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公开(公告)号：CN102951595B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210281583.0
申请日：2012-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81C2203/036
Abstract: 本公开内容提供了运动传感器结构的一个实施例。运动传感器结构包括：第一衬底，具有形成在其上的集成电路；第二衬底，通过第一表面与第一衬底接合，其中，第二衬底包括形成在其上的运动传感器；以及第三衬底，与第二衬底的第二表面接合，其中，第三衬底包括与运动传感器对准的凹进区域。本发明还提供了运动传感器的方法。
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公开(公告)号：CN102583221B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110205205.X
申请日：2011-07-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明是关于一种半导体装置及其的制造方法、与微机电系统装置的制造方法。其中的半导体装置的制造方法包含形成一基材、形成块状硅的可移动件、形成第一凸起结构于可移动件的第一表面上，其中第一表面面对基材。本发明可使一些工艺使用高温退火，且可以降低成本，并可降低沾粘和寄生电容，非常适于实用。
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公开(公告)号：CN102583221A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110205205.X
申请日：2011-07-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明是关于一种半导体装置及其的制造方法、与微机电系统装置的制造方法。其中的半导体装置的制造方法包含形成一基材、形成块状硅的可移动件、形成第一凸起结构于可移动件的第一表面上，其中第一表面面对基材。本发明可使一些工艺使用高温退火，且可以降低成本，并可降低沾粘和寄生电容，非常适于实用。
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公开(公告)号：CN103569942A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210407222.6
申请日：2012-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 用于防止在加工过程中和使用中出现粘附的混合MEMS凸块设计。提供了一种微机电系统(MEMS)器件和用于形成MEMS器件的方法。质量块通过支轴悬挂在衬底表面上方的一距离处。一对感应板被设置在衬底上且位于支轴的相对侧上。金属凸块与每个感应板相关联并且被设置成接近质量块的相应末端。每个金属凸块从衬底的表面延伸并且通常抑制与质量块相关的电荷导致的粘附。氧化物凸块与该对感应板中的每一个都相关联并且被设置成位于相应的感应板和支轴之间。每个氧化物凸块比金属凸块从衬底的第一表面延伸更大的距离并且通过阻止质量块的末端在冲击加载期间接触金属凸块而充当缓冲器。
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公开(公告)号：CN103253625A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310001220.1
申请日：2013-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0032 , B81B7/0038 , B81C1/00261 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种器件，所述器件包括与衬底结构接合的盖式衬底。所述衬底结构包括集成电路结构。所述集成电路结构包括设置在气体外泄阻止结构上的顶部金属层。至少一个MEMS器件设置在所述顶部金属层和所述气体外泄阻止结构的上方。本发明还公开了一种微电子机械系统(MEMS)结构以及形成MEMS结构的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102745638A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210057626.7
申请日：2012-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/84 , B81B2203/0307 , B81C1/00039 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了微机电系统(MEMS)器件和用于制造这种器件的方法。在实施例中，MEMS器件包括：衬底，位于衬底上方的介电层，位于介电层上方的蚀刻停止层，以及和位于介电层上方的两个定位塞，该两个定位塞均与设置在介电层上方的蚀刻停止层或顶部金属层相接触。该器件进一步包括设置在空腔上方的MEMS结构层，该空腔通过释放牺牲层而在两个定位塞之间和位于蚀刻停止层上方的位置上形成。本发明还提供了一种微机电器件蚀刻停止。
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公开(公告)号：CN103569942B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210407222.6
申请日：2012-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 用于防止在加工过程中和使用中出现粘附的混合MEMS凸块设计。提供了一种微机电系统(MEMS)器件和用于形成MEMS器件的方法。质量块通过支轴悬挂在衬底表面上方的一距离处。一对感应板被设置在衬底上且位于支轴的相对侧上。金属凸块与每个感应板相关联并且被设置成接近质量块的相应末端。每个金属凸块从衬底的表面延伸并且通常抑制与质量块相关的电荷导致的粘附。氧化物凸块与该对感应板中的每一个都相关联并且被设置成位于相应的感应板和支轴之间。每个氧化物凸块比金属凸块从衬底的第一表面延伸更大的距离并且通过阻止质量块的末端在冲击加载期间接触金属凸块而充当缓冲器。
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公开(公告)号：CN103253625B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310001220.1
申请日：2013-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0032 , B81B7/0038 , B81C1/00261 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种器件，所述器件包括与衬底结构接合的盖式衬底。所述衬底结构包括集成电路结构。所述集成电路结构包括设置在气体外泄阻止结构上的顶部金属层。至少一个MEMS器件设置在所述顶部金属层和所述气体外泄阻止结构的上方。本发明还公开了一种微电子机械系统(MEMS)结构以及形成MEMS结构的方法。
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公开(公告)号：CN102745638B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210057626.7
申请日：2012-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/84 , B81B2203/0307 , B81C1/00039 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了微机电系统(MEMS)器件和用于制造这种器件的方法。在实施例中，MEMS器件包括：衬底，位于衬底上方的介电层，位于介电层上方的蚀刻停止层，以及和位于介电层上方的两个定位塞，该两个定位塞均与设置在介电层上方的蚀刻停止层或顶部金属层相接触。该器件进一步包括设置在空腔上方的MEMS结构层，该空腔通过释放牺牲层而在两个定位塞之间和位于蚀刻停止层上方的位置上形成。本发明还提供了一种微机电器件蚀刻停止。
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公开(公告)号：CN102951595A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210281583.0
申请日：2012-08-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81C2203/036
Abstract: 本公开内容提供了运动传感器结构的一个实施例。运动传感器结构包括：第一衬底，具有形成在其上的集成电路；第二衬底，通过第一表面与第一衬底接合，其中，第二衬底包括形成在其上的运动传感器；以及第三衬底，与第二衬底的第二表面接合，其中，第三衬底包括与运动传感器对准的凹进区域。本发明还提供了运动传感器的方法。
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