公开(公告)号：CN101183664A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710180186.3

申请日：2007-10-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 约臣·贝恩特纳 ,  李玉君 ,  拉马·迪瓦卡鲁尼 ,  加利·B·布郎奈尔

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/66795

Abstract: 提供一种在半导体衬底上制造多个FinFET的方法，其中每个独立的FinFET的栅极宽度仅使用单次蚀刻工艺而不是两次或更多的蚀刻工艺定义。本发明的方法带来改善的栅极宽度控制和每个独立栅极的栅极宽度在衬底的整个表面上的较小变化。本发明的方法通过使用调整的侧壁影像转移(SIT)工艺实现上述目的，该工艺中，采用后来被栅导体代替的绝缘间隔件，且高密度的自底向上的氧化物填充用于从衬底隔离栅极。

公开(公告)号：CN1228849C

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN99110452.8

申请日：1999-07-14

Applicant: 国际商业机器公司 ,  西门子公司

Inventor： 加利·B·布郎奈尔 ,  拉尔蒂斯·艾克诺米科斯 ,  拉加拉奥·加米 ,  朴炳柱 ,  卡尔·J·拉登 ,  马丁·E·施莱姆斯

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/70

Abstract: 一种适用于半导体集成电路器件的沟槽电容器结构和用来制作此结构的工艺流程。借助于含有由织构的半球形晶粒硅组成的电容器平板，沟槽电容器提供了增大了的电容。为了减轻电容器储存电荷的消耗，沟槽电容器还包括掩埋平板。

公开(公告)号：CN1281259A

公开(公告)日：2001-01-24

申请号：CN99110452.8

申请日：1999-07-14

Applicant: 国际商业机器公司 ,  西门子公司

Inventor： 加利·B·布郎奈尔 ,  拉尔蒂斯·艾克诺米科斯 ,  拉加拉奥·加米 ,  朴炳柱 ,  卡尔·J·拉登 ,  马丁·E·施莱姆斯

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/70

Abstract: 一种适用于半导体集成电路器件的沟槽电容器结构和用来制作此结构的工艺流程。借助于含有由织构的半球形晶粒硅组成的电容器平板,沟槽电容器提供了增大了的电容。为了减轻电容器储存电荷的消耗,沟槽电容器还包括掩埋平板。

公开(公告)号：CN101183664B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200710180186.3

申请日：2007-10-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 约臣·贝恩特纳 ,  李玉君 ,  拉马·迪瓦卡鲁尼 ,  加利·B·布郎奈尔

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/66795

Abstract: 提供一种在半导体衬底上制造多个FinFET的方法，其中每个独立的FinFET的栅极宽度仅使用单次蚀刻工艺而不是两次或更多的蚀刻工艺定义。本发明的方法带来改善的栅极宽度控制和每个独立栅极的栅极宽度在衬底的整个表面上的较小变化。本发明的方法通过使用调整的侧壁影像转移(SIT)工艺实现上述目的，该工艺中，采用后来被栅导体代替的绝缘间隔件，且高密度的自底向上的氧化物填充用于从衬底隔离栅极。

公开(公告)号：CN1281252A

公开(公告)日：2001-01-24

申请号：CN99110456.0

申请日：1999-07-14

Applicant: 国际商业机器公司 ,  西门子公司

Inventor： 加利·B·布郎奈尔 ,  卡尔·J·拉登 ,  于尔根·惠特曼

IPC: H01L21/70 ,  H01L27/108

Abstract: 一种制作沟槽电容器的方法,它包含下列步骤:在衬底中制作沟槽,用第一导电材料局部地填充沟槽,用颈圈材料在第一导电材料上镶衬沟槽的一部分,将颈圈材料腐蚀到沟槽顶部以下的条深度,以及用第二导电材料填充沟槽,其中位于条深度与沟槽顶部之间的第二导电材料的一部分包含掩埋条。