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公开(公告)号：CN109427701B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201711230904.3
申请日：2017-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/522
Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置包含衬底、封装、第一导体及第二导体。所述衬底包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述封装放置于所述衬底上方。所述第一导体放置于所述衬底上方。所述第二导体放置于所述衬底上方，其中所述第一导体及所述第二导体基本上处于同一层级，且所述第二导体的宽度大于所述第一导体的宽度。
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公开(公告)号：CN111354653B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201911337054.6
申请日：2019-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/488
Abstract: 本申请的实施例提供一种芯片封装结构及其形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面。此方法包含在第一基底的第二表面上形成虚设凸块。第一表面与第二表面相反，且虚设凸块与芯片电气绝缘。此方法包含切穿第一基底与虚设凸块以形成切割基底与切割虚设凸块。切割虚设凸块位于切割基底的角部之上，切割虚设凸块的第一侧壁与切割基底的第二侧壁大致上共平面，且切割虚设凸块的第三侧壁与切割基底的第四侧壁大致上共平面。
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公开(公告)号：CN111354653A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911337054.6
申请日：2019-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/488
Abstract: 本申请的实施例提供一种芯片封装结构及其形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面。此方法包含在第一基底的第二表面上形成虚设凸块。第一表面与第二表面相反，且虚设凸块与芯片电气绝缘。此方法包含切穿第一基底与虚设凸块以形成切割基底与切割虚设凸块。切割虚设凸块位于切割基底的角部之上，切割虚设凸块的第一侧壁与切割基底的第二侧壁大致上共平面，且切割虚设凸块的第三侧壁与切割基底的第四侧壁大致上共平面。
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公开(公告)号：CN109216215B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810263929.1
申请日：2018-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 为了防止在半导体管芯接合至其它衬底之后在半导体管芯的拐角处出现裂缝，邻近半导体管芯的拐角形成开口，并且用缓冲材料填充和过填充开口，其中，缓冲材料的物理特性介于半导体管芯和邻近缓冲材料放置的底部填充材料的物理特性之间。本发明实施例涉及一种半导体器件和制造方法。
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公开(公告)号：CN109216215A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810263929.1
申请日：2018-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 为了防止在半导体管芯接合至其它衬底之后在半导体管芯的拐角处出现裂缝，邻近半导体管芯的拐角形成开口，并且用缓冲材料填充和过填充开口，其中，缓冲材料的物理特性介于半导体管芯和邻近缓冲材料放置的底部填充材料的物理特性之间。本发明实施例涉及一种半导体器件和制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108987358A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201711202687.7
申请日：2017-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 一种封装件包括封装组件，位于封装组件上方并且接合至封装组件的器件管芯，具有位于器件管芯上方的顶部的金属帽，以及位于器件管芯和金属帽之间并且接触器件管芯和金属帽的热界面材料。热界面材料包括直接位于器件管芯的内部上方的第一部分，以及直接在器件管芯的拐角区域上方延伸的第二部分。第一部分具有第一厚度。第二部分具有大于第一厚度的第二厚度。
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公开(公告)号：CN108573929B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201711095986.5
申请日：2017-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/00
Abstract: 本发明实施例揭示一种半导体装置，其包含衬底、电子组件、环形结构及粘合剂层。所述衬底具有第一表面。所述电子组件在所述衬底的所述第一表面上方。所述环形结构在所述衬底的所述第一表面上方，其中所述环形结构包含具有第一高度的第一部分及从底表面凹陷且具有低于所述第一高度的第二高度的第二部分。所述粘合剂层插入在所述环形结构的所述第一部分与所述衬底之间及所述环形结构的所述第二部分与所述衬底之间。
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公开(公告)号：CN108987358B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201711202687.7
申请日：2017-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 一种封装件包括封装组件，位于封装组件上方并且接合至封装组件的器件管芯，具有位于器件管芯上方的顶部的金属帽，以及位于器件管芯和金属帽之间并且接触器件管芯和金属帽的热界面材料。热界面材料包括直接位于器件管芯的内部上方的第一部分，以及直接在器件管芯的拐角区域上方延伸的第二部分。第一部分具有第一厚度。第二部分具有大于第一厚度的第二厚度。
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公开(公告)号：CN109427701A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711230904.3
申请日：2017-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/522
Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置包含衬底、封装、第一导体及第二导体。所述衬底包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述封装放置于所述衬底上方。所述第一导体放置于所述衬底上方。所述第二导体放置于所述衬底上方，其中所述第一导体及所述第二导体基本上处于同一层级，且所述第二导体的宽度大于所述第一导体的宽度。
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公开(公告)号：CN108573929A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201711095986.5
申请日：2017-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/00
Abstract: 本发明实施例揭示一种半导体装置，其包含衬底、电子组件、环形结构及粘合剂层。所述衬底具有第一表面。所述电子组件在所述衬底的所述第一表面上方。所述环形结构在所述衬底的所述第一表面上方，其中所述环形结构包含具有第一高度的第一部分及从底表面凹陷且具有低于所述第一高度的第二高度的第二部分。所述粘合剂层插入在所述环形结构的所述第一部分与所述衬底之间及所述环形结构的所述第二部分与所述衬底之间。
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