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公开(公告)号：CN113539844B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202110635733.2
申请日：2021-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种半导体装置及其制造方法。可使用异相装置以及不对称的双面成型封装技术，在多层重分布结构上制造半导体装置。半导体装置可形成为具有小的轮廓的异相三维扇出晶粒封装结构，且可使用单个承载基板来形成半导体装置。
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公开(公告)号：CN110364508B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN201811311514.3
申请日：2018-11-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522
Abstract: 本发明实施例涉及一种具有接垫图案的装置，其包含第一介电层、接垫图案以及第二介电层。接垫图案设置在第一介电层上且包含接垫部分和外围部分。接垫部分嵌入于第一介电层中，其中接垫部分的下部表面与第一介电层的下部表面大体上共面。外围部分围绕接垫部分。第二介电层设置在接垫图案上且包含延伸穿过外围部分的多个延伸部分。
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公开(公告)号：CN112233989B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202011073389.4
申请日：2017-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/683 , H01L23/31 , H01L23/552 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L25/10 , H01L25/18 , H01L21/98
Abstract: 本发明实施例提供的方法包括形成半导体器件，该半导体器件包括由模塑材料围绕的半导体管芯，其中，半导体器件的接触金属件具有暴露的边缘，将半导体器件置于具有内壁和外壁的托盘内，其中，该内壁位于半导体器件下面并且位于半导体器件的外边缘和半导体器件的凸块的外边缘之间，在半导体器件和托盘上沉积金属屏蔽层，其中，金属屏蔽层与接触金属件的暴露的边缘直接接触，然后将半导体器件与托盘分开。本发明的实施例还提供了叠层封装半导体器件。
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公开(公告)号：CN111403368B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201911391634.3
申请日：2019-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/31
Abstract: 一种半导体封装体，包括：一内连接结构、形成于内连接结构上方的一半导体芯片、形成于内连接结构上方以覆盖并围绕半导体芯片的一封胶层以及形成于封胶层上方的一中介层结构。中介层结构包括一绝缘基体，具有面向封胶层的一第一表面及相对于第一表面的一第二表面。中介层结构也包括排置于绝缘基体的第一表面上且对应于半导体芯片的多个岛型层。一部分的封胶层夹设于至少两个岛型层之间。或者，中介层结构包括一钝化护层，覆盖绝缘基体的第二表面，且具有沿着绝缘基体的周围边缘延伸的一凹槽。
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公开(公告)号：CN113363158B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110185564.7
申请日：2021-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/488
Abstract: 一种方法包括形成第一导电部件；在第一导电部件的侧壁和顶面上沉积钝化层；蚀刻钝化层以露出第一导电部件；以及使钝化层的第一顶面凹进以形成阶梯。阶梯包括钝化层的第二顶面。该方法还包括在钝化层上形成平坦化层；以及形成延伸至钝化层中以接触第一导电部件的第二导电部件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114628362A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210115574.8
申请日：2022-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本公开总体涉及与重分布层的凸块集成。一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成互连结构；在互连结构之上形成第一钝化层；在第一钝化层之上并且与互连结构电耦合地形成第一导电特征；在第一导电特征和第一钝化层之上共形地形成第二钝化层；在第二钝化层之上形成电介质层；以及在第一导电特征之上并且与第一导电特征电耦合地形成第一凸块过孔和第一导电凸块，其中，第一凸块过孔在第一导电凸块和第一导电特征之间，其中，第一凸块过孔延伸到电介质层中、穿过第二钝化层、并且接触第一导电特征，其中，第一导电凸块在电介质层之上并且电耦合到第一凸块过孔。
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公开(公告)号：CN114464545A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210027367.7
申请日：2022-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/528 , H01L23/522
Abstract: 公开了用于形成具有不同表面轮廓的凸块下金属(UBM)结构的方法和通过该方法形成的半导体器件。在实施例中，半导体器件包含：位于半导体衬底上方的第一再分布线和第二再分布线；位于第一再分布线和第二再分布线上方的第一钝化层；位于第一再分布线上方并且电耦合到第一重布线的第一凸块下金属(UBM)结构，该第一UBM结构延伸穿过第一钝化层，该第一UBM结构的顶面是凹面的；以及位于第二再分布线上方并且电耦合到第二再分布线的第二UBM结构，该第二UBM结构延伸穿过第一钝化层，该第二UBM结构的顶面是平坦的或凸起的。
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公开(公告)号：CN112670195A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202010894054.2
申请日：2020-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本公开涉及封装结构及其形成方法，此方法包含设置半导体晶粒于重布线结构的第一表面之上。此方法还包含形成第一保护层以围绕半导体晶粒的一部分。此方法还包含设置装置元件于重布线结构的第二表面之上。重布线结构介于装置元件与半导体晶粒之间。此外，此方法包含形成第二保护层以围绕装置元件的一部分。第二保护层比第一保护层厚，且第二保护层与第一保护层具有不同的热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN107293518B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201710191262.4
申请日：2017-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L23/552 , H01L25/18
Abstract: 本发明实施例提供的方法包括形成半导体器件，该半导体器件包括由模塑材料围绕的半导体管芯，其中，半导体器件的接触金属件具有暴露的边缘，将半导体器件置于具有内壁和外壁的托盘内，其中，该内壁位于半导体器件下面并且位于半导体器件的外边缘和半导体器件的凸块的外边缘之间，在半导体器件和托盘上沉积金属屏蔽层，其中，金属屏蔽层与接触金属件的暴露的边缘直接接触，然后将半导体器件与托盘分开。本发明的实施例还提供了叠层封装半导体器件。
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公开(公告)号：CN108074896B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201710959894.0
申请日：2017-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/50
Abstract: 半导体器件包括衬底、位于衬底的第一侧上方的第一再分布层(RDL)、位于第一RDL上方并且电连接至第一RDL的一个或多个半导体管芯以及位于第一RDL上方并且围绕一个或多个半导体管芯的密封剂。半导体器件也包括附接至衬底的第二侧(与第一侧相对)的连接件，该连接件电连接至第一RDL。半导体器件还包括位于衬底的第二侧上的聚合物层，连接件从聚合物层突出于远离衬底的聚合物层的第一表面之上。接触连接件的聚合物层的第一部分具有第一厚度，并且位于邻近的连接件之间的聚合物层的第二部分具有小于第一厚度的第二厚度。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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