公开(公告)号：CN110422822B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201910676158.3

申请日：2019-07-25

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘军山 ,  单晗 ,  张悦 ,  张之昊 ,  郭洪吉 ,  宋晓圆 ,  徐征 ,  刘冲

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种用于制造三层结构干电极的转印方法，属于微纳器件制造与生物医学领域。首先，在硅等基片表面依次沉积一层牺牲层、一层保护层和一层金属电极层；接着，在金属电极层表面旋涂一层聚酰亚胺薄膜，并利用光刻工艺对聚酰亚胺薄膜进行图形化；然后，以图形化的聚酰亚胺薄膜作为腐蚀掩蔽层，利用腐蚀工艺对金属电极层进行图形化；最后，腐蚀掉保护层和牺牲层，将图形化的聚酰亚胺薄膜和金属电极层转印到可延展薄膜基底表面。本发明避免使用耗时的反应离子刻蚀工艺，采用简单的光刻工艺便可完成聚酰亚胺薄膜的图形化；另外，通过采用牺牲层工艺，只需进行一次图形转移，可将聚酰亚胺薄膜和金属电极层转印到薄膜基底表面，简化三层结构干电极的制造流程。

公开(公告)号：CN108910818B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201810635036.5

申请日：2018-06-12

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘军山 ,  郭洪吉 ,  初永志 ,  徐征 ,  宋满仓 ,  刘冲

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种柔性聚合物表面上金属纳米裂纹的制造方法，属于微机电系统和微纳米加工技术领域。首先，利用磁控溅射等薄膜沉积方法在柔性聚合物表面沉积一层金属薄膜；其次，采用光刻工艺在金属薄膜表面进行光刻胶的图形化；然后对柔性聚合物进行弯曲使得金属薄膜产生纳米裂纹；最后，去除金属薄膜表面的光刻胶。本发明不仅可以精确控制柔性聚合物表面上金属纳米裂纹的图形，而且对于金属薄膜材料的种类、金属薄膜与柔性聚合物之间的界面结合力等没有限制。

公开(公告)号：CN110422822A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201910676158.3

申请日：2019-07-25

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘军山 ,  单晗 ,  张悦 ,  张之昊 ,  郭洪吉 ,  宋晓圆 ,  徐征 ,  刘冲

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种用于制造三层结构干电极的转印方法，属于微纳器件制造与生物医学领域。首先，在硅等基片表面依次沉积一层牺牲层、一层保护层和一层金属电极层；接着，在金属电极层表面旋涂一层聚酰亚胺薄膜，并利用光刻工艺对聚酰亚胺薄膜进行图形化；然后，以图形化的聚酰亚胺薄膜作为腐蚀掩蔽层，利用腐蚀工艺对金属电极层进行图形化；最后，腐蚀掉保护层和牺牲层，将图形化的聚酰亚胺薄膜和金属电极层转印到可延展薄膜基底表面。本发明避免使用耗时的反应离子刻蚀工艺，采用简单的光刻工艺便可完成聚酰亚胺薄膜的图形化；另外，通过采用牺牲层工艺，只需进行一次图形转移，可将聚酰亚胺薄膜和金属电极层转印到薄膜基底表面，简化三层结构干电极的制造流程。

公开(公告)号：CN108910818A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810635036.5

申请日：2018-06-12

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘军山 ,  郭洪吉 ,  初永志 ,  徐征 ,  宋满仓 ,  刘冲

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种柔性聚合物表面上金属纳米裂纹的制造方法，属于微机电系统和微纳米加工技术领域。首先，利用磁控溅射等薄膜沉积方法在柔性聚合物表面沉积一层金属薄膜；其次，采用光刻工艺在金属薄膜表面进行光刻胶的图形化；然后对柔性聚合物进行弯曲使得金属薄膜产生纳米裂纹；最后，去除金属薄膜表面的光刻胶。本发明不仅可以精确控制柔性聚合物表面上金属纳米裂纹的图形，而且对于金属薄膜材料的种类、金属薄膜与柔性聚合物之间的界面结合力等没有限制。