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公开(公告)号：CN102618930A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210093222.3
申请日：2012-03-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种AlN晶体的制备方法，它涉及一种晶体的制备方法。本发明要解决现有采用PVT法制备AlN单晶的方法中，异质籽晶与AlN晶体的晶格失配较大，得到AlN晶体缺陷密度高的问题。方法：一、将AlN粉末置于坩埚中、将籽晶固定在坩埚顶部，在氮气气氛下，升温至1800～2000℃，保温1～5小时；二、将预烧结后的AlN粉末在氮气气氛中加热升温至2150～2300℃，保温反应8～20小时，降至室温。零微管SiC作为异质籽晶，可以降低AlN晶体的缺陷密度，同时由于偏角度SiC籽晶偏离面一定角度，缺陷遗传的几率也将显著降低，从而最终减少缺陷对器件性能的不利影响。本发明的AlN晶体用于半导体器件。
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公开(公告)号：CN103072958A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310038747.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/00
Abstract: 锰基反钙钛矿型氮化物的制备方法，它涉及反钙钛矿型氮化物的制备方法。它要解决现有反钙钛矿型氮化物制备方法反应时间长，制备方法较复杂的问题。制备方法：一、碱金属氮化物、锰粉与金属单质粉磨碎混合，压制成片；二、混合料压片放入反应容器中，在氮气的保护下微波加热，或者将混合料压片放入反应容器中，再将反应容器放入石英管中，石英管抽真空后充入氮气，包裹上加热介质，微波加热得到反应物；三、反应物取出放入去离子水中浸泡，干燥后得到锰基反钙钛矿型氮化物。本发明的制备方法简单，成本低廉，微波加热功率为800W时，仅需10～30分钟即可快速合成锰基反钙钛矿型氮化物。本发明主要应用于锰基反钙钛矿型氮化物的合成。
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公开(公告)号：CN102618930B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210093222.3
申请日：2012-03-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种AlN晶体的制备方法，它涉及一种晶体的制备方法。本发明要解决现有采用PVT法制备AlN单晶的方法中，异质籽晶与AlN晶体的晶格失配较大，得到AlN晶体缺陷密度高的问题。方法：一、将AlN粉末置于坩埚中、将籽晶固定在坩埚顶部，在氮气气氛下，升温至1800～2000℃，保温1～5小时；二、将预烧结后的AlN粉末在氮气气氛中加热升温至2150～2300℃，保温反应8～20小时，降至室温。零微管SiC作为异质籽晶，可以降低AlN晶体的缺陷密度，同时由于偏角度SiC籽晶偏离面一定角度，缺陷遗传的几率也将显著降低，从而最终减少缺陷对器件性能的不利影响。本发明的AlN晶体用于半导体器件。
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公开(公告)号：CN102586879A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210074358.X
申请日：2012-03-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于AlN晶体生长的图形化衬底，涉及一种用于AlN晶体生长的图形化衬底。解决现有采用籽晶制备大尺寸AlN晶体的方法中，AlN籽晶成本高，SiC籽晶高温易分解影响AlN晶体质量的问题。图形化衬底是在衬底上嵌入均匀排布的图形单元，图形单元的形状为正六棱台，边长为a2的上底面在衬底表面所在的平面上，下底面的边长为a1，图形单元的高度为c1，其中，a1＝n1a，c1＝n1c，a2＝n2a1，a和c为六方AlN晶体的晶胞参数，0＜n1≤15×107，1＜n2≤3。图形化衬底的制备工艺简单。生长出的AlN晶体具有直径尺寸大，缺陷密度低的优点。
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