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公开(公告)号：CN114355507B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210086692.0
申请日：2022-01-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于倒脊型二氧化硅/聚合物混合波导的微环谐振器及其制备方法，属于倒脊型二氧化硅/聚合物混合波导集成芯片制备技术领域。从下至上由Si衬底、SiO2下包层、条形聚合物芯层和聚合物平板层组成；条形聚合物芯层由微环谐振部分和耦合部分组成；微环谐振部分由第一弯曲波导、第一直波导、第二弯曲波导和第二直波导顺次连接组成，为跑道型微环结构；耦合部分由输入直波导、第三直波导和输出直波导顺次连接组成，第二直波导和第三直波导构成定向耦合器。本发明的微环谐振器具有损耗低、结构紧凑、制备工艺简单、成本低等优点，在光网络中可以用于制备开关、滤波器、调制器，在传感领域实现
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公开(公告)号：CN116027486A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211578509.5
申请日：2022-12-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于二氧化硅/聚合物混合波导的多模干涉器级联光开关及其制备方法，属于二氧化硅/聚合物混合波导光集成芯片技术领域。由Si衬底、SiO2下包层、聚合物芯层、聚合物上包层和金属电极组成，聚合物芯层被包覆在聚合物上包层之中；沿光的传输方向，聚合物芯层由输入直波导、1×4多模干涉器、4个输入S弯曲波导、2个输入移相器、4个调制臂波导、2个输出移相器、4个输出S弯曲波导、4×4多模干涉器、4个输出直波导组成；当对金属电极施加调制电压时，可以使信号光从四个输出直波导分别输出，实现四个通道的开关功能。本发明的1×4热光开关实现了4个通道的自由切换，相比传统的1×2和2×2开关端口更加灵活、结构更加紧凑。
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公开(公告)号：CN113866875A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111169538.1
申请日：2021-10-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种带有损耗补偿功能的光栅层间耦合器及其制备方法，属于层间耦合器技术领域。由硅衬底、第一SiO2埋氧层、第一金属反射镜、第二SiO2埋氧层、硅层、SiO2隔离层、第一聚合物包层、铒镱共掺聚合物层、第二聚合物包层和第二金属反射镜构成；硅层由第一硅波导、硅光栅、第二硅波导组成；铒镱共掺聚合物层由铒镱共掺聚合物波导、铒镱共掺聚合物光栅和铒镱共掺聚合物光波导放大器组成；硅光栅及铒镱共掺聚合物光栅的单个光栅单元类似“台阶”结构。该器件分别将硅基光栅耦合器和聚合物光栅耦合器分别置于两层，实现了硅基、聚合物光子回路的三维混合集成，实现了结构紧凑、高效的光栅层间耦合，在三维光子集成领域具有很强的应用潜力。
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公开(公告)号：CN113625392A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110906473.8
申请日：2021-08-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于有机无机混合集成的4×4光开关阵列，属于光通信。沿光的传播方向，由第I、第II、第III、第IV和第V组2×2光开关单元组成；每个2×2光开关单元由前、后两个耦合区和中间连接的两根长度为L的直波导构成，其中一根直波导作为调制臂，通过改变调制臂的温度使两根直波导间产生温度差，从而使波导内部传输光的相位发生改变。从下至上，是由Si衬底、带有矩形凹槽型结构的SiO2下包层、填充在矩形凹槽内的SU‑8 2002波导芯层、PMMA上包层组成。该4×4开关阵列可以通过对于不同调制臂的调制实现每个输入端口到每个输出端口的通光，且工作在各状态下的损耗均为0.07dB以下。
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公开(公告)号：CN113296292A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110526977.7
申请日：2021-05-14
Applicant: 吉林大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 一种有机无机混合集成的垂直多模干涉器结构的聚合物可变光衰减器及其制备方法属于聚合物光波导可变光衰减器技术领域。由硅衬底，在衬底上制备的二氧化硅下包层，在二氧化硅下包层上沿光的传播方向制备的二氧化硅输入波导单元、聚合物芯层波导单元和二氧化硅输出波导单元，位于二氧化硅下包层之上且包覆二氧化硅输入波导单元和二氧化硅输出波导单元的二氧化硅上包层，位于二氧化硅上包层和聚合物芯层波导单元之上的聚合物包层，位于聚合物包层之上的金属调制电极组成。该可变光衰减器结构紧凑，功耗低，响应速度快，消光比大等优点，可用于光通信中的WDM系统中，起到功率均衡的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119846863A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510139201.8
申请日：2025-02-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种硅基和铁电材料异质集成的电光调制器，属于光学调制器技术领域。从下至上依次由硅基衬底、下包层、光波导芯层、上包层组成，光波导芯层为基于贝塞尔形多模干涉耦合器的MZI型结构，由上光波导芯层和下光波导芯层构成；上光波导芯层和下光波导芯层均被包覆在上包层之中，上光波导芯层和下光波导芯层之间由上包层分隔开；本发明使用锆钛酸铅、镧修饰锆钛酸铅、钛酸钡等铁电材料作为上光波导芯层，使用较高折射率的氮化硅、硅作为下光波导芯层，不但有益于降低驱动电压和实现多功能、低功耗、大规模集成的光子器件，而且器件制备工艺简单，结构紧凑，可以在较大的带宽下获得较小的器件尺寸和较低的额外损耗。
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公开(公告)号：CN118112862A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410350011.6
申请日：2024-03-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于2×2微环开关阵列的光逻辑器件，属于光学逻辑计算领域。从下至上由Si衬底、SiO2下包层、Si芯层、SiO2上包层和金属电极组成；Si芯层由4个带硅基电光调制器的微环和4条直波导按照CrossBar架构构成的2×2开关阵列，4条直波导两横两纵垂直交叉设置形成四个交叉点，4个微环分别放置在四个交叉点的左上方，与2条垂直的直波导分别都留有一段相同的耦合距离，在耦合处形成8个耦合区域。通过金属电极将电信号施加在各个微环上对其进行调制，从而实现光逻辑开关功能。本发明利用光子器件实现逻辑运算，有着较低的功耗，制备的光逻辑器件可以在不同的输出端口实现多种逻辑运算，结构简单，易于设计和拓展。
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公开(公告)号：CN113866875B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202111169538.1
申请日：2021-10-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种带有损耗补偿功能的光栅层间耦合器及其制备方法，属于层间耦合器技术领域。由硅衬底、第一SiO2埋氧层、第一金属反射镜、第二SiO2埋氧层、硅层、SiO2隔离层、第一聚合物包层、铒镱共掺聚合物层、第二聚合物包层和第二金属反射镜构成；硅层由第一硅波导、硅光栅、第二硅波导组成；铒镱共掺聚合物层由铒镱共掺聚合物波导、铒镱共掺聚合物光栅和铒镱共掺聚合物光波导放大器组成；硅光栅及铒镱共掺聚合物光栅的单个光栅单元类似“台阶”结构。该器件分别将硅基光栅耦合器和聚合物光栅耦合器分别置于两层，实现了硅基、聚合物光子回路的三维混合集成，实现了结构紧凑、高效的光栅层间耦合，在三维光子集成领域具有很强的应用潜力。
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公开(公告)号：CN116482523A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310218615.0
申请日：2023-03-09
Applicant: 吉林大学
IPC: G01R31/327 , G01M11/02
Abstract: 本发明提供了一种用于Benes架构的片上大规模光开关阵列的标定方法，首先选定目标路径；然后判断串扰路径并将串扰路径带来的影响降至最低；然后扫描目标路径经过的下一级目标开关的电压，找出其中使输出端探测到光强最强的电压并维持在这个电压；维持目标路径上所有前级开关的路径所需的开关状态，扫描该级目标开关，得到结果；最后更换光路连接，重复相关步骤，完成对所有开关的标定；本方法测试结果准确可靠，也使得Benes架构的片上大规模光开关阵列的工作性能整体提升，工作状态更加稳定，可扩展应用到各个规模的Benes架构的片上大规模光开关阵列的测试之中，为光电封装测试提供基础方案，在光电互联信息交换网络中，具有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115826317A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211578521.6
申请日：2022-12-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于二氧化硅/聚合物混合波导的1×2热光开关及其制备方法，属于二氧化硅/聚合物混合波导光集成芯片技术领域。由Si衬底、SiO2下包层、聚合物芯层、聚合物上包层和电极组成；聚合物芯层被包覆于聚合物上包层之中，聚合物芯层由输入波导、1×2的3dB多模干涉器、第一输入S弯曲波导、第二输入S弯曲波导、第一调制臂波导、第二调制臂波导、第一输出S弯曲波导、第二输出S弯曲波导、2×2的3dB多模干涉器、第一输出波导和第二输出波导组成；第一调制臂波导和第二调制臂波导相互平行，当对第一调制臂波导或第二调制臂波导之上的电极施加调制电压时，信号光从第一输出波导或第二输出波导输出，从而实现光开关功能。
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