一种集多值存储和逻辑运算于一体的器件单元及操作方法

    公开(公告)号:CN108417709A

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201810111023.8

    申请日:2018-02-05

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于多值存储和逻辑运算技术领域,具体为一种集多值存储与逻辑运算于一体的器件单元及其操作方法。本发明器件单元包括由复杂强关联氧化物薄膜制备成的微纳米线、生长薄膜的衬底以及在其表面微纳加工得到的多对侧栅电极。当在侧栅电极上施加多对电压,可局域调控复杂强关联氧化物微纳米线金属绝缘体转变,实现多值信息存储。同时在该器件上可实现“非”、“与非”、“或非”等逻辑运算。采用电场调控读写数据,有利于降低器件存储单元功耗,同时将多值存储和逻辑运算集于同一器件单元,可简化器件结构,提高集成度。采用不同对电极写入数据,有利于独立的对各对电极进行调控和优化。

    一种基于N型碲单质半导体的非线性霍尔整流器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118748907A

    公开(公告)日:2024-10-08

    申请号:CN202410785257.6

    申请日:2024-06-18

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于N型碲单质半导体的非线性霍尔整流器及其制备方法。本发明制备方法包括水热法生长碲纳米片,微纳工艺将样品制成霍尔长条,蒸镀镍/金作为接触电极,整体覆盖有氧化铝薄膜用于载流子浓度调节与器件保护。本发明的整流器依托于非线性霍尔效应产生的谐振信号与整流信号,在经过氧化铝调节后,可以将P型碲调控为N型碲,进一步通过施加背栅压,费米能级接近导带底Weyl点,得到很强的非线性霍尔整流信号。本发明得到的碲的器件在室温下表现出很高性能的整流电压响应度,可达1.7×106 V/W。

    一种集多值存储和逻辑运算于一体的器件单元及操作方法

    公开(公告)号:CN108417709B

    公开(公告)日:2020-03-20

    申请号:CN201810111023.8

    申请日:2018-02-05

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于多值存储和逻辑运算技术领域,具体为一种集多值存储与逻辑运算于一体的器件单元及其操作方法。本发明器件单元包括由复杂强关联氧化物薄膜制备成的微纳米线、生长薄膜的衬底以及在其表面微纳加工得到的多对侧栅电极。当在侧栅电极上施加多对电压,可局域调控复杂强关联氧化物微纳米线金属绝缘体转变,实现多值信息存储。同时在该器件上可实现“非”、“与非”、“或非”等逻辑运算。采用电场调控读写数据,有利于降低器件存储单元功耗,同时将多值存储和逻辑运算集于同一器件单元,可简化器件结构,提高集成度。采用不同对电极写入数据,有利于独立的对各对电极进行调控和优化。

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