公开(公告)号：CN110422822A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201910676158.3

申请日：2019-07-25

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘军山 ,  单晗 ,  张悦 ,  张之昊 ,  郭洪吉 ,  宋晓圆 ,  徐征 ,  刘冲

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种用于制造三层结构干电极的转印方法，属于微纳器件制造与生物医学领域。首先，在硅等基片表面依次沉积一层牺牲层、一层保护层和一层金属电极层；接着，在金属电极层表面旋涂一层聚酰亚胺薄膜，并利用光刻工艺对聚酰亚胺薄膜进行图形化；然后，以图形化的聚酰亚胺薄膜作为腐蚀掩蔽层，利用腐蚀工艺对金属电极层进行图形化；最后，腐蚀掉保护层和牺牲层，将图形化的聚酰亚胺薄膜和金属电极层转印到可延展薄膜基底表面。本发明避免使用耗时的反应离子刻蚀工艺，采用简单的光刻工艺便可完成聚酰亚胺薄膜的图形化；另外，通过采用牺牲层工艺，只需进行一次图形转移，可将聚酰亚胺薄膜和金属电极层转印到薄膜基底表面，简化三层结构干电极的制造流程。

公开(公告)号：CN110422822B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201910676158.3

申请日：2019-07-25

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘军山 ,  单晗 ,  张悦 ,  张之昊 ,  郭洪吉 ,  宋晓圆 ,  徐征 ,  刘冲

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种用于制造三层结构干电极的转印方法，属于微纳器件制造与生物医学领域。首先，在硅等基片表面依次沉积一层牺牲层、一层保护层和一层金属电极层；接着，在金属电极层表面旋涂一层聚酰亚胺薄膜，并利用光刻工艺对聚酰亚胺薄膜进行图形化；然后，以图形化的聚酰亚胺薄膜作为腐蚀掩蔽层，利用腐蚀工艺对金属电极层进行图形化；最后，腐蚀掉保护层和牺牲层，将图形化的聚酰亚胺薄膜和金属电极层转印到可延展薄膜基底表面。本发明避免使用耗时的反应离子刻蚀工艺，采用简单的光刻工艺便可完成聚酰亚胺薄膜的图形化；另外，通过采用牺牲层工艺，只需进行一次图形转移，可将聚酰亚胺薄膜和金属电极层转印到薄膜基底表面，简化三层结构干电极的制造流程。