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公开(公告)号：CN110473842A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910384743.6
申请日：2019-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/07 , H01L21/60
Abstract: 本公开提供一种芯片封装结构，其包含基板、第一芯片结构和第二芯片结构、保护层、第一抗翘曲凸块以及导电凸块。基板具有第一表面和与第一表面相反的第二表面，第一芯片结构和第二芯片结构设置在第一表面上，保护层在第一表面上并且围绕第一芯片结构和第二芯片结构，保护层的一部分位于第一芯片结构和第二芯片结构之间，第一抗翘曲凸块在第二表面上并且延伸穿过保护层的上述部分。导电凸块在第二表面上并且电连接到第一芯片结构或第二芯片结构，第一抗翘曲凸块比导电凸块宽。
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公开(公告)号：CN109216334A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201711348612.X
申请日：2017-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16
Abstract: 方法包括将电子管芯接合至光子管芯。光子管芯包括开口。该方法还包括将适配器附接至光子管芯，其中，该适配器的部分与电子管芯的部分处于相同的水平，形成穿透适配器的通孔，其中，该通孔与开口对准；以及将光学器件附接至适配器。该光学器件被配置为将光发射至光子管芯内或接收来自光子管芯的光。本发明实施例涉及一种光子封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN104051286B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201310288142.8
申请日：2013-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L25/065
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件、封装结构及它们的形成方法。一个实施例是半导体器件，该半导体器件包括位于第一衬底上方的第一光学器件；位于第一光学器件的顶面上的垂直波导；以及位于垂直波导上方的第二衬底。该半导体器件还包括：位于第二衬底的顶面上的透镜保护层，其中，透镜保护层与垂直波导对准；以及位于透镜保护层上方的第二光学器件。
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公开(公告)号：CN111354649B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201911336403.2
申请日：2019-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种封装结构与其形成方法。其方法包括在基材上形成一个或多个焊料元件。一个或多个焊料元件围绕基材的区域。其方法也包括在基材的区域上设置半导体晶粒结构。其方法还包括在基材的区域上分配含有聚合物的液体。一个或多个焊料元件限制含有聚合物的液体大抵在区域中。此外，其方法包括固化含有聚合物的液体以形成底部填充材料。
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公开(公告)号：CN111354649A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911336403.2
申请日：2019-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种封装结构与其形成方法。其方法包括在基材上形成一个或多个焊料元件。一个或多个焊料元件围绕基材的区域。其方法也包括在基材的区域上设置半导体晶粒结构。其方法还包括在基材的区域上分配含有聚合物的液体。一个或多个焊料元件限制含有聚合物的液体大抵在区域中。此外，其方法包括固化含有聚合物的液体以形成底部填充材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103972250B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310158698.5
申请日：2013-05-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/68
CPC classification number: G02B6/122 , B05D5/06 , G02B6/425 , G02B6/4298 , G02B2006/12102 , G02B2006/12173 , G03F7/0002 , Y10T428/24612
Abstract: 一些实施例涉及一种加工工件的方法。该工件包括具有第一润湿性系数的第一表面区域和具有第二润湿性系数的第二表面区域，第二润湿性系数不同于第一润湿性系数。在工件的第一表面区域和第二表面区域上分配对应于光学结构的液体，其中，由于第一润湿性系数和第二润湿性系数的差异，该液体与第二表面区域自对准。硬化自对准的液体以形成光学结构。本发明还提供了界面的润湿性差异产生的自对准。
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公开(公告)号：CN104051953A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310245216.X
申请日：2013-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01S5/026
CPC classification number: H01S5/0267 , G02B6/421 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01S5/02276 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/026 , H01S5/183 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的实施例，该半导体器件包括：位于第一衬底上方的光学器件；位于光学器件的顶面上的垂直波导，垂直波导具有第一折射率；以及位于垂直波导上方的覆盖层，覆盖层被配置成用于垂直波导的透镜并且覆盖层具有第二折射率。本发明还提供了光耦合器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN109216334B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201711348612.X
申请日：2017-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16
Abstract: 方法包括将电子管芯接合至光子管芯。光子管芯包括开口。该方法还包括将适配器附接至光子管芯，其中，该适配器的部分与电子管芯的部分处于相同的水平，形成穿透适配器的通孔，其中，该通孔与开口对准；以及将光学器件附接至适配器。该光学器件被配置为将光发射至光子管芯内或接收来自光子管芯的光。本发明实施例涉及一种光子封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN104051953B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201310245216.X
申请日：2013-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01S5/026
CPC classification number: H01S5/0267 , G02B6/421 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01S5/02276 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/026 , H01S5/183 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的实施例，该半导体器件包括：位于第一衬底上方的光学器件；位于光学器件的顶面上的垂直波导，垂直波导具有第一折射率；以及位于垂直波导上方的覆盖层，覆盖层被配置成用于垂直波导的透镜并且覆盖层具有第二折射率。本发明还提供了光耦合器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN104051286A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310288142.8
申请日：2013-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L25/065
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01S5/0268 , H01S5/026 , H01S5/0267
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件、封装结构及它们的形成方法。一个实施例是半导体器件，该半导体器件包括位于第一衬底上方的第一光学器件；位于第一光学器件的顶面上的垂直波导；以及位于垂直波导上方的第二衬底。该半导体器件还包括：位于第二衬底的顶面上的透镜保护层，其中，透镜保护层与垂直波导对准；以及位于透镜保护层上方的第二光学器件。
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