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公开(公告)号：CN110596551A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910921421.0
申请日：2019-09-27
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 上海交通大学
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 宋琦华 , 王一帆 , 曾振源 , 刘江明 , 孙正竹 , 马涛 , 夏晓波 , 杜赟 , 楼钢 , 徐翀 , 朱亮 , 毛永铭 , 黄继来 , 周迅 , 盛骏 , 吴胥阳 , 吴尊东 , 汪桢毅 , 饶海伟 , 钱勇
Abstract: 本发明公开了局部放电检测传感器，属于电力设备技术领域，目的在于克服现有传感器和主机连接线缆较长的缺陷。传感器包括具有线缆孔的壳体，壳体上具有第一腔体和环绕线缆孔的第二腔体，第一腔体和第二腔体相互隔开并通过穿线槽孔连通，第一腔体内设置集成电路板和电池，壳体上安装有信号发射天线，信号发射天线和集成电路板连接，电池和集成电路板连接，第二腔体内设置环绕线缆孔的磁芯，集成电路板和磁芯连接。本发明所提供的局部放电检测传感器，由于集成电路板连接信号发射天线，能够将传感器收集的信号通过无线的方式传递给相应的主机，避免传感器和主机之间的线缆连接，提高局部放电检测效率。
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公开(公告)号：CN210954228U
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201921623485.4
申请日：2019-09-27
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 上海交通大学
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 宋琦华 , 王一帆 , 曾振源 , 刘江明 , 孙正竹 , 马涛 , 夏晓波 , 杜赟 , 楼钢 , 徐翀 , 朱亮 , 毛永铭 , 黄继来 , 周迅 , 盛骏 , 吴胥阳 , 吴尊东 , 汪桢毅 , 饶海伟 , 钱勇
Abstract: 本实用新型公开了局部放电检测传感器，属于电力设备技术领域，目的在于克服现有传感器和主机连接线缆较长的缺陷。传感器包括具有线缆孔的壳体，壳体上具有第一腔体和环绕线缆孔的第二腔体，第一腔体和第二腔体相互隔开并通过穿线槽孔连通，第一腔体内设置集成电路板和电池，壳体上安装有信号发射天线，信号发射天线和集成电路板连接，电池和集成电路板连接，第二腔体内设置环绕线缆孔的磁芯，集成电路板和磁芯连接。本实用新型所提供的局部放电检测传感器，由于集成电路板连接信号发射天线，能够将传感器收集的信号通过无线的方式传递给相应的主机，避免传感器和主机之间的线缆连接，提高局部放电检测效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN119482357A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411359374.2
申请日：2024-09-27
Applicant: 国家电网有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网智能电网研究院有限公司 , 国网电力科学研究院有限公司 , 中电普瑞电力工程有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明提供了一种柔直系统的暂态冲击平抑控制方法、系统、设备和介质，柔直系统的暂态冲击平抑控制方法通过换流器中每相上下桥臂修正后的调制波指数，确定换流器中每个子模块最终的触发信号，使换流器子模块的平均运行电压降低，可以保证在换流器发生功率送出故障时，换流器中的盈余功率降低，使耗能装置吸收盈余功率实现故障穿越所需的容量需求降低，从而降低柔直系统的过压水平，避免柔直系统形成暂态冲击，有利于降低柔直系统的运行成本。
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公开(公告)号：CN118801453A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410747796.0
申请日：2024-06-11
Applicant: 中电普瑞电力工程有限公司 , 长沙理工大学 , 国网电力科学研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种大规模风电柔直接入送受端交流故障暂态过压抑制方法，涉及电力电网技术领域。本发明通过检测新能源输送系统的传输数据，基于传输数据，对送端交流侧和受端交流侧两种故障类型进行判断，当确定发生受端交流侧故障时，在新能源输送系统的直流侧投入电流耗能装置，降低新能源输送系统中直流侧输送至交流侧的有功功率。当确定发生送端交流侧故障时，调整新能源输送系统中无功补偿装置的工作参数，减少换流站注入交流侧的无功功率。如此风电经柔直孤岛系统面临的交流电网短路故障情况下，降低受端交流侧的有功功率，减少送端交流侧的无功功率，保证故障时新能源输送系统的稳定性，提高故障处理的动态响应能力。
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公开(公告)号：CN118092547B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410487816.5
申请日：2024-04-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G05D23/30 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘加热控制装置及静电卡盘，涉及半导体技术领域。控制装置包括：控制模块、脉冲宽度调制信号输出模块和脉冲宽度调制隔离驱动模块，脉冲宽度调制信号输出模块包括：信号转化模块，用于确定计数中数和计数周期；寄存器组，第1至n个寄存器与n个加热单元对应，用于存储计数中数，第n+1个寄存器用于存储计数周期；根据计数周期循环计数的计数器；n个比较器，在每一计数周期根据当前计数与计数中数的比较结果生成脉冲宽度调制信号。脉冲宽度调制隔离驱动模块用于发出脉冲宽度调制信号。通过本发明提供的装置，能够单独控制加热单元，保证静电卡盘加热均匀性，实现晶圆整体均热性，提高半导体制造工艺良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118092547A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410487816.5
申请日：2024-04-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G05D23/30 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种静电卡盘加热控制装置及静电卡盘，涉及半导体技术领域。控制装置包括：控制模块、脉冲宽度调制信号输出模块和脉冲宽度调制隔离驱动模块，脉冲宽度调制信号输出模块包括：信号转化模块，用于确定计数中数和计数周期；寄存器组，第1至n个寄存器与n个加热单元对应，用于存储计数中数，第n+1个寄存器用于存储计数周期；根据计数周期循环计数的计数器；n个比较器，在每一计数周期根据当前计数与计数中数的比较结果生成脉冲宽度调制信号。脉冲宽度调制隔离驱动模块用于发出脉冲宽度调制信号。通过本发明提供的装置，能够单独控制加热单元，保证静电卡盘加热均匀性，实现晶圆整体均热性，提高半导体制造工艺良率。
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公开(公告)号：CN117497497B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311842265.1
申请日：2023-12-29
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/473 , H01L23/49
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种功率模块液冷散热封装结构。针对现有碳化硅功率模块散热效率较低的不足,本发明采用如下技术方案：一种功率模块液冷散热封装结构，包括DBC陶瓷基板；功率芯片；内铜层，形成流经功率芯片的内冷却通道；外铜层，形成外冷却通道；冷却液，在内冷却通道和外冷却通道流动；引线，一端连接功率芯片，另一端经内铜层、DBC陶瓷基板引出；DBC陶瓷基板、内铜层、功率芯片、外铜层沿厚度方向层叠分布并连接为一个整体。本发明的有益效果是：提高了散热效率，降低了不同面的温度差，提升功率芯片工作可靠性；相比现有的双面水冷散热结构，外铜层可以直接形成封装结构的外表面。
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公开(公告)号：CN117929955A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211252026.6
申请日：2022-10-13
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种多参量的IGBT结温标定系统，包括电压源、IGBT驱动模块、上位机、数据采集模块、红外热像仪、未填充硅胶的IGBT模块、水冷模块和功率输出模块，本发明解决了现有IGBT结温标定结温系统复杂的问题，从而提高了IGBT结温标定的效率。本发明还公开了一种IGBT结温标定方法，首先上位机向IGBT驱动模块发送驱动信号，功率输出模块输出恒定电流，然后通过控制控流阀使红外热像仪中IGBT芯片的温度不再发生变化，最后记录IGBT的结温及对应的电参数值，从而精确地实现结温标定，本发明提升了IGBT结温监测的准确度，从而提高IGBT结温标定系统的可靠性和标定精度。
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公开(公告)号：CN116184146A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211476746.0
申请日：2022-11-23
Applicant: 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 郭亚慧 , 孙鹏 , 李焕林 , 蔡雨萌 , 赵志斌 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
Abstract: 碳化硅MOSFET结温在线测量方法、系统及其应用，所述方法包括构建碳化硅MOSFET器件温敏电参数值与结温的线性解析模型；获得改变碳化硅MOSFET器件外部电路寄生参数后，室温下温敏电参数值；依不同寄生参数条件常温下温敏电参数值计算校准系数；依校准系数得到外部电路寄生参数改变，修正后的温敏电参数值与结温的线性解析模型；根据修正后温敏电参数值与结温的线性解析模型以及待测工况下温敏电参数的值，求取改变器件运行平台寄生参数后在线运行的结温。本发明能够间接测量碳化硅MOSFET在不同寄生参数条件下运行的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据。
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公开(公告)号：CN116111986A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310109759.2
申请日：2023-02-13
Applicant: 西安交通大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于雪崩管并联递增结构的高幅值高重频亚纳秒脉冲源，包括：将第一微带线T1、充电电容C1、第二微带线T2和雪崩三极管Q1依次进行连接；雪崩三极管Q1连接第三微带线T3；第三微带线T3、充电电容C2、第四微带线T4和雪崩三极管Q2依次进行连接；充电电容C2和充电电容C1分别与电源Ec连接。本发明通过雪崩三级管并联递增结构的使用，在尽可能减小了微带线宽度增加对输出脉冲波形的不利影响的情况下，有效地增大了高幅值脉冲源的通流能力。而且雪崩管并联递增结构减小了雪崩管的使用个数，节约了成本。
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