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公开(公告)号：CN104170105B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201380013663.0
申请日：2013-02-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/62 , F21K9/00 , F21Y115/10
CPC classification number: F21V15/01 , F21V19/002 , G02B6/0023 , G02B6/0073 , G02B6/009 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
Abstract: 缓冲部(12)的顶端面(12a)高于壳体部件膨胀而与发光装置(10)碰撞，缓冲部(12)也会与导光体(106)抵接从而受到导光体(106)的力。其结果，防止导光体(106)的力传递给壳体部件(4)。因此，能够增多入射到导光体(106)的光束的量，并且能够降低因导光体(106)的热膨胀所引起的断线不良的发生概率。(4)的上端面(4a)。由此，即便导光体(106)因热
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公开(公告)号：CN104170105A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380013663.0
申请日：2013-02-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/62 , F21S2/00 , F21Y101/02
CPC classification number: F21V15/01 , F21V19/002 , G02B6/0023 , G02B6/0073 , G02B6/009 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
Abstract: 缓冲部(12)的顶端面(12a)高于壳体部件(4)的上端面(4a)。由此，即便导光体(106)因热膨胀而与发光装置(10)碰撞，缓冲部(12)也会与导光体(106)抵接从而受到导光体(106)的力。其结果，防止导光体(106)的力传递给壳体部件(4)。因此，能够增多入射到导光体(106)的光束的量，并且能够降低因导光体(106)的热膨胀所引起的断线不良的发生概率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106463583A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580010216.9
申请日：2015-04-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49113 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提高蓝绿色的光与黄色或者黄绿色的光的颜色纯度。发光装置(100)至少发出蓝绿色的光以及黄绿色的光，其具备：基板(51)；LED芯片群；和将LED芯片群一起密封的密封树脂部及绿色LED芯片(GY)、蓝色LED芯片(B)、和红色LED芯片(R)，绿色LED芯片(GB)的主波长比绿色LED芯片(GY)的主波长短。(50)，LED芯片群至少包含：绿色LED芯片(GB)以
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公开(公告)号：CN106463583B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201580010216.9
申请日：2015-04-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/48
Abstract: 本发明提高蓝绿色的光与黄色或者黄绿色的光的颜色纯度。发光装置(100)至少发出蓝绿色的光以及黄绿色的光，其具备：基板(51)；LED芯片群；和将LED芯片群一起密封的密封树脂部(50)，LED芯片群至少包含：绿色LED芯片(GB)以及绿色LED芯片(GY)、蓝色LED芯片(B)、和红色LED芯片(R)，绿色LED芯片(GB)的主波长比绿色LED芯片(GY)的主波长短。
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公开(公告)号：CN101614339B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200910150345.4
申请日：2009-06-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S2/00 , F21V7/00 , F21V7/05 , F21V23/06 , F21V19/00 , F21V7/22 , F21V29/00 , F21V9/10 , H01L33/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/62 , F21K9/23 , F21Y2101/00 , F21Y2115/10 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/641 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01056 , H01L2924/01058 , H01L2924/01063 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2933/0066 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供发光装置、面光源及发光装置用封装件的制造方法。本发明的发光装置在基板的上方具有射出光的半导体装置及多个外部连接端子，还具备：光反射层，其形成于所述基板上，反射来自所述半导体装置的射出光；被覆层，其至少被覆所述光反射层，且使在所述光反射层反射的光透过。另外，所述半导体装置形成于所述被覆层上，并且，经由连接部与所述外部连接端子进行电连接，以覆盖所述半导体装置和所述连接部的方式用密封树脂密封。从而，所述发光装置的光的取出效率高，且能够防止反射层的变质、劣化、及反射率的降低。
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公开(公告)号：CN101614339A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910150345.4
申请日：2009-06-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S2/00 , F21V7/00 , F21V7/05 , F21V23/06 , F21V19/00 , F21V7/22 , F21V29/00 , F21V9/10 , H01L33/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/62 , F21K9/23 , F21Y2101/00 , F21Y2115/10 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/641 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01056 , H01L2924/01058 , H01L2924/01063 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2933/0066 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供发光装置、面光源及发光装置用封装件的制造方法。本发明的发光装置在基板的上方具有射出光的半导体装置及多个外部连接端子，还具备：光反射层，其形成于所述基板上，反射来自所述半导体装置的射出光；被覆层，其至少被覆所述光反射层，且使在所述光反射层反射的光透过。另外，所述半导体装置形成于所述被覆层上，并且，经由连接部与所述外部连接端子进行电连接，以覆盖所述半导体装置和所述连接部的方式用密封树脂密封。从而，所述发光装置的光的取出效率高，且能够防止反射层的变质、劣化、及反射率的降低。
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公开(公告)号：CN1750337A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510113278.0
申请日：2005-08-17
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 近藤正树
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/34326 , H01S5/3436
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器件及其制造方法。在所述半导体激光器件中，第一覆层(2)、量子阱有源层(3)、第二覆层(4)以及蚀刻停止层(5)以该顺序依次堆叠在衬底(1)上。在蚀刻停止层(5)上设置由第三覆层(14)和接触层(6)组成的条状脊形部分(11)。在脊形部分(11)上提供p侧电极(31)。除了接触层(6)之外的脊形部分(11)的侧面用介质膜(21)覆盖。接触层(6)具有比大致与衬底(1)平行的介质膜(21)的部分膜厚度更大的层厚度。
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