公开(公告)号：CN108140341A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680037763.0

申请日：2016-07-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小坂知裕 ,  原猛 ,  冈部达 ,  石田和泉 ,  村重正悟 ,  纪藤贤一 ,  锦博彦

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/22

Abstract: 抑制在设置于基板与TFT之间的绝缘膜或者基板的表面生成突起物。有源矩阵基板具备：绝缘基板(100)；表面覆盖膜(110)，其覆盖绝缘基板的表面的至少一部分；绝缘性透光膜(204)，其设置在包括表面覆盖膜的绝缘基板上；栅极线；栅极绝缘膜；薄膜晶体管；数据线；以及引出配线(115)。在绝缘基板的周缘部形成未设置有绝缘性透光膜的区域。引出配线被设为，在从与绝缘基板垂直的方向观察时，与绝缘性透光膜的外周端部交叉。表面覆盖膜也设置于未设置有绝缘性透光膜的区域中与绝缘性透光膜的外周端部接触的部分。

公开(公告)号：CN102227761A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200980148176.9

申请日：2009-11-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中村涉 ,  纪藤贤一 ,  田中哲宪 ,  原猛 ,  中野悠哉

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/133502 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2202/00 ,  G02F2203/01 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5281

Abstract: 本发明提供显示面板用的基板和具有它的显示面板。该显示面板用的基板中，设置在上述基板上的显示区域内的配线(102、106、107、113)由多层构成，上述多层的最上层(102c、106c、107c、113c)由选自铜、钛和钼中的第一金属的氧化物或铜的氮化物构成，因此，能够抑制外部光的反射，提高明室中的对比度。

公开(公告)号：CN104620389B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201380047510.8

申请日：2013-09-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 嶋田幸峰 ,  锦博彦 ,  纪藤贤一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/50 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/441 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置(101)包括：基板(1)；以氧化物半导体层(6)为有源层的薄膜晶体管(10)；覆盖薄膜晶体管的保护层(11)；配置在保护层(11)与基板(1)之间的金属层(9d、9t)；形成在保护层(11)上的透明导电层(13、13t)；和用于将金属层(9d、9t)与透明导电层(13、13t)电连接的连接部(20、30)，连接部(20、30)具有与氧化物半导体层(6)由相同的氧化物膜形成、且电阻比氧化物半导体层(6)低的氧化物连接层(6a、6t)，金属层(9d、9t)经氧化物连接层(6a、6t)与透明导电层(13、13t)电连接。

公开(公告)号：CN102834547B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201180007492.1

申请日：2011-01-28

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 安谷屋智幸 ,  冈部哲 ,  后藤敏之 ,  丸山岳人 ,  小林和树 ,  田中惠一 ,  中村涉 ,  纪藤贤一 ,  田中哲宪

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/067 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的蚀刻方法，该蚀刻液含有：(A)过氧化氢、(B)硝酸、(C)氟离子供给源、(D)唑类、(E)季铵氢氧化物和(F)过氧化氢稳定剂，且pH为1.5~2.5。

公开(公告)号：CN102473369B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201080032650.4

申请日：2010-05-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 胜井宏充 ,  纪藤贤一 ,  中村涉

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1345 ,  G09F9/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/06 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/3258

Abstract: 提供能防止覆盖有机绝缘膜的端面的透明导电膜的缺陷引起的金属电极的腐蚀的配线基板。有源矩阵基板(20)在玻璃基板(21)上设有：扫描配线(22)、栅极绝缘膜(24)、层间绝缘膜(29)、透明电极(33)。在扫描配线(22)中设有在扫描配线(22)上直接层叠有透明电极(33)的端子部(55)。透明电极(33)覆盖层间绝缘膜(29)的端面(29a)和栅极绝缘膜(24)的端面(24a)，延伸配置到端子部(55)。与端子部(55)相对的层间绝缘膜(29)的端面(29a)比与端子部(55)相对的栅极绝缘膜(24)的端面(24a)远离端子部。

公开(公告)号：CN113228415B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201980081557.3

申请日：2019-12-02

Applicant: 夏普株式会社 ,  集美塔公司

Inventor： 纪藤贤一 ,  原猛 ,  中野晋 ,  田中义规 ,  R·A·史蒂文森 ,  S·林恩 ,  C·瓦雷尔 ,  C·肖特 ,  F·陈

IPC: H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1339 ,  H01L29/786

公开(公告)号：CN104641285B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201380048277.5

申请日：2013-09-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  锦博彦 ,  原猛 ,  纪藤贤一 ,  越智久雄

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1345 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/133388 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 阵列基板(半导体装置)(11b)具备：配置于显示部(AA)的显示部用TFT(显示部用晶体管)(17)；配置于非显示部(NAA)的非显示部用TFT(非显示部用晶体管)(29)；配置于非显示部(NAA)并由第二层间绝缘膜(41)形成的上层侧绝缘部(31)；和配置于非显示部(NAA)并由第一层间绝缘膜(39)形成且层叠于上层侧绝缘部(31)的下层侧的下层侧绝缘部(30)。

公开(公告)号：CN104641285A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201380048277.5

申请日：2013-09-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  锦博彦 ,  原猛 ,  纪藤贤一 ,  越智久雄

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1345 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/133388 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 阵列基板(半导体装置)(11b)具备：配置于显示部(AA)的显示部用TFT(显示部用晶体管)(17)；配置于非显示部(NAA)的非显示部用TFT(非显示部用晶体管)(29)；配置于非显示部(NAA)并由第二层间绝缘膜(41)形成的上层侧绝缘部(31)；和配置于非显示部(NAA)并由第一层间绝缘膜(39)形成且层叠于上层侧绝缘部(31)的下层侧的下层侧绝缘部(30)。

公开(公告)号：CN113228415A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980081557.3

申请日：2019-12-02

Applicant: 夏普株式会社 ,  集美塔公司

Inventor： 纪藤贤一 ,  原猛 ,  中野晋 ,  田中义规 ,  R·A·史蒂文森 ,  S·林恩 ,  C·瓦雷尔 ,  C·肖特 ,  F·陈

IPC: H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1339 ,  H01L29/786

Abstract: 一种扫描天线，具有包含多个天线单位(U)的发送接收区域(R1)和发送接收区域外的非发送接收区域(R2)。扫描天线具有：TFT基板(101)；缝隙基板(201A)；液晶层(LC)，其设置于TFT基板与缝隙基板之间；密封部(73)，其设置于非发送接收区域，包围液晶层；以及反射导电板(65)，其配置为隔着电介质层(54)与第2电介质基板(51)的第2主面相对。缝隙电极(55)具有在非发送接收区域内的由密封部包围的区域内形成的开口部(56h)或凹部(56d)。

公开(公告)号：CN110192306A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201880006489.X

申请日：2018-01-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大类贵俊 ,  大竹忠 ,  中村涉 ,  箕浦洁 ,  纪藤贤一

IPC: H01Q3/34 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  H01L29/786 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06 ,  G02F1/1368

Abstract: 扫描天线(1000)具有：TFT基板(101)，其具有支撑于第1电介质基板(1)的多个TFT、以及多个贴片电极(15)；缝隙基板(201C)，其具有支撑于第2电介质基板(51)的缝隙电极(55)；液晶层，其设置在TFT基板与缝隙基板之间；以及反射导电板(65)，其以隔着电介质层与上述第2电介质基板相对的方式配置。缝隙电极(55)具有与多个贴片电极(15)对应地配置的多个缝隙(57)，贴片电极(15)连接到对应的TFT的漏极，缝隙电极(55)具有Cu层(55MC、55MD)、以及下侧金属层(55LC、55LD)和/或上侧金属层(55UD)，下侧金属层和/或上侧金属层使Cu层具有的拉伸应力减小约一半以上。