公开(公告)号：CN101383482A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810213793.X

申请日：2008-09-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫崎启介

IPC: H01S5/022

CPC classification number: H01S5/02268 ,  B82Y20/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/4031 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004

Abstract: 一种半导体激光装置，包括：基台，其具有彼此平行的前表面和后表面，并具有60％或更高的可见光透射率，所述后表面对应于相对面；连接电极，其形成于所述前表面上；以及半导体激光元件，其通过所述连接电极被封装在所述基台上，并且在平行于所述前表面的方向上发射激光束。

公开(公告)号：CN1241306C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200310104661.0

申请日：2003-10-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森本泰司 ,  宫崎启介 ,  辰巳正毅 ,  和田一彦 ,  上田祯亮

IPC: H01S5/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087

Abstract: 提供一种在单一基片上具有多个激光器部分(102，103)的半导体激光器器件(100)，其中每个部分振荡一种不同波长的激光，多个激光器部分(102，103)分别含有不同类型的掺杂剂。同时提供制作半导体激光器器件(100)的方法，在单一基片上形成多个激光器部分(102，103)，每个部分振荡一种不同波长的激光，一开始以一种晶体生长方法形成一个激光器部分，而接着以一种不同的晶体生长方法形成另一个激光器部分。

公开(公告)号：CN1499680A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310104661.0

申请日：2003-10-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森本泰司 ,  宫崎启介 ,  辰巳正毅 ,  和田一彦 ,  上田祯亮

IPC: H01S5/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3432 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087

Abstract: 提供一种在单一基片上具有多个激光器部分(102，103)的半导体激光器器件(100)，其中每个部分振荡一种不同波长的激光，多个激光器部分(102，103)分别含有不同类型的掺杂剂。同时提供制作半导体激光器器件(100)的方法，在单一基片上形成多个激光器部分(102，103)，每个部分振荡一种不同波长的激光，一开始以一种晶体生长方法形成一个激光器部分，而接着以一种不同的晶体生长方法形成另一个激光器部分。