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公开(公告)号：CN102484132A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080038343.7
申请日：2010-08-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7391 , B82Y10/00 , H01L29/0665
Abstract: 一种用于隧穿场效应晶体管(TFET)结构的间接诱导隧道发射极，其包含：外鞘，至少部分围绕伸长核心元件，所述伸长核心元件由第一半导体材料形成；绝缘层，设置在所述外鞘和所述核心元件之间；所述外鞘设置在对应于所述TFET结构的源极区域的位置处；以及源极接触，其将所述外鞘短路至所述核心元件；其中所述外鞘被配置为在所述核心元件的所述源极区域中引入足够在开状态期间隧穿至所述TFET结构的沟道区域的载流子浓度。
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公开(公告)号：CN1294657C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200310121567.6
申请日：2003-12-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/772 , H01L29/78 , H01L21/335 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66772 , H01L29/78648
Abstract: 一种双栅极场效应晶体管结构及其这种结构的形成方法，其中源/漏区下的寄生电容显著减少。在本发明中，提供自对准隔离区以减少DGFET结构中的寄生电容。此外，本发明密封了含Si沟道并使背栅极氧化到更大的程度，由此减小了更远结构的寄生电容。
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公开(公告)号：CN111512438A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880082340.X
申请日：2018-12-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/098
Abstract: 本发明的实施例涉及具有可控电阻的半导体器件的方法和所得结构。形成半导体器件的示例方法包括在衬底上形成场效应晶体管(FET)的源极端子和漏极端子。源极端子和漏极端子形成在沟道区的两侧。能量势垒邻近源极端子和沟道区形成。在沟道区上形成导电栅极。
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公开(公告)号：CN111512438B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880082340.X
申请日：2018-12-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/098
Abstract: 本发明的实施例涉及具有可控电阻的半导体器件的方法和所得结构。形成半导体器件的示例方法包括在衬底上形成场效应晶体管(FET)的源极端子和漏极端子。源极端子和漏极端子形成在沟道区的两侧。能量势垒邻近源极端子和沟道区形成。在沟道区上形成导电栅极。
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公开(公告)号：CN102484132B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201080038343.7
申请日：2010-08-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7391 , B82Y10/00 , H01L29/0665
Abstract: 一种用于隧穿场效应晶体管(TFET)结构的间接诱导隧道发射极，其包含：外鞘，至少部分围绕伸长核心元件，所述伸长核心元件由第一半导体材料形成；绝缘层，设置在所述外鞘和所述核心元件之间；所述外鞘设置在对应于所述TFET结构的源极区域的位置处；以及源极接触，其将所述外鞘短路至所述核心元件；其中所述外鞘被配置为在所述核心元件的所述源极区域中引入足够在开状态期间隧穿至所述TFET结构的沟道区域的载流子浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103636016A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201280033214.8
申请日：2012-07-02
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L49/00 , H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , Y10T29/42
Abstract: 一种4-端子压电晶体管（PET）包括：压电（PE）材料，设置在第一和第二电极之间；绝缘体材料，设置在第二电极上；第三电极，设置在绝缘体材料上；以及压阻（PR）材料，设置在第三电极和第四电极之间。跨第一和第二电极施加的电压使来自PE材料的压力通过绝缘体材料施加到PR材料，该PR材料的电阻依赖于通过PE材料施加的压力。第一和第二电极与第三和第四电极电隔离。还公开了由4-端子PET制造的逻辑器件及制造4-端子PET的方法。
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公开(公告)号：CN100337334C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200310121549.8
申请日：2003-12-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/772 , H01L21/336
Abstract: 一种双栅极场效应晶体管(DGFET)结构及其这种结构的形成方法，其中源/漏区下的寄生电容显著减少。本发明引入了两个新措施，以减小源/漏区下的寄生电容。首先，将栅极外的硅区转变成氧化物，用具有第一横向厚度的第一间隔层保护了与栅极相邻的硅凸缘。使用自对准的氧注入或其它粒种注入促进氧化。其次，除去第一间隔层，用横向厚度小于第一间隔层的横向厚度的第二间隔层代替，通过使用横向选择性外延过生长并使用现在露出的硅凸缘作为籽晶在自对准的隔离区上生长新的硅源/漏区。这样可以获得到背平面的低电容，同时可以保持控制阈值电压。
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公开(公告)号：CN103636016B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201280033214.8
申请日：2012-07-02
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L49/00 , H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , Y10T29/42
Abstract: 一种4-端子压电晶体管（PET）包括：压电（PE）材料，设置在第一和第二电极之间；绝缘体材料，设置在第二电极上；第三电极，设置在绝缘体材料上；以及压阻（PR）材料，设置在第三电极和第四电极之间。跨第一和第二电极施加的电压使来自PE材料的压力通过绝缘体材料施加到PR材料，该PR材料的电阻依赖于通过PE材料施加的压力。第一和第二电极与第三和第四电极电隔离。还公开了由4-端子PET制造的逻辑器件及制造4-端子PET的方法。
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公开(公告)号：CN101145573A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710147732.3
申请日：2007-08-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/772 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/458 , H01L29/7839 , H01L29/785 , H01L29/78618 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，具体而言，公开了一种具有纳米线形成的FET沟道和通过从纳米线体径向外延形成的掺杂的源极和漏极区域的FET结构。讨论了顶选通和底选通的纳米线FET结构。所述源极和漏极制造可以使用选择性或者非选择性外延。
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公开(公告)号：CN1531103A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200310121567.6
申请日：2003-12-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/772 , H01L29/78 , H01L21/335 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66772 , H01L29/78648
Abstract: 一种双栅极场效应晶体管结构及其这种结构的形成方法，其中源/漏区下的寄生电容显著减少。在本发明中，提供自对准隔离区以减少DGFET结构中的寄生电容。此外，本发明密封了含Si沟道并使背栅极氧化到更大的程度，由此减小了更远结构的寄生电容。
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