公开(公告)号：CN114914208A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210554142.7

申请日：2019-04-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈又维 ,  郭立中 ,  施应庆 ,  卢思维 ,  林俊成 ,  李隆华 ,  黄冠育

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体装置封装体及其制造方法。半导体装置封装体包括一封装体，封装体包括一封装基底、一集成电路芯片、一封胶层、一环形体以及一盖板。集成电路芯片形成于封装基底上方，而封胶层围绕该集成电路芯片，且露出集成电路芯片的一背表面。环形体形成于封装基底上，且围绕该集成电路芯片。盖板经由一热界面材料接合至集成电路芯片的露出的背表面。热界面材料被封胶层所围绕，且热界面材料于封装基底的一投影面积大于集成电路芯片于封装基底的一投影面积。

公开(公告)号：CN110660752A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910327240.5

申请日：2019-04-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈又维 ,  郭立中 ,  施应庆 ,  卢思维 ,  林俊成 ,  李隆华 ,  黄冠育

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L25/18

Abstract: 一种底胶结构及底胶结构的半导体装置的制造方法。半导体装置封装体包括一封装体，封装体包括一集成电路芯片；一中介层，经由多个芯片连接器接合至集成电路芯片；以及一封胶层，围绕集成电路芯片。半导体装置封装体还包括一封装基板，经由多个导电连接器接合至中介层；一第一底胶层，位于封装体与封装基板之间，第一底胶层具有第一热膨胀系数(CTE)；以及一第二底胶层，围绕第一底胶层，第二底胶层具有小于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数。

公开(公告)号：CN110473842A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201910384743.6

申请日：2019-05-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄冠育 ,  黄松辉 ,  许书嘉 ,  陈律任 ,  刘亦玮 ,  侯上勇 ,  赖瑞协 ,  陈琮瑜 ,  黄建元 ,  陈又维

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L25/07 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开提供一种芯片封装结构，其包含基板、第一芯片结构和第二芯片结构、保护层、第一抗翘曲凸块以及导电凸块。基板具有第一表面和与第一表面相反的第二表面，第一芯片结构和第二芯片结构设置在第一表面上，保护层在第一表面上并且围绕第一芯片结构和第二芯片结构，保护层的一部分位于第一芯片结构和第二芯片结构之间，第一抗翘曲凸块在第二表面上并且延伸穿过保护层的上述部分。导电凸块在第二表面上并且电连接到第一芯片结构或第二芯片结构，第一抗翘曲凸块比导电凸块宽。