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公开(公告)号：CN119661230A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411862803.8
申请日：2024-12-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/577 , C04B35/622 , B33Y70/10 , B33Y10/00 , C04B41/87
Abstract: 一种使用3D打印制备高致密度SiC陶瓷的方法，属于增材制造领域。本发明要解决现有采用3D打印技术制造SiC陶瓷试件存在孔隙率高的问题。方法：一、制备复合粉体；二、打印参数设定；三、脱脂；四、浸渍；五、烘干；六、高温烧结。本发明用于使用3D打印制备高致密度SiC陶瓷。
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公开(公告)号：CN116444275B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202310456982.4
申请日：2023-04-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , B33Y70/10 , B33Y10/00 , C04B35/638
Abstract: 本发明涉及SiC陶瓷的3D打印领域，尤其是涉及一种SLS与PIP相结合制备低孔隙率SiC陶瓷基复合材料的方法，其包括以下步骤：(1)将SiC粉体与粘结剂在混合机中混合均匀，得到复合粉体，其中所述粘结剂是环氧树脂纤维与环氧树脂颗粒的混合物；(2)将步骤(1)的复合粉体使用选择性激光烧结技术(SLS)进行3D打印，得到SiC陶瓷初坯；(3)将步骤(2)的SiC陶瓷初坯进行脱脂和高温烧结处理，得到SiC多孔陶瓷；(4)将步骤(3)的SiC多孔陶瓷使用先驱体浸渍裂解技术(PIP)进行致密化，得到低孔隙率SiC陶瓷基复合材料。通过本发明的方法，成功获得了具有较低的孔隙率和较高的致密度的SiC陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN114478017A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210289816.5
申请日：2022-03-23
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 中国航发哈尔滨东安发动机有限公司
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B35/634 , C04B35/10 , C04B35/80 , C04B35/84 , B33Y70/10 , B33Y10/00
Abstract: 基于SLS成型制备铝合金铸造芯用氧化铝/碳化硅陶瓷复合材料的方法，它属于3D打印陶瓷领域。本发明解决现有铝合金铸造芯在复杂空间形状制造时无法通过传统压制方式实现，以及现有3D打印SiC陶瓷增韧困难、成本高、工艺复杂难控制的问题。制备方法：一、混合SiC粉末；二、模型建立及打印参数设置；三、制备SiC陶瓷初坯；四、热固化；五、脱脂；六、浸渍；七、烧结；八、重复浸渍及烧结。本发明用于基于SLS成型制备铝合金铸造芯用氧化铝/碳化硅陶瓷复合材料。
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公开(公告)号：CN109851362B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201811639741.9
申请日：2018-12-29
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/80 , C04B35/622 , B28B1/00 , B33Y10/00 , B33Y70/10
Abstract: 一种3D成型制备SiCf/SiC陶瓷复合材料的方法，它涉及一种陶瓷复合材料SiCf/SiC的制备方法。本发明的目的是要解决传统制备SiCf/SiC陶瓷材料构件时存在着难成型、难加工的问题。方法：一、混合粉末；二、参数设定；三、制备陶瓷坯体；四、固化；五、烧结；六、浸渍、裂解；七：重复步骤六操作，至裂解过程的质量增重小于1％为止，得到SiCf/SiC陶瓷复合材料。有益效果：一、解决了SLS技术制备陶瓷材料孔隙率大、力学性能差等问题；二、工艺简单，工时少，工艺稳定和重现性好。本发明主要用于3D成型制备SiCf/SiC陶瓷复合材料。
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公开(公告)号：CN110627506A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201911037267.7
申请日：2019-10-29
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/80 , C04B35/622 , B33Y10/00 , B33Y80/00 , B28B1/00
Abstract: 一种Cf/SiC晶舟及其结合3D打印制备方法，它涉及一种Cf/SiC晶舟及其制备方法。本发明的目的是要解决现有SLS技术制备SiC晶舟预制件存在的密度小，弯曲强度差，且PIP法制备周期长的问题。一种Cf/SiC晶舟，轴对称，包括底部支架、底部侧支架、中间支架、固定装置、上部侧支架、台肩和卡接件。制备方法：一、碳纤维前处理；二、制备混合粉料；三、参数设置；四、制备Cf/SiC晶舟坯体；五、热固化；六、脱脂；七、浸渍液Ⅰ制备；八、预浸渍、裂解；九、浸渍液Ⅱ制备；十、浸渍、裂解；十一：重复步骤十操作直到质量增重小于1％为止，得到Cf/SiC晶舟。本发明主要用于制备Cf/SiC晶舟。
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公开(公告)号：CN102898172B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210438367.2
申请日：2012-11-06
IPC: B32B18/00
Abstract: 四棱锥构型Cf/SiC点阵复合材料平板的制备方法，涉及点阵复合材料制备方法的领域。本发明要解决现有的金属基和树脂基点阵材料不能满足需求，而现有技术中很难实现制备陶瓷基点阵复合材料的问题。四棱锥构型Cf/SiC点阵复合材料平板，由上面板、下面板以及在上下面板之间以点阵芯子进行周期排列的四棱锥胞元构成。制备方法：采用经聚碳硅烷浸渍的碳纤维穿插经聚碳硅烷浸渍的碳纤维布工艺制备出四棱锥构型Cf/SiC点阵复合材料平板的骨架，然后对骨架用聚碳硅烷浸渍后，固化，裂解处理，即得到四棱锥构型Cf/SiC点阵复合材料平板。本发明应用于降低噪音、屏蔽电磁辐射、抗冲击、隔热、降低热传导的领域。
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公开(公告)号：CN117887990A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410248821.0
申请日：2024-03-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一次变形后短时间回炉并快速冷却制备高强、塑单B2相Ti2AlNb合金的方法，本发明涉及Ti2AlNb合金制备方法领域。本发明要解决目前纯B2相的板材由于晶界常有各种微观缺陷而使其强度和塑性不高，影响其后续使用的技术问题。方法：一、采用放电等离子烧结方法将Ti2AlNb预合金粉制备成Ti2AlNb合金坯料；二、将Ti2AlNb合金坯料进行变形处理，然后放入热处理炉中进行保温处理，再立即冷却，获得高强、塑单B2相Ti2AlNb合金。本发明在制备合金的过程中仅需一次变形，所需回炉时间很短，生产效率高，因此可降低成本，回炉后冷却方法灵活，可使用水冷或者液氮冷却，便于工人操作。本发明用于制备高强、塑单B2相Ti2AlNb合金。
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公开(公告)号：CN117798335A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410006377.1
申请日：2024-01-03
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种航空发动机油路铸造陶瓷型芯的制备方法，它属于陶瓷芯技术领域。本发明要解决现有铸造航空发动机油路铸造陶瓷型芯时，若试件力学性能偏大，其内部碎渣不易清除，若力学性能较小，则清理其内部碎渣时，试件本身易碎的问题。方法：一、软件构建陶瓷件；二、打印参数设定及打印；三、打印后处理；四、清理内部。本发明用于航空发动机油路铸造陶瓷型芯的制备。
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公开(公告)号：CN117326872A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311268921.1
申请日：2023-09-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , B33Y70/10 , B28C1/00 , B28C5/00 , B28B1/02 , B28B17/00 , B28B17/04
Abstract: 本发明公开了一种能够在3D打印过程中实现打印、清粉、取件三工位同时进行的3D打印碳化硅陶瓷基复合材料制备工艺。该3D打印碳化硅陶瓷基复合材料制备工艺包括步骤S1、选取SiC粉体以及粘接剂；S2、制备复合粉体；S3、打印SiC陶瓷初坯；S4、采用真空脱脂和PIP浸渍裂解工艺对SiC陶瓷初坯进行致密化处理。并且在步骤S3中采用3D打印激光烧结系统。采用该3D打印碳化硅陶瓷基复合材料制备工艺能够实现碳化硅陶瓷基复合材料的快速制备；制备碳化硅陶瓷基复合材料制备效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN116444275A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310456982.4
申请日：2023-04-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , B33Y70/10 , B33Y10/00 , C04B35/638
Abstract: 本发明涉及SiC陶瓷的3D打印领域，尤其是涉及一种SLS与PIP相结合制备低孔隙率SiC陶瓷基复合材料的方法，其包括以下步骤：(1)将SiC粉体与粘结剂在混合机中混合均匀，得到复合粉体，其中所述粘结剂是环氧树脂纤维与环氧树脂颗粒的混合物；(2)将步骤(1)的复合粉体使用选择性激光烧结技术(SLS)进行3D打印，得到SiC陶瓷初坯；(3)将步骤(2)的SiC陶瓷初坯进行脱脂和高温烧结处理，得到SiC多孔陶瓷；(4)将步骤(3)的SiC多孔陶瓷使用先驱体浸渍裂解技术(PIP)进行致密化，得到低孔隙率SiC陶瓷基复合材料。通过本发明的方法，成功获得了具有较低的孔隙率和较高的致密度的SiC陶瓷基复合材料。
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