公开(公告)号：CN111373557B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201880075209.0

申请日：2018-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·罗森布拉特 ,  J·奥尔卡特 ,  H·派克 ,  M·桑德贝格 ,  J·B·赫兹博格

IPC: H10N60/12 ,  G06N10/20 ,  H10N60/01

Abstract: 一种形成多量子位芯片的方法包括对量子位的约瑟夫逊结进行退火以增加或降低该量子位的频率。退火的条件可以基于历史条件，并且可以被选择以将每个量子位调谐到期望的频率。

公开(公告)号：CN111373556B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201880075199.0

申请日：2018-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·罗森布拉特 ,  J·奥尔卡特 ,  M·桑德贝格 ,  M·布林克 ,  V·亚迪加 ,  N·T·布朗

IPC: H10N60/01 ,  H10N60/12 ,  H10N60/80 ,  G06N10/00

Abstract: 当量子位在第一芯片上形成并且光学透射路径在第二芯片上形成时，形成量子位(量子位)倒装芯片组件。使用焊料凸块接合两个芯片。光学透射路径提供对第一芯片上的量子位的光学访问。

公开(公告)号：CN111373556A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880075199.0

申请日：2018-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·罗森布拉特 ,  J·奥尔卡特 ,  M·桑德贝格 ,  M·布林克 ,  V·亚迪加 ,  N·T·布朗

IPC: H01L39/02 ,  G06N10/00

Abstract: 当量子位在第一芯片上形成并且光学透射路径在第二芯片上形成时，形成量子位(量子位)倒装芯片组件。使用焊料凸块接合两个芯片。光学透射路径提供对第一芯片上的量子位的光学访问。

公开(公告)号：CN113272695B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202080008266.4

申请日：2020-01-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·奥尔卡特 ,  D·萨达纳

IPC: G02B6/12 ,  G02F1/035 ,  G06N10/00

Abstract: 提供了使用结构化衬底将SiGe/Si光学谐振器与量子位和CMOS器件集成的技术。在一个方面，波导结构包括：晶片；以及布置在晶片上的波导，波导具有由Si包围的SiGe核，其中，晶片具有比Si低的折射率(例如，蓝宝石、金刚石、SiC和/或GaN)。还提供了一种用于量子计算的计算设备和方法。

公开(公告)号：CN113272695A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202080008266.4

申请日：2020-01-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·奥尔卡特 ,  D·萨达纳

IPC: G02B6/12 ,  G02F1/035 ,  G06N10/00

Abstract: 提供了使用结构化衬底将SiGe/Si光学谐振器与量子位和CMOS器件集成的技术。在一个方面，波导结构包括：晶片；以及布置在晶片上的波导，波导具有由Si包围的SiGe核，其中，晶片具有比Si低的折射率(例如，蓝宝石、金刚石、SiC和/或GaN)。还提供了一种用于量子计算的计算设备和方法。

公开(公告)号：CN111373557A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880075209.0

申请日：2018-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·罗森布拉特 ,  J·奥尔卡特 ,  H·派克 ,  M·桑德贝格 ,  J·B·赫兹博格

IPC: H01L39/22 ,  G06N10/00 ,  H01L39/24

Abstract: 一种形成多量子位芯片的方法包括对量子位的约瑟夫逊结进行退火以增加或降低该量子位的频率。退火的条件可以基于历史条件，并且可以被选择以将每个量子位调谐到期望的频率。