公开(公告)号：CN116959978A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310728181.9

申请日：2023-06-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德夫 ,  杜政杰 ,  黄铭淇 ,  庄英良 ,  叶明熙 ,  黄国彬

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 公开了一种半导体装置的制造方法，包括：提供至少两个结构，每个结构上具有金属层；在第一结构上方的金属层上方形成图案化光刻(photolithographic)层；通过使用能防止渗透(resistant to penetration)到光刻层中的化学蚀刻剂进行湿式蚀刻操作以从第二结构去除金属层；以及，在进行湿式蚀刻操作之后，实现小于179且大于1的距离X对距离Y的剩余金属比例，其中距离X是从第一直线到第二直线的第一距离，第一直线延伸自第一半导体装置上方剩余的金属层的边缘，第二直线延伸自第二半导体装置中的通道区的边缘，且距离Y是从第一直线到第三直线的第二距离，第三直线从形成在第一半导体装置中的通道区上方的金属层的边缘延伸。

公开(公告)号：CN117936571A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311758187.7

申请日：2023-12-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德夫 ,  杜政杰 ,  陈皓馨 ,  洪若珺 ,  庄英良 ,  叶明熙 ,  黄国彬

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L27/092 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82

Abstract: 本揭露关于一种半导体装置及栅极结构的形成方法。此形成方法包含：形成栅极结构的界面层及高k值介电层；形成N型金属层于高k值介电层上；形成硬覆盖层于N型金属层上，同时通过氟钝化强化高k值介电层；图案化在硬覆盖层上的光阻材料，以于P型晶体管上暴露出硬覆盖层的一部分；利用高选择性化学试剂通过湿式蚀刻操作移除于P型晶体管上的N型金属层及硬覆盖层，前述化学试剂对硬覆盖层及N型金属层具有高选择性；移除图案化光阻材料，同时通过硬覆盖层隔离栅极结构，以避免发生铝氧化；以及形成P型金属层于硬覆盖层及P型晶体管上。

公开(公告)号：CN220172136U

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202321276935.3

申请日：2023-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 詹咏翔 ,  戴安闳 ,  陈蕙祺 ,  阙瑞甫 ,  林彦达 ,  黄铭淇 ,  杜政杰 ,  陈建豪 ,  游国丰

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。半导体装置包括通道区、第一栅极介电层以及栅极电极层。第一栅极介电层设置于通道区上方；栅极电极层设置于第一栅极介电层上方，其中第一栅极介电层包括第一部分及第二部分，而且第二部分包括稀土元素并且第一部分不包括所述稀土元素。