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公开(公告)号：CN114628338A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210163423.X
申请日：2022-02-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片，所述集成芯片包括：衬底；设置在所述衬底之上的第一管芯；贴合到所述第一管芯的前侧的金属线；和沿着所述第一管芯的后侧设置且被配置成控制所述第一管芯的操作角度的第一多个管芯止挡凸块。所述第一多个管芯止挡凸块直接接触所述第一管芯的后侧表面。
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公开(公告)号：CN114141719A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110900783.9
申请日：2021-08-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 张贵松
Abstract: 本发明实施例涉及封装结构及形成封装结构的方法。本揭露提供一种封装结构。所述封装结构包含：基底；装置，其放置于所述基底上；盖，其放置于所述基底及所述装置上方且与所述装置间隔开；及第一金属组件，其放置于所述装置与所述盖之间，其中所述第一金属组件接触所述装置及所述盖。本揭露还提供一种用于形成封装结构的方法。
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公开(公告)号：CN102701136B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210048824.7
申请日：2012-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00579 , B81B2207/015 , B81C2203/0771 , Y10T29/49126
Abstract: 公开了包括用于互补金属氧化物半导体(CMOS)和/或微机电系统(MEMS)器件的旁路结构的装置以及这种装置的制造方法。示例性装置包括：第一衬底；第二衬底，包括MEMS器件；绝缘体，设置在第一衬底和第二衬底之间；以及电旁路结构，设置在接触所述第一衬底的一部分的绝缘体层中，其中，电旁路结构与第二衬底中的MEMS器件和第一衬底中包括的任何器件电隔离。
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公开(公告)号：CN102815659A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210010820.X
申请日：2012-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00269 , B81C1/00579 , B81C2201/0111 , B81C2201/014 , B81C2201/0176 , B81C2203/0118 , B81C2203/019
Abstract: 本发明提供了一种微电子机械系统(MEMS)结构的实施例，该MEMS结构包括MEMS衬底；在该MEMS衬底上设置的半导体材料的第一导电塞和第二导电塞，其中第一导电塞被配置为用于电互连，以及第二导电塞被配置为抗静摩擦力凸块；被配置在该MEMS衬底上并与第一导电塞电连接的MEMS器件；以及盖顶衬底，该盖顶衬底接合至该MEMS衬底，从而该MEMS器件被封闭在MEMS衬底和盖顶衬底之间。本发明还提供了一种具有可移动部件的半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102745638A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210057626.7
申请日：2012-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/84 , B81B2203/0307 , B81C1/00039 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了微机电系统(MEMS)器件和用于制造这种器件的方法。在实施例中，MEMS器件包括：衬底，位于衬底上方的介电层，位于介电层上方的蚀刻停止层，以及和位于介电层上方的两个定位塞，该两个定位塞均与设置在介电层上方的蚀刻停止层或顶部金属层相接触。该器件进一步包括设置在空腔上方的MEMS结构层，该空腔通过释放牺牲层而在两个定位塞之间和位于蚀刻停止层上方的位置上形成。本发明还提供了一种微机电器件蚀刻停止。
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公开(公告)号：CN113247855B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202010332779.2
申请日：2020-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供微机电系统支撑结构及顶盖结构。在微机电系统支撑结构或者顶盖结构的部分中形成至少一个垂直延伸沟槽。在至少一个垂直延伸沟槽中的每一者中形成垂直延伸出气材料部分，垂直延伸出气材料部分具有在实体上暴露于相应的垂直延伸空腔的表面。将基质材料层贴合到微机电系统支撑结构。通过将基质材料层图案化来形成在侧向上限定在基质层内的可移动元件。将基质层结合到顶盖结构。形成包含可移动元件的密封腔室。垂直延伸出气材料部分中的每一垂直延伸出气材料部分具有在实体上暴露于密封腔室的表面，且排出气体以增加密封腔室中的压力。
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公开(公告)号：CN114141642A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202110902270.1
申请日：2021-08-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 张贵松
Abstract: 本揭露涉及封装结构及有关封装结构的测量方法。本揭露提供一种测量方法，所述测量方法包含：提供基底、放置在所述基底上的装置以及放置在所述基底及所述装置之上的封盖；通过所述封盖的开口照射所述装置的顶部表面，以获得与所述装置的顶部表面相关联的第一焦平面；照射所述封盖的所述开口的下部端处，以在所述开口的所述下部端处获得与所述封盖相关联的第二焦平面；及基于所述第一焦平面的水平高度与所述第二焦平面的水平高度之间的差而导出所述装置的顶部表面与面向所述装置的所述顶部表面的所述封盖的内部表面之间的距离。本揭露也提供一种用于所述测量的封装结构。
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公开(公告)号：CN113044800A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011265692.4
申请日：2020-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各个实施例针对包括复合弹簧的微电子机械系统(MEMS)结构。第一衬底位于第二衬底下面。第三衬底位于第二衬底上面。第一衬底、第二衬底和第三衬底至少部分地限定腔。第二衬底包括位于腔中并且位于第一衬底和第三衬底之间的可移动块。复合弹簧从第二衬底的外围区域延伸至可移动块。复合弹簧配置为将可移动块悬置在腔中。复合弹簧包括第一弹簧层和第二弹簧层，第一弹簧层包括第一晶体取向，第二弹簧层包括与第一晶体取向不同的第二晶体取向。本发明的实施例还涉及MEMS结构的形成方法、集成芯片。
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公开(公告)号：CN109205548A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201711269755.1
申请日：2017-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例涉及具有图案化的抗粘滞层的MEMS装置和形成的相关方法。MEMS装置具有限定第一接合表面的处理衬底和具有MEMS器件并且限定第二接合表面的MEMS衬底。在第一接合表面面向第二接合表面的情况下，通过接合界面将处理衬底接合至MEMS衬底。抗粘滞层布置在第一接合表面和第二接合表面之间，而没有位于接合界面上方。
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公开(公告)号：CN103224216B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210258786.8
申请日：2012-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开包括具有衬底通孔的微电子机械系统(MEMS)结构及其形成方法。MEMS结构的衬底在高温下通过融熔接合而接合到一起，这能够在密封MEMS结构的空腔之前更加完全地去除来自衬底中的介电材料的化学物。MEMS结构融熔接合减少了化学物的脱气并与空腔形成工艺相兼容。与共晶接合相比，得益于更高的接合比，通过融熔接合而接合的MEMS结构更加坚固。此外，融熔接合能够在MEMS结构中形成衬底通孔(TSV)。
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