一种SLS与PIP相结合制备低孔隙率SiC陶瓷基复合材料的方法

    公开(公告)号:CN116444275A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310456982.4

    申请日:2023-04-26

    Abstract: 本发明涉及SiC陶瓷的3D打印领域,尤其是涉及一种SLS与PIP相结合制备低孔隙率SiC陶瓷基复合材料的方法,其包括以下步骤:(1)将SiC粉体与粘结剂在混合机中混合均匀,得到复合粉体,其中所述粘结剂是环氧树脂纤维与环氧树脂颗粒的混合物;(2)将步骤(1)的复合粉体使用选择性激光烧结技术(SLS)进行3D打印,得到SiC陶瓷初坯;(3)将步骤(2)的SiC陶瓷初坯进行脱脂和高温烧结处理,得到SiC多孔陶瓷;(4)将步骤(3)的SiC多孔陶瓷使用先驱体浸渍裂解技术(PIP)进行致密化,得到低孔隙率SiC陶瓷基复合材料。通过本发明的方法,成功获得了具有较低的孔隙率和较高的致密度的SiC陶瓷基复合材料。

    一种SLS与PIP相结合制备低孔隙率SiC陶瓷基复合材料的方法

    公开(公告)号:CN116444275B

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202310456982.4

    申请日:2023-04-26

    Abstract: 本发明涉及SiC陶瓷的3D打印领域,尤其是涉及一种SLS与PIP相结合制备低孔隙率SiC陶瓷基复合材料的方法,其包括以下步骤:(1)将SiC粉体与粘结剂在混合机中混合均匀,得到复合粉体,其中所述粘结剂是环氧树脂纤维与环氧树脂颗粒的混合物;(2)将步骤(1)的复合粉体使用选择性激光烧结技术(SLS)进行3D打印,得到SiC陶瓷初坯;(3)将步骤(2)的SiC陶瓷初坯进行脱脂和高温烧结处理,得到SiC多孔陶瓷;(4)将步骤(3)的SiC多孔陶瓷使用先驱体浸渍裂解技术(PIP)进行致密化,得到低孔隙率SiC陶瓷基复合材料。通过本发明的方法,成功获得了具有较低的孔隙率和较高的致密度的SiC陶瓷基复合材料。

    一种冲击疲劳实验装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116026710A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202310121143.7

    申请日:2023-02-15

    Inventor: 郭颖 张坤 严实

    Abstract: 本发明公开一种冲击疲劳实验装置,包括支撑架、冲锤驱动机构和冲锤机构;冲锤机构包括提升部件和连接在提升部件下端的冲锤组件,提升部件滑动连接在竖向设置的导杆上;提升部件包括顶板、底板以及连接顶板和底板的侧板,顶板与底板之间设有间隙;冲锤驱动机构包括伸缩装置、旋转驱动装置和提升件,旋转驱动装置用于驱动伸缩装置在竖直平面内转动,提升件连接在伸缩装置一端,提升件在竖直平面内的最低点向上转动过程中,伸入间隙中与顶板底面接触,继续转动带动提升部件提升,直至与顶板底面脱离接触;提升件接触顶板底面后,通过调节伸缩装置的伸长量以调节提升部件的提升高度。本发明能够实现多高度的自由落体冲击实验,满足高冲击频率的需求。

    一种陶瓷基复合材料结构的制备方法

    公开(公告)号:CN110655405A

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201910941782.1

    申请日:2019-09-30

    Inventor: 曾涛 张坤

    Abstract: 本发明公开了一种所述陶瓷基复合材料结构的制备方法包括步骤:1)建立陶瓷基复合材料的三维结构的数字模型;2)将所述数字模型导入SLS设备,进行选择性激光烧结,得到试件;3)对试件进行脱脂处理,得到坯体;4)坯体称得质量为x1,然后放入密封袋中,且密封袋中注满浸渍液,将密封袋送入CIP设备加压处理,取出后得到湿坯体;5)对湿坯体进行高温裂解处理,冷却后称得质量为x2;当x2<1.01*x1时即得陶瓷基复合材料结构件。将3D打印陶瓷技术与PIP法浸渍裂解工艺和CIP冷等静压技术相结合,实现了梯度点阵碳化硅陶瓷基复合材料结构的近净成型,制备出高致密性的梯度点阵SiCp/SiC陶瓷基复合材料结构件。

    一种SiCw/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN108264353A

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201810073219.2

    申请日:2018-01-25

    Inventor: 曾涛 张坤 周义凯

    Abstract: 一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,本发明涉及一种SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的制备方法。本发明的目的是为了解决3D打印陶瓷成型试件后处理后孔隙率大,脆性大的问题。本发明方法为:SiC粉末和粘结剂粉末混合、制得陶瓷坯体,绘制SiCW/SiC/SiC陶瓷基复合材料的三维模型,设定3D打印机的参数,然后进行高温脱脂处理,再进行反复浸渍裂解,直至不再增重,即完成。本发明达到了致密和增韧的效果,孔隙率仅为8.5%,提高了陶瓷基复合材料的强度和韧性。本发明应用于SiC陶瓷基复合材料的制备领域。

    一种陶瓷基复合材料结构的制备方法

    公开(公告)号:CN110655405B

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN201910941782.1

    申请日:2019-09-30

    Inventor: 曾涛 张坤

    Abstract: 本发明公开了一种所述陶瓷基复合材料结构的制备方法包括步骤:1)建立陶瓷基复合材料的三维结构的数字模型;2)将所述数字模型导入SLS设备,进行选择性激光烧结,得到试件;3)对试件进行脱脂处理,得到坯体;4)坯体称得质量为x1,然后放入密封袋中,且密封袋中注满浸渍液,将密封袋送入CIP设备加压处理,取出后得到湿坯体;5)对湿坯体进行高温裂解处理,冷却后称得质量为x2;当x2<1.01*x1时即得陶瓷基复合材料结构件。将3D打印陶瓷技术与PIP法浸渍裂解工艺和CIP冷等静压技术相结合,实现了梯度点阵碳化硅陶瓷基复合材料结构的近净成型,制备出高致密性的梯度点阵SiCp/SiC陶瓷基复合材料结构件。

    一种金字塔型梯度点阵结构的参数化建模方法

    公开(公告)号:CN111950081A

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN202010744188.6

    申请日:2020-07-29

    Abstract: 本发明公开了一种金字塔型梯度点阵结构的参数化建模方法,通过读取飞行器机翼的几何尺寸参数;根据所述几何尺寸参数建立三维实体模型并进行裁剪得到金字塔型梯度点阵结构的单胞模型;将单胞模型参数化并通过控制方程优化参数并得到金字塔型梯度点阵结构;只需要进行参数化设计,从而对飞行器机翼模型的设计极大的减小了人力物力,即使结构的参数发生变化也无需重新建模,减小了工作量,并且统一了参数表征,能够与现有的计算机辅助设计软件无缝集成,操作简单、不易出错,本发明涉及航空航天有限元仿真分析技术领域。

    纯钛或钛合金表面具有榍石层的人工关节

    公开(公告)号:CN202982312U

    公开(公告)日:2013-06-12

    申请号:CN201220746113.2

    申请日:2012-12-31

    Inventor: 成夙 张坤

    CPC classification number: A61F2/30767

    Abstract: 纯钛或钛合金表面具有榍石层的人工关节。钛及钛合金材料作为重要的生物医用材料,具有高机械强度、高韧性和优良的抗疲劳性能,为了提高医用钛金属的生物活性,促进其与人体骨组织的结合,目前常用的方法是在材料表面等离子喷涂羟基磷灰石涂层,但是涂层与基体界面结合强度低,容易开裂,大大影响了其使用效果。本实用新型包括:人工关节基体(1),所述的人工关节基体(1)表面具有纯钛或钛合金的面层(2),所述的纯钛或钛合金的面层(2)外侧具有微弧氧化涂层(3),所述的微弧氧化涂层(3)外侧具有榍石层(4)。本实用新型用于人体的关节替代物。

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