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公开(公告)号:CN109427701A
公开(公告)日:2019-03-05
申请号:CN201711230904.3
申请日:2017-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/522
Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置包含衬底、封装、第一导体及第二导体。所述衬底包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述封装放置于所述衬底上方。所述第一导体放置于所述衬底上方。所述第二导体放置于所述衬底上方,其中所述第一导体及所述第二导体基本上处于同一层级,且所述第二导体的宽度大于所述第一导体的宽度。
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公开(公告)号:CN109427701B
公开(公告)日:2022-04-01
申请号:CN201711230904.3
申请日:2017-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/522
Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置包含衬底、封装、第一导体及第二导体。所述衬底包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述封装放置于所述衬底上方。所述第一导体放置于所述衬底上方。所述第二导体放置于所述衬底上方,其中所述第一导体及所述第二导体基本上处于同一层级,且所述第二导体的宽度大于所述第一导体的宽度。
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