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公开(公告)号：CN113044800A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011265692.4
申请日：2020-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各个实施例针对包括复合弹簧的微电子机械系统(MEMS)结构。第一衬底位于第二衬底下面。第三衬底位于第二衬底上面。第一衬底、第二衬底和第三衬底至少部分地限定腔。第二衬底包括位于腔中并且位于第一衬底和第三衬底之间的可移动块。复合弹簧从第二衬底的外围区域延伸至可移动块。复合弹簧配置为将可移动块悬置在腔中。复合弹簧包括第一弹簧层和第二弹簧层，第一弹簧层包括第一晶体取向，第二弹簧层包括与第一晶体取向不同的第二晶体取向。本发明的实施例还涉及MEMS结构的形成方法、集成芯片。
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公开(公告)号：CN109205548A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201711269755.1
申请日：2017-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例涉及具有图案化的抗粘滞层的MEMS装置和形成的相关方法。MEMS装置具有限定第一接合表面的处理衬底和具有MEMS器件并且限定第二接合表面的MEMS衬底。在第一接合表面面向第二接合表面的情况下，通过接合界面将处理衬底接合至MEMS衬底。抗粘滞层布置在第一接合表面和第二接合表面之间，而没有位于接合界面上方。
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公开(公告)号：CN102556945B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201110122230.1
申请日：2011-05-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/98
CPC classification number: B81C1/00333 , B81B2207/07 , B81C1/00825 , B81C2201/053 , B81C2203/0109 , H01L2924/16235
Abstract: 本发明是有关于一种微电子装置的形成方法。此方法包含在第一基板上形成接合垫；在第一基板上形成接线垫；在第一基板上、接线垫的侧壁与顶面上以及在接合垫的侧壁形成保护层，以至少部分地暴露接合垫的顶面；借由接合垫接合第一基板与第二基板；打开第二基板，以暴露接线垫；以及移除保护层。
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公开(公告)号：CN102530851A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110082943.X
申请日：2011-04-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B32B7/12 , B32B15/043 , B32B15/20 , B32B2255/24 , B32B2307/746 , B32B2457/00 , B81B3/0005 , B81C2201/112 , Y10T428/12674 , Y10T428/12708 , Y10T428/12736 , Y10T428/12986
Abstract: 本发明公开了不含有抗粘附层的接合和接合方法。示例性的方法包括形成第一接合层；形成位于第一接合层上方的隔层；形成位于隔层上方的抗粘附层；以及从第一接合层和隔层形成液体，使得抗粘附层在所述第一接合层上方漂浮。当抗粘附层在第一接合层上方漂浮时可以将第二接合层接合到第一接合层，使得第一接合层和第二接合层之间的接合不包括抗粘附层。
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公开(公告)号：CN101776476A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910171636.1
申请日：2009-09-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01C19/56 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明是有关于一种回转仪感测系统、回转仪感测器及用于回转仪感测器的结构的制造方法。该回转仪感测器，包含一回转盘；第一光源配置用以提供第一光束，第一光束邻近于回转盘的第一边缘；以及第一光接收器配置用以接收第一光束，以感应回转盘在第一方向的振动。该回转仪感测系统包括，该回转仪感测器及一处理单元，与该回转仪感测器耦合，该处理单元能够控制该回转仪感测系统对应于该回转盘在该第一方向的该振动。该用于形成回转仪感测器结构的方法，包括：形成一回转盘，至少一第一光通道隔开该回转盘与一框，其中该至少一第一光通道提供一第一光束一路径，该第一光束被感应以决定该回转盘在一第一方向的一振动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114162777A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110991705.4
申请日：2021-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例针对包括引线键合阻尼器的微机电系统封装件。壳体结构位于支撑衬底上，并且微机电系统结构位于支撑衬底和壳体结构之间。微机电系统结构包括锚固件、弹簧和可移动块。弹簧从锚固件延伸到可移动块，以将可移动块悬挂在支撑衬底和壳体结构之间的腔体中并允许其移动。引线键合阻尼器位于可移动块上或可移动块周围的结构上。例如，引线键合阻尼器可以位于可移动块的顶面上。作为另一示例，引线键合阻尼器可以位于支撑衬底上，横向介于锚固件和可移动块之间。此外，引线键合阻尼器包括通过引线键合形成并且被配置为抑制对可移动块的冲击的引线。本发明的实施例还涉及用于形成微机电系统封装件的方法。
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公开(公告)号：CN110937568A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910890770.0
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种用于形成集成芯片的方法，集成芯片包含上覆于微机电系统(MEMS)衬底的外延层。方法包含将微机电系统衬底接合到载板衬底，微机电系统衬底包含单晶硅。在微机电系统衬底上方形成外延层，外延层具有比微机电系统衬底更高的掺杂浓度。在外延层上方形成多个接触件，多个接触件分别与外延层形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN106467288A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610609220.3
申请日：2016-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B3/0005 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/092 , B81C1/00269 , B81C1/00293 , B81C2201/112 , B81C2203/0145 , B81C2203/0785 , B81C2203/0792 , B81B7/0041 , B81C3/001
Abstract: 一种半导体结构包括：第一衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；第二衬底，设置在第一表面上方并包括第一器件和第二器件；第一覆盖结构，设置在第二衬底上方，并且包括延伸穿过第一覆盖结构到达第二器件的通孔；第一腔，环绕第一器件并通过第一覆盖结构和第一衬底限定；第二腔，环绕第二器件并通过第一覆盖结构和第一衬底限定；以及第二覆盖结构，设置在第一覆盖结构上方并覆盖通孔，其中，通过第二覆盖结构密封第二腔和通孔。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN104515737A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310689189.5
申请日：2013-12-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N21/05
CPC classification number: B01L3/502707 , B01J2219/00286 , B01J2219/00382 , B01J2219/00637 , B01L3/502715 , B01L2200/12 , B01L2300/0636 , B01L2300/0877 , B01L2300/0887 , B01L2300/0896 , B01L2300/12 , B32B37/30 , B32B2307/412 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了流通池和制造流通池的方法。该方法包括组合三个部分：第一衬底、第二衬底以及位于第一衬底和第二衬底之间的微流体流道，该微流体流道具有光刻胶干膜构成的壁。在第一衬底或第二衬底中形成有用于入口和出口的通孔。通过纳米压印光刻工艺将图案化的捕获点压印在第一衬底和第二衬底上。在其他实施例中，部分图案化的捕获点的选择性地粘附于表面化学物图案上，表面化学物图案由分别设置在软底层的露出部分上的氧化硅岛部形成。
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公开(公告)号：CN101742389A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910150287.5
申请日：2009-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 本发明是有关一种集成电路结构及其形成方法。该集成电路结构，包含一电容，该电容包含：一多晶硅所形成的第一电容板，包含一回应于一声波而振动的部分；及一第二电容板，围绕该第一电容板，且为固定并包含面向该第一电容板的倾斜边缘。该形成集成结构的方法，包含：提供一硅基板；形成一介电层于该硅基板上；形成一多晶硅区域于该介电层上；形成一多晶硅薄膜，其中该多晶硅薄膜由该多晶硅区域所围绕且不与该多晶硅区域电性连接；形成一自该硅基板的一下表面延伸至该多晶硅薄膜的开口；一第一金属电极，形成于该多晶硅区域上并邻接该多晶硅区域；形成一第一金属电极于该多晶硅区域上；以及形成一第二金属电极于该多晶硅薄膜上。本发明可以降低制造成本，降低制造周期，提高可靠性。
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