一种基于硅光电倍增管阵列的放电微光成像装置及方法

    公开(公告)号:CN117148052A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202310593570.5

    申请日:2023-05-24

    Abstract: 本公开揭示了一种基于硅光电倍增管阵列的放电微光三维成像装置,采集模块,用于基于硅光电倍增管阵列采集电力设备的局部放电微光信号;第一转换模块,用于将所采集的局部放电微光信号转换为模拟电流信号并基于模拟电流信号获取电力设备放电位置的二维坐标信息;第二转换模块,用于将模拟电流信号转换为模拟电压信号;计算模块,用于计算模拟电压信号的电压幅值;记录模块,用于记录放电微光信号的飞行时间;数据处理模块,用于基于所获取的电力设备放电位置的二维坐标信息以及模拟电压的电压幅值和放电微光信号的飞行时间生成电力设备局部放电三维成像信息。

    基于硅光电倍增管阵列的放电弱光三维成像方法及装置

    公开(公告)号:CN117148051A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202310593498.6

    申请日:2023-05-24

    Abstract: 本公开揭示了一种基于硅光电倍增管阵列的放电弱光三维成像方法,包括:S100:利用硅光电倍增管阵列采集放电弱光信号;S200:对所采集的放电弱光信号去噪;S300:获取去噪后的放电弱光信号的电压幅值和时间差信号;S400:根据所述去噪后的放电弱光信号的电压幅值和时间差信号分别获取放电弱光信号的成像矩阵UN和飞行时间矩阵Q;S500:对所述成像矩阵UN进行缩放以获得矩阵UN’,对飞行时间矩阵Q进行偏置消除以获得矩阵Q’;S600:基于所述矩阵UN’和矩阵Q’并基于神经网络获取放电弱光信号的光源深度矩阵D;S700:基于所述光源深度矩阵D获取放电弱光信号的三维成像张量T。

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