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公开(公告)号：CN102324448B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201110281968.2
申请日：2011-09-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十八研究所 , 天津蓝天太阳科技有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种倒装三结InGaN太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：⑴载体上蒸镀反射层，反射层上溅射两个金属凸点；⑵衬底上依次生成GaN成核层、GaN缓冲层、第一InGaN电池、第一隧道结、第二InGaN电池、第二隧道结、第三InGaN电池、帽层、半透明电流扩展层；⑶第一次光刻；⑷干法蚀刻；⑸第二次光刻；⑹正、负电极蒸镀，构成太阳电池器件；⑺将步骤⑹中正、负电极与步骤⑴中两个金属凸点键合。本发明采用倒装结构、帽层，载体与正、负电极间键合的金属凸点，充分吸收了太阳光谱，外量子效率超过70%，提高了光电转换效率，延长了电池的使用寿命，加强了电池工作的稳定性，并可作为完整的电池直接应用。
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公开(公告)号：CN102751368B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210246805.5
申请日：2012-07-17
Applicant: 天津蓝天太阳科技有限公司 , 中国电子科技集团公司第十八研究所
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种InGaN/Si双结太阳能电池，包括n-Si衬底，其上面依次有AlN成核层、GaN缓冲层、n-InxGa1-xN层、p-InxGa1-xN层、正电极，其特点是：成核层和衬底之间有p-Si层，与n-Si衬底形成Si底电池；p-InxGa1-xN层上面蒸镀有半透明电流扩展层；负电极蒸镀于n-Si衬底下面。本发明由于在n-Si衬底和AlN成核层之间形成了p-Si层，与n-Si衬底形成了Si底电池，易于制备、电池的总转换效率高；通过蒸镀半透明电流扩展层，抗辐射能力强，电池的使用寿命长；负电极蒸镀于n-Si衬底下面，简化了工艺，降低了成本，还可当反射镜使用，进一步提高了电池的总转换效率。
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公开(公告)号：CN102324443A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110281900.4
申请日：2011-09-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十八研究所 , 天津蓝天太阳科技有限公司
IPC: H01L31/06 , H01L31/068 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种倒装三结InGaN太阳能电池，包括一衬底，其下依次为GaN成核层、GaN缓冲层、三结InGaN电池和之间的隧道结、半透明电流扩展层，半透明电流扩展层下的正电极和第一InGaN电池下的负电极；半透明电流扩展层和第三InGaN电池之间置有帽层，正、负电极通过金属凸点键合于蒸镀有反射层的载体上。本发明采用倒装结构三结太阳能电池以及InGaN材料生长过程之后的高掺杂层作帽层、金属凸点和载体，充分吸收了太阳光谱，外量子效率超过70%，提高了光电转换效率，延长了电池的使用寿命，加强了电池工作的稳定性，并可作为完整的电池直接应用。
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公开(公告)号：CN117276119A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310978826.4
申请日：2023-08-04
Applicant: 天津蓝天太阳科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多结砷化镓太阳电池的衬底剥离清洗工装及其工作方法，所述工装包括提手、可拆卸装配于所述提手上的一组或多组托盘以及盖板，所述托盘的底部设有通孔供清洗液通过，所述托盘的外周边缘凸起以容纳晶圆产品所述托盘上设有多个用于容纳小电池的凹槽，所述凹槽的边缘固定有挡板以防止位于其内部的太阳电池本体移位；所述盖板可匹配盖合于所述托盘上，所述盖板上设有孔洞，保证清洗液顺利通过。本发明的临时衬底剥离及清洗工装，相对于传统手法，大大提高产能，最高可提升数十倍。
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公开(公告)号：CN102751368A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210246805.5
申请日：2012-07-17
Applicant: 天津蓝天太阳科技有限公司 , 中国电子科技集团公司第十八研究所
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种InGaN/Si双结太阳能电池，包括n-Si衬底，其上面依次有AlN成核层、GaN缓冲层、n-InxGa1-xN层、p-InxGa1-xN层、正电极，其特点是：成核层和衬底之间有p-Si层，与n-Si衬底形成Si底电池；p-InxGa1-xN层上面蒸镀有半透明电流扩展层；负电极蒸镀于n-Si衬底下面。本发明由于在n-Si衬底和AlN成核层之间形成了p-Si层，与n-Si衬底形成了Si底电池，易于制备、电池的总转换效率高；通过蒸镀半透明电流扩展层，抗辐射能力强，电池的使用寿命长；负电极蒸镀于n-Si衬底下面，简化了工艺，降低了成本，还可当反射镜使用，进一步提高了电池的总转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102738311A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210246406.9
申请日：2012-07-17
Applicant: 天津蓝天太阳科技有限公司 , 中国电子科技集团公司第十八研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种InGaN/Si双结太阳能电池的制备方法，包括在n-Si衬底上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层、n-InxGa1-xN层和p-InxGa1-xN层，并蒸镀正、负电极，其特点是：①在n-Si衬底和AlN成核层之间制p-Si层；②在p-InxGa1-xN层上制半透明电流扩展层；③在n-Si衬底背面制负电极。本发明由于在n-Si衬底和AlN成核层之间有p-Si层，p-Si层与n-Si衬底形成了Si底电池，易于制备、电池总转换效率高；蒸镀半透明电流扩展层，抗辐射能力强，电池使用寿命长；负电极蒸镀于n-Si衬底下面，简化了工艺，降低了成本，还可当反射镜使用，进一步提高了电池的总转换效率。
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公开(公告)号：CN102339890A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110295265.5
申请日：2011-09-28
Applicant: 天津蓝天太阳科技有限公司
IPC: H01L31/072 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种新型三结砷化镓太阳电池，所述中电池本征区的总厚度为0.1～2.4微米且由多个周期的量子点层/应变补偿层相互叠加构成；每周期的量子点层/应变补偿层中位于下部的量子点层的材料为InxGa1-xAs，厚度为1～6个亚单层，位于量子点层上方的应变补偿层的材料为GaNyAs1-y，厚度为0.02～0.04微米，所述0.4≤x≤1，0.001≤y≤0.5。本发明中，在中电池本征区中引入量子点结构，形成中间带，利用应变补偿层，使量子点层上的量子点密度达到1011每平方厘米，整体尺寸均匀，可以有效的利用不同波段的太阳光，使太阳电池的整体电流密度显著增加，提高了电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN102324448A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110281968.2
申请日：2011-09-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十八研究所 , 天津蓝天太阳科技有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种倒装三结InGaN太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：⑴载体上蒸镀反射层，反射层上溅射两个金属凸点；⑵衬底上依次生成GaN成核层、GaN缓冲层、第一InGaN电池、第一隧道结、第二InGaN电池、第二隧道结、第三InGaN电池、帽层、半透明电流扩展层；⑶第一次光刻；⑷干法蚀刻；⑸第二次光刻；⑹正、负电极蒸镀，构成太阳电池器件；⑺将步骤⑹中正、负电极与步骤⑴中两个金属凸点键合。本发明采用倒装结构、帽层，载体与正、负电极间键合的金属凸点，充分吸收了太阳光谱，外量子效率超过70%，提高了光电转换效率，延长了电池的使用寿命，加强了电池工作的稳定性，并可作为完整的电池直接应用。
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公开(公告)号：CN119836051A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411960449.2
申请日：2024-12-30
Applicant: 天津蓝天太阳科技有限公司
IPC: H10F77/16 , H10F77/124 , H10F77/30 , H10F10/10 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开了一种外延位错分布受控的太阳电池外延结构、太阳电池及其制造方法，从下到上依次为GaAs衬底、GaAs成核层、GaInP腐蚀阻挡层、GaAs接触层、GaInP顶电池、第一隧穿结、第一渐变缓冲层、GaInAs中间电池、第二隧穿结、晶格过冲层、第二渐变缓冲层、GaInAs底电池以及GaInAs接触层；其中，所述第一渐变缓冲层为AlGaInAs晶格渐变缓冲层，在第一渐变缓冲层中，从初始层到目标渐变层，In组分非线性增大；第二渐变缓冲层为AlGaInAs晶格渐变缓冲层，在第二渐变缓冲层中，In组分从初始层非线性增大到目标渐变层过程中，目标渐变层的前一层In组分含量高于目标渐变层；晶格过冲层中In组分含量高于第二渐变缓冲层的初始层中的In组分含量。可有效提高太阳电池的光电效率。
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公开(公告)号：CN102983210B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210378165.3
申请日：2012-10-08
Applicant: 天津蓝天太阳科技有限公司 , 中国电子科技集团公司第十八研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种GaAs体系四结太阳能电池的制备方法，其特点是：采用MOCVD在Ge衬底上面依次生长第一结Ge电池、成核层、缓冲层、第一隧道结、第二结GaInAs电池、第二隧道结、第三结AlxGa1-xAs电池、第三隧道结、第四结GaInP2电池和GaAs帽层。本发明由于采用了与Ge衬底晶格完全匹配的GaInP2/AlxGa1-xAs/GaInAs/Ge各子电池材料及制作过程，有效提高了太阳电池的效率；开路电压提高到4V，实现了高电压低电流特性；电池器件制作工艺能够与GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池完全兼容，简化了制备工艺，降低了制作成本，在可行性方面非常容易实现。
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