公开(公告)号：CN106252204A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610736892.0

申请日：2016-08-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 牛洁斌 ,  殷立峰 ,  沈健

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0332 ,  H01L21/02076 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种将庞磁阻锰氧化物薄膜在纳米尺度图形化的方法。本发明首先在已经生长了庞磁阻锰氧化物薄膜的钛酸锶衬底上旋涂电子束光刻胶并烘烤，然后使用电子束直写光刻技术曝光所需纳米尺度图形版图，显影定影后得到所需纳米尺度图形的胶掩蔽图形，然后沉积铝金属薄膜，之后去胶剥离出铝金属掩蔽图形，再使铝金属掩蔽层氧化后转化为氧化铝掩蔽层，然后用离子束刻蚀庞磁阻锰氧化物薄膜层形成庞磁阻锰氧化物图形，最后去掉氧化铝掩蔽层并清洗衬底。本发明解决了电子束胶在离子束刻蚀时与庞磁阻锰氧化物层刻蚀速率比差的问题，降低电子束胶的厚度需求，提高电子束直写光刻的分辨率；本发明也解决了有些电子束胶在刻蚀后难以去除的问题。

公开(公告)号：CN106252204B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201610736892.0

申请日：2016-08-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 牛洁斌 ,  殷立峰 ,  沈健

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种将庞磁阻锰氧化物薄膜在纳米尺度图形化的方法。本发明首先在已经生长了庞磁阻锰氧化物薄膜的钛酸锶衬底上旋涂电子束光刻胶并烘烤，然后使用电子束直写光刻技术曝光所需纳米尺度图形版图，显影定影后得到所需纳米尺度图形的胶掩蔽图形，然后沉积铝金属薄膜，之后去胶剥离出铝金属掩蔽图形，再使铝金属掩蔽层氧化后转化为氧化铝掩蔽层，然后用离子束刻蚀庞磁阻锰氧化物薄膜层形成庞磁阻锰氧化物图形，最后去掉氧化铝掩蔽层并清洗衬底。本发明解决了电子束胶在离子束刻蚀时与庞磁阻锰氧化物层刻蚀速率比差的问题，降低电子束胶的厚度需求，提高电子束直写光刻的分辨率；本发明也解决了有些电子束胶在刻蚀后难以去除的问题。

公开(公告)号：CN106169416A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610736893.5

申请日：2016-08-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 牛洁斌 ,  殷立峰 ,  沈健

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种极紫外掩模的制造方法。本发明首先将极紫外掩模的总版图拆分并且添加电子束光刻对准标记，在基板衬底上旋涂光刻胶后使用激光直写技术制作大面积微米尺度胶掩蔽图形和电子束光刻对准标记胶掩蔽图形，然后刻蚀铬金属膜吸收层，之后去除光刻胶并清洗基板，再旋涂电子束光刻胶，利用对准标记进行精确定位的电子束直写得到纳米尺度图形的胶掩蔽图形，然后用反应离子各向异性刻蚀吸收体材料铬，之后去除电子束光刻胶，最后清洗并检测掩模板。本方法能制造出同时拥有高分辨率的纳米尺度图形和低分辨率的大面积微米尺度图形的极紫外掩模，弥补了单纯依靠激光直写低分辨率的缺点，解决了单纯依靠电子束直写低效率的问题。

公开(公告)号：CN106169416B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201610736893.5

申请日：2016-08-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 牛洁斌 ,  殷立峰 ,  沈健

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种极紫外掩模的制造方法。本发明首先将极紫外掩模的总版图拆分并且添加电子束光刻对准标记，在基板衬底上旋涂光刻胶后使用激光直写技术制作大面积微米尺度胶掩蔽图形和电子束光刻对准标记胶掩蔽图形，然后刻蚀铬金属膜吸收层，之后去除光刻胶并清洗基板，再旋涂电子束光刻胶，利用对准标记进行精确定位的电子束直写得到纳米尺度图形的胶掩蔽图形，然后用反应离子各向异性刻蚀吸收体材料铬，之后去除电子束光刻胶，最后清洗并检测掩模板。本方法能制造出同时拥有高分辨率的纳米尺度图形和低分辨率的大面积微米尺度图形的极紫外掩模，弥补了单纯依靠激光直写低分辨率的缺点，解决了单纯依靠电子束直写低效率的问题。