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公开(公告)号:CN109794249B
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN201910075645.4
申请日:2019-01-25
Applicant: 太原理工大学
IPC: B01J23/80
Abstract: 本发明涉及一种层状硅酸铜锌纳米片的制备方法,属于层状材料合成工艺领域。包括以下步骤:将Na2SiO3·9H2O和SiO2气凝胶于去离子水中搅拌均匀,置于马弗炉中从室温升温至720℃,即得层状硅酸钠Na2Si2O5。将Zn(NO3)2·6H2O和Cu(NO3)2·3H2O混合加入去离子水,搅拌形成澄清透明溶液;将Na2Si2O5加入至澄清透明溶液中,超声进行充分离子交换,后过滤,干燥,干燥后在300℃的环境下焙烧,即得层状硅酸铜锌催化剂。本发明所述层状硅酸铜锌纳米片的制备方法,步骤简易,便于操作且容易实现,并且通过本发明所述方法能够该方法成功合成出层状硅酸铜锌催化剂。
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公开(公告)号:CN109794249A
公开(公告)日:2019-05-24
申请号:CN201910075645.4
申请日:2019-01-25
Applicant: 太原理工大学
IPC: B01J23/80
Abstract: 本发明涉及一种层状硅酸铜锌纳米片的制备方法,属于层状材料合成工艺领域。包括以下步骤:将Na2SiO3·9H2O和SiO2气凝胶于去离子水中搅拌均匀,置于马弗炉中从室温升温至720℃,即得层状硅酸钠Na2Si2O5。将Zn(NO3)2·6H2O和Cu(NO3)2·3H2O混合加入去离子水,搅拌形成澄清透明溶液;将Na2Si2O5加入至澄清透明溶液中,超声进行充分离子交换,后过滤,干燥,干燥后在300℃的环境下焙烧,即得层状硅酸铜锌催化剂。本发明所述层状硅酸铜锌纳米片的制备方法,步骤简易,便于操作且容易实现,并且通过本发明所述方法能够该方法成功合成出层状硅酸铜锌催化剂。
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公开(公告)号:CN114597281A
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN202210191109.2
申请日:2022-02-26
Applicant: 太原理工大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/024 , H01L31/18
Abstract: 掺β‑Ga2O3和P型金刚石的紫外探测器,属于半导体应用领域,它包括衬底、P型金刚石膜、薄膜、掺杂层和Ti/Ag电路;所述衬底为金刚石;所述衬底上表面设置P型金刚石膜,P型金刚石膜上面制备有薄膜;所述薄膜为β‑Ga2O3薄膜;薄膜上面制备有掺杂层。入射紫外光照射到器件表面时,被掺杂β‑Ga2O3与P型金刚石层组成的异质结吸收,产生的少数载流子注入积累到金刚石衬底中。本发明可有效解决β‑Ga2O3紫外探测器的散热问题,且能够通过氮对β‑Ga2O3的掺杂,实现带隙的调控从而实现紫外的宽光谱探测,并且探测器中设有异质结,入射光照射到器件表面时,被半导体衬底和异质结吸收,可提高系统的响应速度和可靠性。
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公开(公告)号:CN114597281B
公开(公告)日:2024-01-30
申请号:CN202210191109.2
申请日:2022-02-26
Applicant: 太原理工大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/024 , H01L31/18
Abstract: 掺β ‑Ga2O3和P型金刚石的紫外探测器,属于半导体应用领域,它包括衬底、P型金刚石膜、薄膜、掺杂层和Ti/Ag电路;所述衬底为金刚石;所述衬底上表面设置P型金刚石膜,P型金刚石膜上面制备有薄膜;所述薄膜为β ‑Ga2O3薄膜;薄膜上面制备有掺杂层。入射紫外光照射到器件表面时,被掺杂β ‑Ga2O3与P型金刚石层组成的异质结吸收,产生的少数载流子注入积累到金刚石衬底中。本发明可有效解决β‑Ga2O3紫外探测器的散热问题,且能够通过氮对β ‑Ga2O3的掺杂,实现带隙的调控从而实现紫外的宽光谱探测,并且探测器中设有异质结,入射光照射到器件表面时,被半导体衬底和异质结吸收,可提高系统的响应速度和可靠性。
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