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公开(公告)号：CN115255642B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202211056052.1
申请日：2022-08-31
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
IPC: B23K26/342 , B23K26/082 , B23K26/00 , B08B7/02 , B23K103/18
Abstract: 本发明提供了一种铜靶材与铝合金背板焊接的方法，所述方法包括以下步骤：(1)铝合金背板表面激光熔覆铜增材，得到覆铜铝合金背板；(2)所述覆铜铝合金背板的铜增材部分加工出螺纹，对覆铜铝合金背板和铜靶材进行表面处理；(3)所述铜靶材与所述覆铜铝合金背板的熔覆面进行扣合，扣合后整体置于包套，进行热等静压，完成所述铜靶材和铝合金背板的焊接；所述方法通过先在铝合金背板上熔覆铜材料，铜材料之间能在低温焊接下进行高强度结合，实现了铜靶材与铝合金背板焊接同时满足铜靶材具有小的晶粒尺寸和高的结合强度这两个要求。
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公开(公告)号：CN119462191A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411177397.1
申请日：2024-08-26
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
IPC: C04B37/00
Abstract: 本发明提供一种氮化铝陶瓷加热盘的焊接方法，所述焊接方法首先对氮化铝套筒的焊接面和氮化铝盘体的焊接面均进行精磨加工和清洗，之后在氮化铝套筒的焊接面和氮化铝盘体的焊接面印刷涂布焊接层材料Y2O3‑CaCO3‑SiO2‑MgO；最后进行烧结处理，可得到密封性好、焊接强度高且热导率高的氮化铝陶瓷加热盘，适合大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN117265488B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202311263724.0
申请日：2023-09-27
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种粉末冶金CrSi靶材及其制备方法，所述粉末冶金CrSi靶材的化学成分质量百分比包括：Cr为40～60wt％，Si为40～60wt％。所述制备方法包括如下步骤：(1)保护气氛下，按配方量混合Cr粉和Si粉，装模压实后进行预压，得到混合粉末；(2)对步骤(1)所得混合粉末进行真空热压烧结，得到靶材坯料；(3)对步骤(2)所得靶材坯料进行冷却以及后加工，得到所述粉末冶金CrSi靶材。本发明提供的粉末冶金CrSi靶材致密度达到97％～99％，微观组织均匀，靶材加工性能优异，溅射过程表现良好稳定，可满足使用要求。
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公开(公告)号：CN115430762B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202211064306.4
申请日：2022-08-31
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种加工溅射环配件的装置系统和方法，所述装置系统包括上模板、脱模板和凹模，所述脱模板位于上模板和凹模之间；所述上模板设置有冲头与至少1个导向柱；所述冲头与导向柱穿设于脱模版；所述凹模沿中心轴从上到下依次设置卡槽、成型孔和下料孔，所述卡槽、成型孔和下料孔贯通凹模；所述冲头、卡槽、成型孔和下料孔均与凹模同轴设置；所述方法包括以下步骤：所述片状金属材料移入卡槽，所述冲头受上模板带动向下冲压片状金属材料，受所述成型孔限制形成所述溅射环配件，冲头受上模板带动抬起，溅射环配件碰到所述脱模板后脱离冲头；所述方法一次冲压成型，保证了产品外圆与内壁的尺寸统一，加工效率高，冲压后只需车床一步即可加工至成品，降低了加工损耗，适合工业生产使用。
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公开(公告)号：CN119050009A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411160983.5
申请日：2024-08-22
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种加热盘的制备方法及所得加热盘，具体涉及加热盘技术领域，所述制备方法包括：将固定有加热盘管的模具盖板和浇铸模具装配后进行浇铸，得到加热盘；其中，所述浇铸中辅以超声处理；所述超声处理包括：以浇铸所得熔体高度为基准，随着浇铸的进行，所述超声处理的功率逐渐增加为第一功率，至所得熔体的高度为铸体高度的40‑60％内保持第一功率不变，之后以第一功率逐渐降低至金属浇铸完为第二功率，之后以第二功率进行超声至凝固。本发明提供的制备方法，通过对浇铸一体成型加热盘中辅以特定的超声处理，实现了所得加热盘导热效果的提升，有利于提升加热盘的加热效率，实现半导体相关材料的高效的加热，从而提升最终的生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119017188A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411109190.0
申请日：2024-08-13
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种改善靶材外圆R角崩边的方法，所述方法包括以下步骤：对靶材的外圆结构进行磨削处理，所述靶材的外圆结构包括斜边、与所述斜边连接的倒R角以及与所述倒R角连接的直阶；所述磨削处理包括：先采用直磨头将靶材的外圆进行第一磨削，使靶材外圆加工至产品直径，并加工得到直阶；然后采用斜磨头对靶材的斜边进行第二磨削；之后采用直磨头对斜边和直阶的连接处进行第三磨削，加工得到倒R角。本发明提供的方法针对于具有大斜边且外圆设置倒R角结构的靶材加工，能够在保证保持靶材加工效率的情况下，极大程度地降低硬脆性靶材的报废率，避免靶材崩边问题。
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公开(公告)号：CN118754680A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410934632.9
申请日：2024-07-12
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
IPC: C04B35/593 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸氮化硅陶瓷的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：第一混合烧结助剂与分散剂，得到第一混粉；第二混合氮化硅粉末与第一混粉，得到第二混粉；第三混合粘结剂溶液与第二混粉，得到氮化硅浆料；使用氮化硅浆料进行喷雾造粒，得到球形粉末；球形粉末装模后进行冷等静压成型，得到氮化硅生坯；氮化硅生坯经脱脂与热等静压，得到所述大尺寸氮化硅陶瓷。本发明提供的制备方法能够实现大尺寸氮化硅陶瓷的制备，且工艺简单，易于大批量生产，且所得大尺寸氮化硅陶瓷的致密度高、均匀性好且性能优异。
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公开(公告)号：CN118636265A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410689832.2
申请日：2024-05-30
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
IPC: B28B3/00 , B28B11/24 , B28B17/00 , C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种静电吸盘用氧化铝陶瓷片模压成型制备方法，所述模压成型制备方法将所有原料混合得到的氧化铝浆料，依次进行喷雾造粒、模压成型、冷等静压与机加工、丝网印刷、层叠与烧结，可以制备得到尺寸均匀、加工性能好、高致密、内部电介质层及加热层平整、吸附性能稳定、加热均匀和抗弯性能优异的静电吸盘用氧化铝陶瓷片。
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公开(公告)号：CN118635977A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410943356.2
申请日：2024-07-15
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种硅靶材的表面加工方法，所述表面加工方法包括如下步骤：对待处理硅靶材依次进行粗磨、精磨和化学机械抛光，得到粗糙度＜0.01μm的镜面硅靶材；所述化学机械抛光采用的抛光液包括粒径为80～150nm的二氧化硅悬浮液。本发明所述的表面加工方法操作简单，加工效率高，待处理硅靶材依次进行特定工艺参数的粗磨、精磨和化学机械抛光，得到了表面无明显机械加工纹路的镜面硅靶材，适合大范围推广应用。
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公开(公告)号：CN114713960B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202210391727.1
申请日：2022-04-14
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种锅型靶材的焊接方法，所述焊接方法包括将支撑件和锅型靶材采用电子束焊接；所述支撑件从外到内依次包括第一环和第二环；所述第二环的材质与所述锅型靶材的材质相同；所述锅型靶材设置有环形台阶；所述环形台阶的内圆直径＜所述第二环的内圆直径。本发明提供的焊接方法，通过对支撑件进行特定的设计实现了支撑件和锅型靶材的高效焊接，避免了电子束焊接时熔点差异较大的靶材和支撑件即法兰存在的脱焊及焊接强度不达标的问题。
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