公开(公告)号：CN107622982B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201710352155.5

申请日：2017-05-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  黄立贤 ,  苏安治 ,  陈宪伟

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07

Abstract: 一种芯片封装结构，芯片封装结构包括：一第一芯片、一第二芯片及一第三芯片。第二芯片位于第一芯片与第三芯片之间。此芯片封装结构包括一第一模塑层围绕第一芯片。此芯片封装结构包括一第二模塑层围绕第二芯片。此芯片封装结构包括一第三模塑层围绕第三芯片、第一模塑层及第二模塑层。

公开(公告)号：CN108831870B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201810576177.4

申请日：2015-07-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  李建裕 ,  郭宏瑞 ,  黄立贤 ,  陈宪伟 ,  叶德强 ,  刘重希 ,  郑心圃

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明讨论了封装件结构和形成封装件结构的方法。根据一些实施例，封装件结构包括集成电路管芯、至少横向密封集成电路管芯的密封剂、位于集成电路管芯和密封剂上的再分布结构、连接至再分布结构的连接件支撑金属以及位于连接件支撑金属上的外部连接件。再分布结构包括远离密封剂和集成电路管芯设置的介电层。连接件支撑金属具有位于介电层的表面上的第一部分并且具有在穿过介电层的开口中延伸的第二部分。连接件支撑金属的第一部分具有在远离介电层的表面的方向上延伸的倾斜侧壁。本发明的实施例还涉及具有UBM的封装件和形成方法。

公开(公告)号：CN112447642A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010572452.2

申请日：2020-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  苏安治 ,  黄立贤 ,  杨天中 ,  叶名世

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 提供一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包含半导体管芯及横向地覆盖半导体管芯的绝缘密封体。半导体管芯包含半导体衬底、分布在半导体衬底上方的多个导电衬垫、设置于导电衬垫上且电连接到导电衬垫的多个导通孔，以及设置于半导体衬底上方且使导通孔彼此间隔开的介电层。介电层的侧壁沿着导通孔的侧壁延伸，导通孔从介电层的顶表面凹陷且介电层的倾斜表面连接到介电层的顶表面及介电层的侧壁。

公开(公告)号：CN111128904A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201910381673.9

申请日：2019-05-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  苏安治 ,  叶德强 ,  曾华伟 ,  黄立贤 ,  叶名世

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/535 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明实施例提供一种封装结构、一种管芯及其形成方法。封装结构包括管芯、包封体、重布线层结构以及导电端子。管芯具有连接件。连接件包括晶种层以及位于晶种层上的导电柱。晶种层延伸超出导电柱的侧壁。包封体位于管芯侧边且包封管芯的侧壁。重布线层结构电连接到管芯。导电端子经由重布线层结构电连接到管芯。

公开(公告)号：CN106952831B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201611135570.7

申请日：2016-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  苏安治 ,  陈威宇 ,  陈英儒 ,  林宗澍 ,  张进传 ,  陈宪伟 ,  吴伟诚 ,  叶德强 ,  黄立贤 ,  吴集锡

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明实施例提供一种使用热与机械强化层的装置及其制造方法。本发明实施例提供的方法包含将第一层级装置裸片附接到虚设裸片，将所述第一层级装置裸片囊封于第一囊封材料中，在所述第一层级装置裸片上方形成贯穿通路并且将其电耦合到所述第一层级装置裸片，将第二层级装置裸片附接于所述第一层级装置裸片上方，以及将所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片于囊封第二囊封材料中。重布线形成于所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方并且电耦合到所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片。所述虚设裸片、所述第一层级装置裸片、所述第一囊封材料、所述第二层级装置裸片、以及所述第二囊封材料形成复合晶片的部分。

公开(公告)号：CN109860136A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201810707996.8

申请日：2018-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄立贤 ,  林岳霆 ,  苏安治 ,  叶名世 ,  叶德强

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/50 ,  H01L21/54 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

Abstract: 方法包括将第一管芯和第二管芯附接至载体；在第一管芯和第二管芯之间形成模塑料；以及在第一管芯、第二管芯和模塑料上方形成再分布结构，再分布结构包括第一再分布区域；第二再分布区域；以及位于第一再分布区域和第二再分布区域之间的切割区域。该方法还包括在切割区域中形成第一开口和第二开口，第一开口和第二开口延伸穿过再分布结构并且暴露模塑料；以及从模塑料的第二侧朝向模塑料的第一侧通过切割穿过模塑料的与切割区域对准的部分来分离第一管芯和第二管芯，第二侧与第一侧相对。本发明实施例涉及集成扇出封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN109727951A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201810026326.X

申请日：2018-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  苏安治 ,  吴集锡 ,  叶德强 ,  黄立贤 ,  蔡柏豪 ,  叶名世 ,  刘大伟

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明实施例提供一种封装结构及其制造方法。所述封装结构包括第一封装、第二封装及多个焊料接头。所述第一封装包括：至少一个第一半导体管芯，包封在绝缘包封体中；以及多个绝缘体穿孔，电连接到所述至少一个第一半导体管芯。所述第二封装包括：至少一个第二半导体管芯；以及多个导电接垫，电连接到所述至少一个第二半导体管芯。所述多个焊料接头位于所述第一封装与所述第二封装之间。所述多个绝缘体穿孔包封在所述绝缘包封体中。所述第一封装与所述第二封装通过所述多个焊料接头进行电连接。沿水平方向测量的所述多个焊料接头的最大尺寸大于沿水平方向测量的所述多个绝缘体穿孔的最大尺寸，且大于或实质上等于沿所述水平方向测量的所述多个导电接垫的最大尺寸。

公开(公告)号：CN106409810B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201510797011.1

申请日：2015-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  黄立贤

IPC: H01L23/528

Abstract: 一种方法，包括：在导电部件上方形成第一介电层；在第一介电层中形成开口；以及镀金属材料以形成电耦合至导电部件的第一再分布线。再分布线包括位于开口中的通孔和金属迹线。该金属迹线包括直接位于通孔上方的第一部分和与通孔不重合的第二部分。金属迹线的第一部分的第一顶面与第二部分的第二顶面基本共面。本发明还提供了一种具有堆叠通孔的再分布线。

公开(公告)号：CN105321801B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201410848060.9

申请日：2014-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄立贤 ,  陈宪伟 ,  蕭景文 ,  叶德强 ,  郑心圃 ,  余振华

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/544

Abstract: 一种封装件包括器件管芯、将器件管芯模制在其中的模制材料、穿透模制材料的通孔、以及穿透模制材料的对准标记。重分布线位于模制材料的一侧上。重分布线电连接至通孔。本发明涉及封装件的对准标记设计。

公开(公告)号：CN107768351A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710587367.1

申请日：2017-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  叶德强 ,  陈宪伟 ,  黄立贤 ,  林岳霆 ,  陈威宇 ,  苏安治

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3738 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10337 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L2224/0237

Abstract: 在一些实施例中，器件包括热机电(TEM)芯片，具有功能电路；第一管芯，附接至所述TEM芯片的第一侧面；第一通孔，位于所述TEM芯片的第一侧面上并且邻近所述第一管芯，所述第一通孔电连接至所述TEM芯片。所述器件还包括第一模制层，围绕所述TEM芯片、所述第一管芯和所述第一通孔，其中，所述第一管芯的上表面和所述第一通孔的上表面与所述第一模制层的上表面平齐。所述器件还包括第一再分布层，位于所述第一模制层的上表面上方并且电连接至所述第一通孔和所述第一管芯。本发明还提供了具有热机电芯片的半导体封装件及其形成方法。