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公开(公告)号：CN109119539A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810857198.3
申请日：2018-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明公开一种硅纳米线/PEDOT:PSS-DMSO有机无机杂化太阳电池及其制备方法，该制备方法包括单面抛光硅片的清洗、银纳米颗粒的沉积、刻蚀、DMSO掺杂对PEDOT:PSS层的制备、正面银栅电极的制备和背面铝电极的制备。本发明通过DMSO掺杂对PEDOT:PSS层的制备，改善了硅纳米线/PEDOT:PSS有机无机杂化太阳电池成膜后的形态，使内部漏电流增加，从而导致内部电阻的减小，进而提高硅太阳能电池光电转化效率。
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公开(公告)号：CN103311386A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310206973.6
申请日：2013-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种图形化蓝宝石衬底的制备方法，包括如下几个步骤：步骤A:在蓝宝石基片的一个面上磁控溅射金属铝膜；步骤B:在金属铝膜上施涂光刻胶膜，烘干;步骤C:进行激光干涉曝光、显影，获得光刻胶图形；步骤D:以金属铝膜上图形化光刻胶为掩膜，采用反应离子刻蚀金属铝膜和去胶，在蓝宝石基片上获得金属铝膜凸台的图形化金属铝膜；步骤E:进行低温热处理，使图形化金属铝膜充分氧化成为图形化多晶Al2O3膜;步骤F:将得到的图形化多晶Al2O3膜进行高温热处理，使图形化多晶Al2O3膜完全转化为图形化单晶Al2O3膜，即得到图形化蓝宝石衬底。本发明的图形化蓝宝石衬底的制备方法，工艺简单易行，成本低，面积大。
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公开(公告)号：CN102618930A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210093222.3
申请日：2012-03-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种AlN晶体的制备方法，它涉及一种晶体的制备方法。本发明要解决现有采用PVT法制备AlN单晶的方法中，异质籽晶与AlN晶体的晶格失配较大，得到AlN晶体缺陷密度高的问题。方法：一、将AlN粉末置于坩埚中、将籽晶固定在坩埚顶部，在氮气气氛下，升温至1800～2000℃，保温1～5小时；二、将预烧结后的AlN粉末在氮气气氛中加热升温至2150～2300℃，保温反应8～20小时，降至室温。零微管SiC作为异质籽晶，可以降低AlN晶体的缺陷密度，同时由于偏角度SiC籽晶偏离面一定角度，缺陷遗传的几率也将显著降低，从而最终减少缺陷对器件性能的不利影响。本发明的AlN晶体用于半导体器件。
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公开(公告)号：CN109119513A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810857372.4
申请日：2018-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: H01L31/20 , H01L31/0745 , B82Y40/00 , B82Y20/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开一种硅纳米线/硅薄膜异质结太阳电池及其制备方法，其制备方法包括清洗n型单面抛光硅片、刻蚀硅纳米线阵列、沉积氢化非晶硅薄膜、溅射AZO薄膜、蒸镀铝背电极、涂抹银前电极，从而获得基本结构：AZO/p-a-Si/i-a-Si/n-c-Si/Al的硅纳米线/硅薄膜异质结太阳电池。本发明提出了这种采用等离子体化学气相沉积技术，处理过程简单方便，低温耗能低，并且使用了磁控溅射设备掺杂，提高传导和收集光生载流子，进一步制备了硅纳米线阵列电池器件。
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公开(公告)号：CN103311386B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201310206973.6
申请日：2013-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种避免图形失真的图形化蓝宝石衬底的制备方法，包括如下几个步骤：步骤A:在蓝宝石基片的一个面上磁控溅射金属铝膜；步骤B:在金属铝膜上施涂光刻胶膜，烘干;步骤C:进行激光干涉曝光、显影，获得光刻胶图形；步骤D:以金属铝膜上图形化光刻胶为掩膜，采用反应离子刻蚀金属铝膜和去胶，在蓝宝石基片上获得金属铝膜凸台的图形化金属铝膜；步骤E:进行低温热处理，使图形化金属铝膜充分氧化成为图形化多晶Al2O3膜;步骤F:将得到的图形化多晶Al2O3膜进行高温热处理，使图形化多晶Al2O3膜完全转化为图形化单晶Al2O3膜，即得到图形化蓝宝石衬底。本发明的图形化蓝宝石衬底的制备方法，工艺简单易行，成本低，面积大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103337575A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310272318.0
申请日：2013-07-01
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种高效率、低成本、大面积图形化蓝宝石衬底的制备方法，包括如下几个步骤：步骤A:在光栅结构图形硬模板上旋涂甲苯稀释的PDMS；步骤B:在甲苯稀释的PDMS上涂覆PDMS预聚物;步骤C:脱模，获得PDMS软压印模板；步骤D:在蓝宝石基片的一个面上磁控溅射金属铝膜；步骤E:脱模，获得紫外固化胶图形;步骤F:以金属铝膜上图形化紫外固化胶为掩膜；步骤G:进行低温热处理，使图形化金属铝膜充分氧化成为图形化多晶Al2O3膜;步骤H:将得到的图形化多晶Al2O3膜进行高温热处理，即得到图形化蓝宝石衬底。本发明获得的用于氮化物外延生长的图形化蓝宝石衬底，工艺简单易行，生产效率高，成本低，面积大。
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公开(公告)号：CN103325888B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310249995.0
申请日：2013-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种基于硅基薄膜衬底制备透明导电薄膜的方法，包括以下几个步骤：步骤A、将靶材装入溅射靶中，将基片洗净后放入基片架上，抽真空，使基片能随基片架在溅射靶材上方直线往复动态沉积，获得薄膜；步骤B、将所述基片加热，并于真空室内通入溅射气体，调节真空室压强。本发明可以通过磁控溅射法在硅基薄膜衬底上低温、低功率制备高质量的透明导电膜。
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公开(公告)号：CN103325888A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310249995.0
申请日：2013-06-21
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种基于硅基薄膜衬底制备透明导电薄膜的方法，包括以下几个步骤：步骤A、将靶材装入溅射靶中，将基片洗净后放入基片架上，抽真空，使基片能随基片架在溅射靶材上方直线往复动态沉积，获得薄膜；步骤B、将所述基片加热，并于真空室内通入溅射气体，调节真空室压强。本发明可以通过磁控溅射法在硅基薄膜衬底上低温、低功率制备高质量的透明导电膜。
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公开(公告)号：CN102995124A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201310006222.X
申请日：2013-01-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于AlN晶体生长的籽晶，它涉及一种用于AlN晶体生长的材料。它要解决现有采用自发成核难以获得大尺寸AlN晶体，采用异质籽晶方法生长出的AlN晶体杂质含量高的问题。用于AlN晶体生长的籽晶为经过退火工艺处理后的AlN陶瓷片。用于AlN晶体生长的籽晶还可以为经过退火工艺处理后再进行抛光处理的AlN陶瓷片，或者在抛光后的陶瓷片表面镀上AlN薄膜，以得到用于AlN晶体生长的籽晶。采用本发明用于AlN晶体生长的籽晶生长出的AlN晶体尺寸较大，杂质含量少。本发明主要应用于半导体器件中AlN晶体的生长。
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公开(公告)号：CN102403420A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110356968.4
申请日：2011-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种用于氮化物处延生长的图形化蓝宝石衬底的制备方法，本发明方法先在蓝宝石基片上磁控溅射一层铝膜，然后施涂两层光刻胶膜且下层光刻胶具有更好的光敏感性，经曝光、显影形成光刻胶图形，再磁控溅射第二层铝膜，经溶剂浸泡剥离外层铝膜，最后经低温、高温两步热处理形成具有单晶氧化铝膜的图形化蓝宝石衬底。本发明的制备方法工艺简单易行，即克服了干法刻蚀方法易污染、损伤衬底的问题，也克服了湿法刻蚀方法易造成图形失真的问题。
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