公开(公告)号：CN118983222A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202410991155.X

申请日：2024-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李致葳 ,  蔡昕翰 ,  蔡有泰

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 一种用于形成多栅极器件的栅极堆叠件的示例性方法包括在沟道层上形成栅极电介质以及在栅极电介质上形成栅电极。形成栅电极包括在栅极电介质上形成功函数层和在功函数层上形成盖帽。形成盖帽包括在功函数层上形成金属氮化物层和在金属氮化物层上形成含硅层。形成栅电极包括在不破坏真空的情况下在盖帽的含硅层上形成无氟钨层。在含硅层上形成无氟钨层包括使含钨前体(例如WCl5)和含氢前体(例如H2)共流。本申请的实施例还提供了一种晶体管。

公开(公告)号：CN118675981A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410513520.6

申请日：2024-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李致葳 ,  蔡昕翰

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H10B10/00

Abstract: 本公开涉及一种晶体管与其形成方法。形成多栅极装置所用的例示性方法包括形成栅极介电层，形成功函数层于栅极介电层上；形成盖于功函数层上，以及形成栅极层于盖上。形成盖的步骤包括形成第一盖层的第一部分于功函数层上；在进行氧控制处理之后，形成第一盖层的第二部分于第一盖层的第一部分上；以及形成第二盖层于第一盖层上。氧控制处理由破真空、臭氧化的去离子水、氧自由基、含氧退火环境、或上述的组合，以暴露第一盖层的第一部分至氧。第一盖层可为金属氮化物层，而第二盖层可为硅层。

公开(公告)号：CN113540220A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110347242.8

申请日：2021-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李家庆 ,  蔡昕翰 ,  邱诗航 ,  汤宗达 ,  吴仲强 ,  锺鸿钦 ,  李显铭 ,  李达元 ,  陈建豪 ,  陈建豪 ,  游国丰 ,  陈嘉伟 ,  许智育

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法。半导体装置的形成方法包括移除虚置栅极与虚置栅极介电层以形成凹陷于相邻的多个栅极间隔物之间。沉积栅极介电层于凹陷中，并沉积阻挡层于栅极介电层上。沉积第一功函数层于阻挡层上。形成第一抗反应层于第一功函数层上，而第一抗反应层减少第一功函数层的氧化。沉积填充材料于第一抗反应层上。

公开(公告)号：CN119153500A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411169027.3

申请日：2024-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李致葳 ,  蔡昕翰 ,  黄泰维

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/28

Abstract: 示例性栅极堆叠件包括栅极电介质(例如，界面层上方的高k介电层)和栅电极(例如，高k介电层上方的功函层、功函层上方的盖和盖上方的块状填充层)。栅极堆叠件包裹和/或围绕设置在第二半导体层上方的第一半导体层。栅极电介质和功函层(而不是盖和/或块状填充层)填充第一半导体层和第二半导体层之间的间隔。栅极堆叠件的外部部分中的氧与栅极堆叠件的内部部分中的氧的比率可以是约1至约1.25。栅极堆叠件的内部部分处的功函层的厚度可以小于栅极堆叠件的外部部分处的功函层的厚度。本申请的实施例还涉及晶体管及其形成方法和形成晶体管的栅极堆叠件的方法。

公开(公告)号：CN110957270B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN201910333651.5

申请日：2019-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴仲强 ,  蔡昕翰 ,  李威缙 ,  李家庆 ,  钟鸿钦 ,  洪正隆 ,  李达元

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02

Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造方法。提供了具有不同阈值电压的半导体器件和制造半导体器件的方法。在实施例中，各个半导体器件的阈值电压是通过在替换栅极工艺内在每个单独栅极堆叠内移除和放置不同材料来调谐的，其中，移除和放置有助于保持针对填充材料的整个工艺窗口足够大以允许完整填充。

公开(公告)号：CN113224006A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011480755.8

申请日：2020-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡昕翰 ,  吴仲强 ,  洪正隆 ,  张文 ,  徐志安

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开涉及金属栅极调制器及其原位形成方法。一种方法，包括：在半导体区域上形成栅极电介质；在栅极电介质之上沉积功函数层；在功函数层之上沉积硅层；以及在硅层之上沉积胶层。功函数层、硅层和胶层是原位沉积的。该方法进一步包括在胶层之上沉积填充金属；以及执行平坦化工艺，其中，胶层、硅层和功函数层的剩余部分形成栅极电极的部分。

公开(公告)号：CN110957270A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910333651.5

申请日：2019-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴仲强 ,  蔡昕翰 ,  李威缙 ,  李家庆 ,  钟鸿钦 ,  洪正隆 ,  李达元

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02

Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造方法。提供了具有不同阈值电压的半导体器件和制造半导体器件的方法。在实施例中，各个半导体器件的阈值电压是通过在替换栅极工艺内在每个单独栅极堆叠内移除和放置不同材料来调谐的，其中，移除和放置有助于保持针对填充材料的整个工艺窗口足够大以允许完整填充。

公开(公告)号：CN219873538U

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202320855318.2

申请日：2023-04-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡昕翰 ,  廖湘如 ,  李易伦 ,  洪正隆 ,  张文 ,  徐志安 ,  洪若珺 ,  李致葳 ,  陈嘉伟

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/10 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种半导体结构，在沉积钌之后，退火金属栅极及/或中段结构的钌以减少甚至消除缝隙。由于退火减少或移除沉积的钌中的缝隙，金属栅极及/或中断结构的电阻降低而增加电性效能。此外对金属栅极而言，退火可产生更一致的沉积轮廓，其可使时间控制的蚀刻工艺产生更一致的栅极高度。如此一来，蚀刻后的更多金属栅极可作用，其可在制造电子装置时增加良率。

公开(公告)号：CN221057430U

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202321398011.0

申请日：2023-06-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪若珺 ,  李致葳 ,  黄文宏 ,  陈蕙祺 ,  陈建豪 ,  游国丰 ,  蔡昕翰 ,  庄媖涓 ,  郑郁陵 ,  王于瑄 ,  叶德夫

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8238 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种半导体结构，包括一N型场效晶体管，包括：一第一纳米结构堆叠，其中该第一纳米结构堆叠的多个纳米结构交互叠置；一第一栅极介电结构，其在一截面图中周向地环绕该第一纳米结构堆叠中的每个纳米结构；及一N型功函数(WF)金属层，其在该截面图中周向地环绕该第一栅极介电结构；及一P型场效晶体管，包括：一第二纳米结构堆叠，其中该第二纳米结构堆叠的多个纳米结构交互叠置；一第二栅极介电结构，其在该截面图中周向地环绕该第二纳米结构堆叠中的每个纳米结构；一P型功函数金属层，其在该截面图中周向地环绕该第二栅极介电结构；及在该截面图中，多个部分的该N型功函数金属层被设置在该P型功函数金属层的一上表面及多个侧表面之上。