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公开(公告)号：CN112002785A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010941539.2
申请日：2020-09-09
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/028 , H01L31/0216 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种硅基微腔窄带近红外光电探测器，该探测器的结构为：以单晶硅衬底为基底；单晶硅衬底的上表面刻蚀为硅微孔阵列结构；在硅微孔阵列上设置有上绝缘层；在单晶硅衬底下表面转移有石墨烯薄膜，形成石墨烯-硅肖特基异质结；在石墨烯薄膜下表面依次设置有下绝缘层和金属反射层。本发明所制备的探测器实现了可见光盲的窄带近红外响应，具有响应速度快、易集成等优势，同时还具有制备方法简单、成本低、稳定性高、兼容性强等优点。
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公开(公告)号：CN116345978A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310422229.3
申请日：2023-04-19
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种开绕组初级分段式高速直线电机的驱动控制装置及方法，该驱动控制装置包括：奇数逆变器组、偶数逆变器组、奇数切换组、偶数切换组、两组电流检测单元、位置检测单元、主控单元；该高速直线电机的初级由多组电枢段构成，每个电枢段的中性点打开，两侧分别连接一个驱动逆变器；当高速动子在段间运行时，所有逆变器均投入工作；采用准谐振控制器，根据理想谐振控制器在谐振频率点处的增益为无穷大的原理，对电枢的三相电流信号进行跟踪控制，并在准谐振控制器内加上比例环节，令相邻段电枢电流保持实时的高度一致性，以实现分段直线电机的段间平稳运行。
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公开(公告)号：CN112002785B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202010941539.2
申请日：2020-09-09
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/028 , H01L31/0216 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种硅基微腔窄带近红外光电探测器，该探测器的结构为：以单晶硅衬底为基底；单晶硅衬底的上表面刻蚀为硅微孔阵列结构；在硅微孔阵列上设置有上绝缘层；在单晶硅衬底下表面转移有石墨烯薄膜，形成石墨烯‑硅肖特基异质结；在石墨烯薄膜下表面依次设置有下绝缘层和金属反射层。本发明所制备的探测器实现了可见光盲的窄带近红外响应，具有响应速度快、易集成等优势，同时还具有制备方法简单、成本低、稳定性高、兼容性强等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112002781A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010931651.8
申请日：2020-09-08
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硅兼容双极性异质结紫外-近红外双波段光电探测器及其制备方法，该探测器的结构为：在单晶硅衬底的上、下表面皆设置有SiO2绝缘层；在各层SiO2绝缘层的中心皆形成一盲孔；在上层盲孔内沉积有二维2H-MoSe2材料，在下层盲孔内沉积有二维1T-WS2材料，两种材料与单晶硅衬底形成2H-MoSe2/Si/1T-WS2双极性异质结；上层二维2H-MoSe2材料和下层二维1T-WS2材料外表面分别设置有顶电极和底电极。本发明所制备的探测器具有在紫外和近红外双波段的窄带响应，且响应速度快、易集成。
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公开(公告)号：CN117081432A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311148358.4
申请日：2023-09-07
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H02P5/50 , H02P4/00 , H02P23/14 , H02P23/12 , H02P25/064
Abstract: 本发明公开了一种基于多源参考电流的多动子直线电机同步控制系统及方法，该系统包括：扰动观测补偿单元、同步误差补偿单元、跟踪误差补偿单元、多源参考电流合成单元和定向自组织处理单元；其中，扰动观测补偿单元计算各动子的扰动补偿电流信号；跟踪误差补偿单元获取跟踪误差补偿信号；同步误差补偿单元计算各动子同步误差补偿信号；多源参考电流合成单元根据扰动补偿电流信号、跟踪误差补偿信号和同步误差补偿信号计算各动子多源参考电流；定向自组织处理单元根据各动子多源参考电流、实际电流和运动方程计算各动子电压控制律。本发明能有效提高系统的抗扰动性能，实现系统跟踪性能和同步性能的解耦分离与控制，并能提高系统控制的灵活性。
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公开(公告)号：CN112002784B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202010941530.1
申请日：2020-09-09
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0352 , H01L31/028
Abstract: 本发明公开了一种自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器，该探测器的结构为：以单晶硅衬底为基底，单晶硅衬底的上表面刻蚀为硅微孔阵列结构；在单晶硅衬底的下表面转移有一层石墨烯薄膜，形成硅‑石墨烯肖特基结；在石墨烯薄膜的下表面设置有量子点层。本发明的光电探测器具有自驱动、可见光盲、近红外窄带响应、响应速度快等优势，同时还具有兼容性强、稳定性高、易制备、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN112002781B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010931651.8
申请日：2020-09-08
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硅兼容双极性异质结紫外‑近红外双波段光电探测器及其制备方法，该探测器的结构为：在单晶硅衬底的上、下表面皆设置有SiO2绝缘层；在各层SiO2绝缘层的中心皆形成一盲孔；在上层盲孔内沉积有二维2H‑MoSe2材料，在下层盲孔内沉积有二维1T‑WS2材料，两种材料与单晶硅衬底形成2H‑MoSe2/Si/1T‑WS2双极性异质结；上层二维2H‑MoSe2材料和下层二维1T‑WS2材料外表面分别设置有顶电极和底电极。本发明所制备的探测器具有在紫外和近红外双波段的窄带响应，且响应速度快、易集成。
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公开(公告)号：CN112002784A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010941530.1
申请日：2020-09-09
Applicant: 合肥工业大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0352 , H01L31/028
Abstract: 本发明公开了一种自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器，该探测器的结构为：以单晶硅衬底为基底，单晶硅衬底的上表面刻蚀为硅微孔阵列结构；在单晶硅衬底的下表面转移有一层石墨烯薄膜，形成硅-石墨烯肖特基结；在石墨烯薄膜的下表面设置有量子点层。本发明的光电探测器具有自驱动、可见光盲、近红外窄带响应、响应速度快等优势，同时还具有兼容性强、稳定性高、易制备、成本低等优点。
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