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公开(公告)号：CN108122983B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201710853045.7
申请日：2017-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 在用于形成晶体管的后栅极金属栅极工艺中，在中间晶体管结构上方形成介电层，中间晶体管结构包括伪栅电极，通常由多晶硅形成。诸如图案化多晶硅、平坦化结构的顶层等的各个工艺可以去除介电层的顶部，当形成代替伪栅电极的金属栅极时，这可以导致减少了对栅极高度的控制，减少了对用于FinFET的鳍高度的控制等。增加介电层对来自这些工艺攻击的抵抗力，诸如在实施这种其他的工艺之前通过将硅等注入至介电层内，导致了顶面的较少的去除，并且因此提高了对产生的结构尺寸和性能的控制。本发明实施例涉及用于制造多栅极晶体管的工艺和产生的结构。
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公开(公告)号：CN108122983A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710853045.7
申请日：2017-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 在用于形成晶体管的后栅极金属栅极工艺中，在中间晶体管结构上方形成介电层，中间晶体管结构包括伪栅电极，通常由多晶硅形成。诸如图案化多晶硅、平坦化结构的顶层等的各个工艺可以去除介电层的顶部，当形成代替伪栅电极的金属栅极时，这可以导致减少了对栅极高度的控制，减少了对用于FinFET的鳍高度的控制等。增加介电层对来自这些工艺攻击的抵抗力，诸如在实施这种其他的工艺之前通过将硅等注入至介电层内，导致了顶面的较少的去除，并且因此提高了对产生的结构尺寸和性能的控制。本发明实施例涉及用于制造多栅极晶体管的工艺和产生的结构。
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公开(公告)号：CN113471073B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202110178492.3
申请日：2021-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/308 , H01L21/48
Abstract: 本发明的实施例公开了一种集成电路图案化的方法包括：形成抗蚀剂图案，该抗蚀剂图案具有沿着第一方向纵向定向并且由抗蚀剂壁沿着第一方向和垂直于第一方向的第二方向两者分离的沟槽。该方法还包括：将抗蚀剂图案装载到离子注入机中，从而使抗蚀剂图案的顶面面向离子传播方向；以及将抗蚀剂图案倾斜，从而使离子传播方向相对于垂直于抗蚀剂图案的顶面的轴线形成倾斜角。该方法还包括：将抗蚀剂图案围绕轴线旋转到第一位置；在抗蚀剂图案处于第一位置的情况下将离子注入到抗蚀剂壁中；将抗蚀剂图案围绕轴线旋转180度到第二位置；以及在抗蚀剂图案处于第二位置的情况下将离子注入到抗蚀剂壁中。
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公开(公告)号：CN113471073A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110178492.3
申请日：2021-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/308 , H01L21/48
Abstract: 本发明的实施例公开了一种集成电路图案化的方法包括：形成抗蚀剂图案，该抗蚀剂图案具有沿着第一方向纵向定向并且由抗蚀剂壁沿着第一方向和垂直于第一方向的第二方向两者分离的沟槽。该方法还包括：将抗蚀剂图案装载到离子注入机中，从而使抗蚀剂图案的顶面面向离子传播方向；以及将抗蚀剂图案倾斜，从而使离子传播方向相对于垂直于抗蚀剂图案的顶面的轴线形成倾斜角。该方法还包括：将抗蚀剂图案围绕轴线旋转到第一位置；在抗蚀剂图案处于第一位置的情况下将离子注入到抗蚀剂壁中；将抗蚀剂图案围绕轴线旋转180度到第二位置；以及在抗蚀剂图案处于第二位置的情况下将离子注入到抗蚀剂壁中。
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公开(公告)号：CN109801967A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811241505.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/336 , H01L21/8234
Abstract: 提供半导体结构及其形成方法，半导体结构包含栅极结构、源极/漏极结构、第一接触插塞和第一通孔插塞。栅极结构位于鳍结构上方。源极/漏极结构位于鳍结构中，并与栅极结构相邻。第一接触插塞位于源极/漏极结构上方。第一通孔插塞位于第一接触插塞上方，第一通孔插塞包含第一组IV元素。
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