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公开(公告)号：CN118241197B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202410343625.1
申请日：2024-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种熔盐法在鳞片石墨表面制备碳化物镀层的方法，涉及一种在鳞片石墨表面制备碳化物镀层的方法。为了解决现有的在鳞片石墨表面镀覆碳化物涂层的方法存在碳化物涂层较厚，覆盖度较低、厚度不均匀、厚度无法调控等问题。本发明湿混控制鳞片石墨表面镀层金属含量及分布，在高温熔盐环境中进行反应，最终可以在鳞片石墨表面制备出具有覆盖度高、厚度薄、分布均匀、形貌可调节的纳米级碳化物层，实现了镀层在鳞片石墨表面平整及缺陷处的全覆盖。可以通过调整工艺参数如金属含量、镀覆时间、镀覆温度等实现对镀层厚度的调节，从而满足高导热鳞片石墨增强金属基复合材料增强体需要。
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公开(公告)号：CN118241071B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410343601.6
申请日：2024-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高导热鳞片石墨/铜复合材料的制备方法，涉及一种鳞片石墨/铜复合材料的制备方法。为了解决现有的铜和鳞片石墨之间存在化学惰性且润湿性较差、以及鳞片石墨的定向排列困难的问题。本发明首先将鳞片石墨预处理，然后通过熔盐法在鳞片石墨表面镀覆纳米级碳化铬镀层，以液相挤压的方式获得高取向性鳞片石墨预制体，最后通过气压浸渗的方式制备出具有高致密度高取向性的鳞片石墨/铜复合材料，制备出的复合材料具有高取向性、高致密度、高热导率及低密度的特点，可以满足电子器件中散热材料的性能需求。
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公开(公告)号：CN119263828A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411683718.5
申请日：2024-11-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了降低复合材料热膨胀系数的焦钒酸铜基增强体及其制备方法，涉及焦钒酸铜基增强体及其制备方法。为了解决现有的焦钒酸铜基增强体β‑Cu2V2O7负热膨胀性能较差且不具有零膨胀性的问题。本发明降低复合材料热膨胀系数的焦钒酸铜基增强体为β‑Cu2‑xBaxV2O7，0＜x≤0.2；β‑Cu2‑xBaxV2O7为零膨胀陶瓷。本发明另一种降低复合材料热膨胀系数的焦钒酸铜基增强体为β‑Cu2‑xMnxV2O7，0＜x＜2；β‑Cu2‑xMnxV2O7为负热膨胀材料。本发明通过固相烧结即可制备β‑Cu2‑xBaxV2O7固溶体，制备工艺简单、单次能够实现大量产物的烧结、无有害气体释出。为通过固相烧结配合快速冷却，成功实现β‑Cu2‑xBaxV2O7固溶体的制备，为其批量合成提供了更加简洁、高效的技术手段。制备出的样品力学性能较β‑Cu2V2O7大幅度提升，具备独立作为结构件使用的潜力。
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公开(公告)号：CN118241197A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410343625.1
申请日：2024-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种熔盐法在鳞片石墨表面制备碳化物镀层的方法，涉及一种在鳞片石墨表面制备碳化物镀层的方法。为了解决现有的在鳞片石墨表面镀覆碳化物涂层的方法存在碳化物涂层较厚，覆盖度较低、厚度不均匀、厚度无法调控等问题。本发明湿混控制鳞片石墨表面镀层金属含量及分布，在高温熔盐环境中进行反应，最终可以在鳞片石墨表面制备出具有覆盖度高、厚度薄、分布均匀、形貌可调节的纳米级碳化物层，实现了镀层在鳞片石墨表面平整及缺陷处的全覆盖。可以通过调整工艺参数如金属含量、镀覆时间、镀覆温度等实现对镀层厚度的调节，从而满足高导热鳞片石墨增强金属基复合材料增强体需要。
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公开(公告)号：CN118241071A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410343601.6
申请日：2024-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高导热鳞片石墨/铜复合材料的制备方法，涉及一种鳞片石墨/铜复合材料的制备方法。为了解决现有的铜和鳞片石墨之间存在化学惰性且润湿性较差、以及鳞片石墨的定向排列困难的问题。本发明首先将鳞片石墨预处理，然后通过熔盐法在鳞片石墨表面镀覆纳米级碳化铬镀层，以液相挤压的方式获得高取向性鳞片石墨预制体，最后通过气压浸渗的方式制备出具有高致密度高取向性的鳞片石墨/铜复合材料，制备出的复合材料具有高取向性、高致密度、高热导率及低密度的特点，可以满足电子器件中散热材料的性能需求。
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