改善的元件可靠度和效能。

公开(公告)号：CN102386234B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201110263232.2

申请日：2011-09-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑振辉 ,  冯家馨 ,  王世维 ,  苏晋德

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明一实施例提供具有不对称的应变源极/漏极区的半导体元件与其形成方法，包含提供基板并形成多晶硅栅极堆叠于基板上。接着以垂直基板的方向为准，倾斜约10°至25°进行注入工艺。接着形成侧壁间隔物于基板上的多晶硅栅极两侧。蚀刻基板中的源极/漏极区后，分别沉积应力源极层与应力漏极层于基板中的蚀刻区域中。如此一来，在多晶硅栅极堆叠两侧形成不对称的应力源极层与应力漏极层。接着自基板移除多晶硅栅极堆叠，并以栅极后制工艺形成高介电常数的介电层与金属栅极于多晶硅栅极堆叠被移除的位置。本发明的上述不对称的源极/漏极结构能够增加元件效能如驱动电流或漏电流。

公开(公告)号：CN102386234A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110263232.2

申请日：2011-09-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑振辉 ,  冯家馨 ,  王世维 ,  苏晋德

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明一实施例提供具有不对称的应变源极/漏极区的半导体元件与其形成方法，包含提供基板并形成多晶硅栅极堆叠于基板上。接着以垂直基板的方向为准，倾斜约10°至25°进行注入工艺。接着形成侧壁间隔物于基板上的多晶硅栅极两侧。蚀刻基板中的源极/漏极区后，分别沉积应力源极层与应力漏极层于基板中的蚀刻区域中。如此一来，在多晶硅栅极堆叠两侧形成不对称的应力源极层与应力漏极层。接着自基板移除多晶硅栅极堆叠，并以栅极后制工艺形成高介电常数的介电层与金属栅极于多晶硅栅极堆叠被移除的位置。本发明的上述不对称的源极/漏极结构能够增加元件效能如驱动电流或漏电流。

公开(公告)号：CN103378096B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210387376.3

申请日：2012-10-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖瑞尧 ,  李俊毅 ,  王世维 ,  陈燕铭

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L28/24 ,  H01L21/823842 ,  H01L23/5228 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0802 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种电阻器系统和用于形成该电阻器系统的方法。实施例包括形成U形的电阻器。电阻器可以包括多层导电材料，具有填充U形的剩余部分的介电层。电阻器可以与双金属栅极制造工艺结合或者可以与多种类型的电阻器结合。本发明还提供了半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN103378096A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210387376.3

申请日：2012-10-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖瑞尧 ,  李俊毅 ,  王世维 ,  陈燕铭

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L28/24 ,  H01L21/823842 ,  H01L23/5228 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0802 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种电阻器系统和用于形成该电阻器系统的方法。实施例包括形成U形的电阻器。电阻器可以包括多层导电材料，具有填充U形的剩余部分的介电层。电阻器可以与双金属栅极制造工艺结合或者可以与多种类型的电阻器结合。本发明还提供了半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN103199062B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210133069.2

申请日：2012-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 柯俊宏 ,  陈志辉 ,  王世维

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20

Abstract: 提供了制造半导体器件的方法，该半导体器件包括金属栅极晶体管和电阻器。一种方法包括：提供衬底，该衬底包括晶体管器件区和隔离区；在晶体管器件区上方形成伪栅极以及在隔离区上方形成电阻器；以及用掺杂剂注入电阻器。该方法还包括：湿法蚀刻伪栅极以去除伪栅极；以及然后在晶体管器件区上方形成金属栅极从而替换伪栅极。本发明提供了采用伪栅极去除的集成电路电阻器制造。

公开(公告)号：CN103199062A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201210133069.2

申请日：2012-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 柯俊宏 ,  陈志辉 ,  王世维

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20

Abstract: 提供了制造半导体器件的方法，该半导体器件包括金属栅极晶体管和电阻器。一种方法包括：提供衬底，该衬底包括晶体管器件区和隔离区；在晶体管器件区上方形成伪栅极以及在隔离区上方形成电阻器；以及用掺杂剂注入电阻器。该方法还包括：湿法蚀刻伪栅极以去除伪栅极；以及然后在晶体管器件区上方形成金属栅极从而替换伪栅极。本发明提供了采用伪栅极去除的集成电路电阻器制造。

公开(公告)号：CN101281925B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810082115.4

申请日：2008-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林大文 ,  林盈秀 ,  王世维 ,  黄立平 ,  梁英强 ,  卡罗斯

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/66356

Abstract: 本发明提供一种栅控二极管的半导体装置或其它相似的电子构件及其制作方法。上述半导体装置包含栅极结构，其设置于衬底上，且位于形成在衬底之中的沟道上方，并且此栅极结构还邻接源极区域及漏极区域。上述源极区域或漏极区域的顶部，或者是两区域的顶部，可以是整个或部分地位于比上述栅极结构的底部更高的高度。形成上述结构的方式，可借助覆盖沉积层于栅极结构及衬底的上方，且接着再以蚀刻工艺制作倾斜分布的方式完成。若上述源极区域及漏极区域同时具有上述结构，源极区域及漏极区域的结构也可以是对称或非对称性的分布。上述结构可以明显地降低掺杂物的侵入，据此，上述结构也可降低结漏电流。