公开(公告)号：CN116564983A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310231796.0

申请日：2023-03-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何承颖 ,  王文德 ,  周耕宇 ,  许凯钧 ,  许慈轩 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明的各个实施例针对具有设置在半导体衬底内的光电探测器的图像传感器。介电结构设置在半导体衬底的第一侧上。隔离结构从介电结构延伸到半导体衬底的第一侧中。隔离结构横向地环绕光电探测器并且包括设置在半导体衬底的第一侧之上并且直接接触介电结构的侧壁的上部部分。隔离结构包括不同于介电结构的第二材料的第一材料。本发明的实施例还提供了形成图像传感器的方法。

公开(公告)号：CN103426892B

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201210480345.2

申请日：2012-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  洪丰基 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  陈思莹 ,  王文德 ,  许慈轩

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/48463

Abstract: 一种器件包括背照式(BSI)图像传感器芯片，其包括设置在第一半导体衬底的正面上的图像传感器，以及位于第一半导体衬底正面上的包括多个金属层的第一互连结构。一种器件芯片与该图像传感器芯片接合。该器件芯片包括位于第二半导体衬底的正面上的有源器件，以及位于第二半导体衬底正面上的包括多个金属层的第二互连结构。第一通孔穿透BSI图像传感器芯片，从而连接位于第二互连结构中的第一金属焊盘。第二通孔穿透位于第一互连结构中的介电层，从而连接位于第一互连结构中的第二金属焊盘，其中，第一通孔和第二通孔电连接。本发明提供垂直集成的图像传感器芯片及其形成方法。

公开(公告)号：CN102769021B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201110241590.3

申请日：2011-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周耕宇 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  陈保同 ,  王文德 ,  庄俊杰 ,  高敏峰

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636

Abstract: 提供了一种图像传感器件。该图像传感器件包括具有正面和背面的基板，该背面相对于正面。该基板具有像素区域和外围区域。该图像传感器件包括设置在基板的像素区域中的多个辐射感应区域。每个辐射感应区域都能够通过操作感测出通过背面投射到辐射感应区域的辐射。该图像传感器件包括设置在外围区域中的参考像素。该图像传感器件包括连接到基板的正面的互连结构。该互连结构包括多个互连层。该图像传感器件包括形成在基板的背面上方的薄膜。该薄膜使得基板受到张应力。该图像传感器件包括设置在薄膜上方的辐射阻挡器件。本发明还提供了一种带有经过改进的应力免疫的背面照明图像传感器。

公开(公告)号：CN103715211A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310119867.4

申请日：2013-04-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  许慈轩 ,  王文德 ,  许文义

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/761

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/78

Abstract: 注入隔离器件及其方法。一种器件包括半导体衬底和从半导体衬底的顶面延伸到半导体衬底中且围绕有源区域的注入隔离区域。栅极电介质设置在半导体衬底的有源区域上方并且延伸到注入隔离区域上方。栅电极设置在栅极电介质上方，两个端部覆盖硬掩模位于注入隔离区域上方在栅极电介质和栅电极之间。两个端部覆盖硬掩模包含与被注入到有源区域中的掺杂物相同的掺杂物。

公开(公告)号：CN103426892A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201210480345.2

申请日：2012-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  洪丰基 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  陈思莹 ,  王文德 ,  许慈轩

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/48463

Abstract: 一种器件包括背照式(BSI)图像传感器芯片，其包括设置在第一半导体衬底的正面上的图像传感器，以及位于第一半导体衬底正面上的包括多个金属层的第一互连结构。一种器件芯片与该图像传感器芯片接合。该器件芯片包括位于第二半导体衬底的正面上的有源器件，以及位于第二半导体衬底正面上的包括多个金属层的第二互连结构。第一通孔穿透BSI图像传感器芯片，从而连接位于第二互连结构中的第一金属焊盘。第二通孔穿透位于第一互连结构中的介电层，从而连接位于第一互连结构中的第二金属焊盘，其中，第一通孔和第二通孔电连接。本发明提供垂直集成的图像传感器芯片及其形成方法。

公开(公告)号：CN103390624A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201210513212.0

申请日：2012-12-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  周耕宇 ,  蔡双吉 ,  高敏峰

IPC: H01L27/146

Abstract: 用于形成图像传感器的方法实施例包括：在支撑光电二极管的半导体的表面上方形成抗反射涂层；在抗反射涂层上方形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上方形成缓冲氧化物层；以及通过蚀刻选择性地去除缓冲氧化物层的一部分，该蚀刻停止层在蚀刻期间保护抗反射涂层。图像传感器实施例包括：设置在阵列区和外围区的半导体，该半导体支撑阵列区中的光电二极管；设置在半导体的表面上方的抗反射涂层；设置在抗反射涂层上方的蚀刻停止层，阵列区中的光电二极管上方的蚀刻停止层的厚度小于外围区中的蚀刻停止层的厚度；以及设置在外围区中的蚀刻停止层上方的缓冲氧化物层。本发明还提供了用于BSI图像传感器的背面结构。

公开(公告)号：CN101814478B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201010125287.2

申请日：2010-02-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王文德 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  庄俊杰 ,  林政贤

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种图像感测装置及其制造方法，该图像感测装置具有第一基底与第二基底，其中：一像素阵列与一控制电路是形成于上述第一基底的一第一表面中；一内连线层是形成于上述第一基底的第一表面上，将上述控制电路电性连接于上述像素阵列；一顶部传导层是形成于上述内连线层上，上述顶部传导层是经由上述内连线层而与上述控制电路及上述像素阵列的至少其中之一具有导电性；上述第二基底的一表面是连接于上述顶部传导层；一传导性的硅穿孔是穿透上述第二基底，而与上述顶部传导层具有导电性；一端子是形成于上述第二基底的一相反表面上，并电性连接于上述硅穿孔。本发明使所需的晶片面积最小化并改善感测器装置的I/O特性。

公开(公告)号：CN101783316B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200910143855.9

申请日：2009-05-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  庄俊杰 ,  陈保同 ,  王文德 ,  洪志明

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/761 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/76237 ,  H01L21/2652 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明提供了一种向集成电路注入杂质离子的方法。所述方法包括：在衬底中形成第一像素和第二像素；在所述衬底上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上形成硬掩膜层；图案化所述硬掩膜层以在所述第一像素和所述第二像素之间包括开口；以及通过所述开口注入多种杂质以形成隔离特征。

公开(公告)号：CN102376683A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110224828.1

申请日：2011-08-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  李新辉 ,  王文德 ,  蔡纾婷

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/498 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L21/02697 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/488 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 方法包括提供具有密封圈区域和电路区域的基板，在密封圈区域上形成密封圈结构，在密封圈结构上形成第一前部钝化层，在第一前部钝化层中蚀刻邻近密封圈结构的外部的前部孔，在前部孔中形成前部金属焊盘以连接前部金属焊盘和密封圈结构的外部，在密封圈结构下形成第一背部钝化层，在第一背部钝化层中蚀刻邻近密封圈结构的外部的背部孔，和在背部孔中形成背部金属焊盘以连接背部金属焊盘和密封圈结构的外部。也提供了通过所述方法制造的半导体器件。

公开(公告)号：CN102270648A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201010528295.1

申请日：2010-10-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  周耕宇 ,  王文德 ,  陈保同

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开了一种包含图像感测元件的装置及图像感测元件的制造方法，该装置包括：一基底，具有一前侧及一背侧；一第一光线感测元件及一第二光线感测元件，设置于该基底之中，该第一及第二光线感测元件用以检测透过该背侧进入该基底的光波；以及一抗反射涂布层，具有一第一折射系数，且设置于该基底的该背侧上，该抗反射涂布层具有一第一脊状结构及一第二脊状结构，分别设置于该第一光线感测元件及第二光线感测元件之上；其中该第一脊状结构及第二脊状结构由一物质所分离，该物质具有一第二折射系数，该第二折射系数小于该第一折射系数。本发明能够缩减光学干扰并增进量子效率。