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公开(公告)号：CN119930318A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510141522.1
申请日：2025-02-08
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
IPC: C04B37/00
Abstract: 本发明涉及一种氮化铝陶瓷的无压烧结焊接的方法，所述方法包括以下步骤：球磨混合焊料得到焊料浆料，将焊料浆料采用丝网印刷的方式涂覆在氮化铝基体上形成焊料涂层，经干燥处理后对涂覆有焊料涂层的氮化铝基体进行无压烧结；所述焊料浆料包括焊料与溶剂；所述焊料包括氮化铝、烧结助剂、慢干剂和开油剂。本发明使用的焊料中额外加入慢干剂和开油剂，同时采用丝网印刷的方式将焊料浆料涂覆于氮化铝陶瓷基体上，慢干剂和开油剂有益于焊料浆料涂覆的均匀性，焊料浆料网格状分布于氮化铝陶瓷上有利于后续无压烧结过程中浆料的均匀分布，本发明采用无压烧结的方式，焊接过程中使用与氮化铝烧结相同的无压烧结炉设备即可，实现了较高的焊接强度。
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公开(公告)号：CN119912265A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510101616.6
申请日：2025-01-22
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供了一种CoFeB靶材及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将CoB粉末、Co粉和Fe粉混合，得到混合粉末；将所得混合粉末进行球磨，得到烧结原料；将所得烧结原料进行热压烧结，得到CoFeB靶材。本发明提供的制备方法采用混粉与热压烧结的结合工艺，制备出纯度高、致密度高、透磁率高的高质量CoFeB靶材，简化了CoFeB靶材的整个制备流程，显著降低生产成本。
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公开(公告)号：CN119589103A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411781645.3
申请日：2024-12-05
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
IPC: B23K20/24
Abstract: 本发明提供了一种扩散焊接用钴靶坯的前处理方法，所述前处理方法包括以下步骤：(1)对钴靶坯进行热压后，在钴靶坯焊接面进行铣削加工螺纹，然后进行清洗处理；(2)对步骤(1)清洗处理后的钴靶坯焊接面进行镀膜处理，然后进行超声清洗，得到前处理后的钴靶坯。通过先对钴靶坯进行热压，然后在钴靶坯焊接面依次进行铣削加工螺纹和镀膜处理，可降低钴靶坯与背板的结合难度，从而提高两者间的焊接强度，提高产品的焊接质量和效率。
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公开(公告)号：CN119409511A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411513183.7
申请日：2024-10-28
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
IPC: C04B35/582 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B37/00 , C23C16/46 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种防开裂陶瓷加热盘及其制备方法，采用不同配比的原料，在不同操作参数条件下，依次进行冷等静压成型、热压烧结和机械加工，分别制备得到陶瓷盘体和陶瓷套筒；将陶瓷盘体和陶瓷套筒组装后，经第三热压烧结，得到防开裂陶瓷加热盘。本发明所述的制备方法通过控制陶瓷盘体和陶瓷套筒的热导率在特定的范围，避免陶瓷盘体表面因温差产生裂纹，得到的防开裂陶瓷加热盘适合大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN119319306A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411691379.5
申请日：2024-11-25
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种钴靶材的扩散焊接方法，所述扩散焊接方法包括以下步骤：(1)对钴靶坯焊接面进行镀膜处理，而后进行第二超声波清洗，得到镀膜后的钴靶坯；(2)在背板焊接面第一车削加工与钴靶坯配套的焊接槽，然后对焊接槽表面进行第二车削加工，而后进行第三超声清洗，得到加工后的背板；(3)将步骤(1)镀膜后的钴靶坯与步骤(2)加工后的背板装配后放入包套内，对包套脱气后进行热等静压焊接；步骤(1)与步骤(2)不分先后顺序。本发明通过对背板第一车削加工焊接槽，随后进行第二车削加工，确保钴靶坯与背板间有良好的接触面积的同时，有效管控背板焊接面的洁净度，从而能够提高钴靶坯与背板的焊接强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119260002A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411539336.5
申请日：2024-10-31
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钴铁硼靶材及其制备方法与应用，所述制备方法包括以下步骤：混合原料后，依次进行冷等静压成型、合金化、破碎和烧结，得到所述钴铁硼靶材；所述合金化包括一段煅烧、二段煅烧和三段煅烧；所述一段煅烧的升温终点温度为150℃‑250℃；所述二段煅烧的升温终点温度为400℃‑600℃；所述三段煅烧的升温终点温度为750℃‑900℃。本发明直接将原料混合成型，再通过合金化的三段煅烧，将原料转化为合金化后钴铁硼坯体，将合金化后钴铁硼坯体依次进行破碎和烧结，进一步提高了钴铁硼的均匀性和致密度。因此，通过本发明的制备方法得到的钴铁硼靶材，成分均匀，致密度高，满足磁控溅射对靶材的要求，同时提高了成材率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN119100755A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411221993.5
申请日：2024-09-02
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
IPC: C04B35/01 , C23C14/08 , C23C14/34 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种ITO造粒粉及其制备方法与应用，所述ITO造粒粉的制备方法包括如下步骤：(1)球磨混合氧化锡、氧化铟、粘结剂、分散剂以及去离子水，得到混合浆料；(2)将步骤(1)所得混合浆料进行喷雾造粒，得到ITO造粒粉；步骤(2)所述喷雾造粒的转速为15000‑22000rpm。本发明通过控制喷雾造粒的转速与粘结剂的用量，可以得到粒径较小、流动性较强且粉体破碎率低的ITO造粒粉，能够满足作为靶材原料的性能要求。
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公开(公告)号：CN118724585A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410723091.5
申请日：2024-06-05
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种钛铌氧化物镀膜材料及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：混合五氧化三钛、五氧化二铌、粘结剂、增稠剂以及溶剂，得到浆料；使用浆料进行喷雾造粒，得到粒度D50在45μm以下的粉末；所得粉末经排胶后，使用冷等静压制成生坯，然后破碎，得到破碎颗粒；所得破碎颗粒经无压烧结，得到所述钛铌氧化物镀膜材料。本发明提供的制备方法能够得到高纯度、高致密度、粒度均匀、成材率高的钛铌氧化物镀膜材料。
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公开(公告)号：CN118664258A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410723093.4
申请日：2024-06-05
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
IPC: B23P15/00 , C23C16/46 , C04B35/622 , H05B3/14
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷加热盘及其制备方法与应用，所述陶瓷加热盘的制备方法包括如下步骤：(1)将原料粉末进行模压，所得生坯经过排胶处理与第一机加工，得到待焊接坯体；(2)将包套管与底部盖板进行第一焊接，所得包套主体与步骤(1)所得待焊接坯体进行装配，所述装配中按照陶瓷加热盘的内部结构放入加热丝与电极网，装配后的包套主体与顶部盖板进行第二焊接，得到包套结构；(3)将步骤(2)所得包套结构依次进行脱气处理、热等静压烧结以及后处理，得到所述陶瓷加热盘。本发明采用模压、包套焊接及热等静压烧结的步骤，使制得的陶瓷加热盘具有致密度高、基体强度高、焊接坯体与加热丝结合紧密的特点。
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公开(公告)号：CN118218509A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410329289.5
申请日：2024-03-21
Applicant: 宁波江丰电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种PECVD加热盘加热丝的矫正方法。所述矫正方法包括如下步骤：(1)预处理矫正模块；(2)采用固定装置固定PECVD加热盘加热丝端头，而后将步骤(1)所得矫正模块安装于支撑筒筒口与加热丝之间，完成对加热丝的矫正；所述矫正模块包括钢管；所述钢管的厚度为支撑筒筒口与加热丝的最大间距；所述钢管外径至多比支撑筒筒口直径小0.1mm。本发明提供的矫正方法能有效矫正加热丝的位置，使得加热丝的居中度达到0.3mm以内，进而有效解决因加热丝倾斜导致产品无法安装问题。
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