一种低反射率COB封装结构

    公开(公告)号:CN113013149B

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202110213172.7

    申请日:2021-02-26

    Abstract: 本发明公开了一种低反射率COB封装结构,包括底座,所述底座上安装有电路板,且电路板的表面安装有LED芯片,所述底座的正上方设置有密封套,且密封套的表面固定连接有防护玻璃,所述底座的表面安装有多个卡块,且卡块分别固定连接在底座的每条边的中部,所述卡块的横截面为“L”型结构,且卡块内活动设置有限位斜板,所述密封套的表面固定安装有多个卡板,且卡板与卡块一一对应设置。该种低反射率COB封装结构,采用表面图设有涂层的防护玻璃,透光性好、耐候性好,大大增加照明亮度,并且成本低,虽制作工艺简单、成本低,但是表面的光纤减反射涂层能有效的降低透光率、功率增加量不高,同样芯片面积、同样基板尺寸条件下。

    一种提高LED芯片提取效率的方法

    公开(公告)号:CN113036006B

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202110232484.2

    申请日:2021-03-03

    Abstract: 本发明公开了一种提高LED芯片提取效率的方法,包括以下步骤:步骤一、将LED芯片放置在浸泡箱内部,并将腐蚀剂适量添加到浸泡箱内,浸泡箱内的加热管对腐蚀剂加热5‑10分钟,待浸泡箱内的温度降至常温时,将LED芯片取出备用;步骤二、将云母粉、氧化锡粉和锑粉按照1:1:1的比例放置在立式搅拌箱内;在对LED芯片进行加工时,将云母粉、氧化锡粉和锑粉混合得到混合物a,再将溶剂与混合物a混合得到混合物b将LED芯片浸泡在混合物b中,并对浸泡时的温度和时间进行控制,氧化锡具有较高的导电性和稳定性,与锑粉混合后,大大提高电导性,且再与云母粉混合,大大提高了LED芯片的耐高温性能,从而大大提高LED芯片的提取效率。

    一种提高LED芯片提取效率的方法

    公开(公告)号:CN113036006A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110232484.2

    申请日:2021-03-03

    Abstract: 本发明公开了一种提高LED芯片提取效率的方法,包括以下步骤:步骤一、将LED芯片放置在浸泡箱内部,并将腐蚀剂适量添加到浸泡箱内,浸泡箱内的加热管对腐蚀剂加热5‑10分钟,待浸泡箱内的温度降至常温时,将LED芯片取出备用;步骤二、将云母粉、氧化锡粉和锑粉按照1:1:1的比例放置在立式搅拌箱内;在对LED芯片进行加工时,将云母粉、氧化锡粉和锑粉混合得到混合物a,再将溶剂与混合物a混合得到混合物b将LED芯片浸泡在混合物b中,并对浸泡时的温度和时间进行控制,氧化锡具有较高的导电性和稳定性,与锑粉混合后,大大提高电导性,且再与云母粉混合,大大提高了LED芯片的耐高温性能,从而大大提高LED芯片的提取效率。

    一种双面厚膜COB光源
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112923246A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202110202364.8

    申请日:2021-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种双面厚膜COB光源,包括底座和COB光源板,所述COB光源板设置的底座上,且底座上开设有固定槽,所述COB光源板的两端分别固定连接有卡板,所述底座的两侧分别开设有安装槽,且安装槽与固定槽连通,所述固定槽的两侧分别设有滑槽,且滑槽开设在底座的表面,所述滑槽内分别滑动连接有推板,且推板上固定连接有推块。该种双面厚膜COB光源,通过在底座的表面设置活动的COB光源板,增加COB光源板的灵活性,使其能在固定槽内安装和拆卸,并且将固定装置设置的底座上,能使底座稳定配合多个不同的COB光源板的安装和固定,以便于根据不同需求更换不同的COB光源,在底座的底部设置了散热孔,在COB光源板使用的时候,增加了散热的效果。

    一种SiC芯片的固晶方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110137094B

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN201910411326.6

    申请日:2019-05-17

    Abstract: 本发明涉及一种SiC芯片的固晶方法,属于功率半导体封装技术领域该固晶方法的具体步骤为,A、将DBC板上贴装SiC芯片的位置的铜层设计为条纹状,条纹状的铜层的长度大于SiC芯片的长度;B、利用超声波清洗机对DBC表面进行清洗;C、将DBC板表面不需要电镀的部分使用绝缘材料进行保护,将DBC板与SiC芯片放入电镀槽内进行电镀,电镀溶液为氨基磺酸盐镀镍溶液;D、将电镀完成的DBC板和SiC芯片进行清洗、干燥;该方法经过电镀镍层6实现SiC芯片2的固晶,其剪切力良好,热阻低,相比纳米银焊膏的方法,具有成本低,反应温度低的优点。

    一种GaN倒装芯片的焊接方法

    公开(公告)号:CN110233110A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201910461458.X

    申请日:2019-05-30

    Abstract: 本发明涉及一种GaN倒装芯片的焊接方法,该方法的具体步骤包括,A、减少基板在化学镀镍钯浸金过程中Ni层厚度;B、在倒装芯片上植入第一层的锡球或者铜柱;C、在倒装芯片上的第一层的锡球或铜柱上使用点胶的方式涂抹助焊剂,利用真空吸附治具吸附第二层的锡球,将第二层的锡球放置在第一层的锡球或铜柱的助焊剂上,助焊剂将两层锡球或锡球与铜柱粘结,第二层的锡球的成分为SnAgCu;D、将粘结第二层的锡球的倒装芯片贴装在基板上,放入真空回流焊中进行焊接,该方法使倒装芯片的焊锡球与基板之间的焊接更为牢固,有效的避免了锡球与基板之间断裂情况的发生。

    一种SiC-MOSFET模块的驱动方法

    公开(公告)号:CN113037261A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110252881.6

    申请日:2021-03-09

    Abstract: 本发明公开了一种SiC‑MOSFET模块的驱动方法,包括以下步骤:检测采样,使用电压检测设备对电阻两端的实时电压进行检测,根据实时电压对栅极驱动电路进行调节;再将实时电压V‑s分别与参考电压V‑ref、V‑shut1或V‑shut2进行依次比较,将比较结果输入至信息发送装置中;该一种SiC‑MOSFET模块的驱动方法,通过在驱动方法中设置检测采样、存储计算、互补判断、时序判断、芯片控制、故障判断、脉冲生成七个步骤,使内外管发生故障时,不需要先关断外管、后关断内管才能保证SiC‑Mosfet在短路耐受时间内关断;通过对控制芯片的有效使用,使分级关断策略的效率被提升。

    一种低反射率COB封装结构

    公开(公告)号:CN113013149A

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN202110213172.7

    申请日:2021-02-26

    Abstract: 本发明公开了一种低反射率COB封装结构,包括底座,所述底座上安装有电路板,且电路板的表面安装有LED芯片,所述底座的正上方设置有密封套,且密封套的表面固定连接有防护玻璃,所述底座的表面安装有多个卡块,且卡块分别固定连接在底座的每条边的中部,所述卡块的横截面为“L”型结构,且卡块内活动设置有限位斜板,所述密封套的表面固定安装有多个卡板,且卡板与卡块一一对应设置。该种低反射率COB封装结构,采用表面图设有涂层的防护玻璃,透光性好、耐候性好,大大增加照明亮度,并且成本低,虽制作工艺简单、成本低,但是表面的光纤减反射涂层能有效的降低透光率、功率增加量不高,同样芯片面积、同样基板尺寸条件下。

    基于智慧灯杆的垃圾桶溢满检测系统

    公开(公告)号:CN113003042A

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN202110252827.1

    申请日:2021-03-09

    Abstract: 本发明公开了基于智慧灯杆的垃圾桶溢满检测系统,包括控制终端、清洁模块、清洗单元、烘干单元、灯杆模块、红外线检测单元、垃圾桶模块、红外线发射单元、溢出垃圾收集模块、垃圾收集单元、排水单元、垃圾桶环境监控模块、显示单元、监控单元、垃圾除臭模块、净化单元、垃圾溢出警报模块、警报单元、位置确定模块和定位单元,所述显示单元与所述垃圾桶环境监控模块交互连接,本发明通过溢出垃圾收集模块,在垃圾桶发生溢满的情况后,对溢出的垃圾进行及时收集,避免溢出的垃圾掉落在地面,对周围环境进行保护,同时通过垃圾桶环境监控模块便于对垃圾桶周围的环境进行监控,使得对垃圾桶溢满的情况进行精准确认,利于垃圾桶的溢满检测使用。

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