一种基于校园行为数据分析的大学生心理健康状态评估模型与预警方法

    公开(公告)号:CN116825348A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310701739.4

    申请日:2023-06-14

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明提供了一种基于校园行为数据分析的大学生心理健康状态评估模型与预警方法。传统的心理健康评估方法存在主观性和人工干预的局限性,无法准确、及时地评估学生的心理健康状态。本发明利用学生在校园内的行为数据,如校食堂消费数据、校医院问诊数据、学业数据、课堂出勤数据、日常校园出行数据和人脸识别面部表情数据,结合机器学习和统计分析技术,建立评估模型并进行数据分析,实现对大学生心理健康状态的准确评估和潜在问题的预警。本发明通过对学生行为数据的分析,可以提取出与心理健康相关的特征,并构建心理健康评估与预警模型。该模型能够准确评估学生的心理健康状态,并及时发现潜在问题,为学校和教育机构提供科学的评估工具和决策依据。同时,学生也能够受益于个性化的心理支持和干预措施,促进其心理健康的提升和全面发展。

    一种自驱动钙钛矿横向单晶异质结光电探测器及制备方法

    公开(公告)号:CN115295730A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202210986661.0

    申请日:2022-08-17

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开一种自驱动钙钛矿横向单晶异质结光电探测器及制备方法,包括以下步骤:1)采用逆温结晶法获得α‑FAPbI3单晶种子,并利用逆温结晶法结合种子限域法将所得α‑FAPbI3单晶种子生长成α‑FAPbI3单晶薄片;2)利用逆温结晶法结合种子限域法通过液相外延工艺在所述的α‑FAPbI3单晶薄片上外延生长MAPbI3单晶薄片,形成环形的横向单晶异质结,横向单晶异质结上表面的两侧使用金属Ag作为顶部电极。本发明解决了垂直器件导致的入射光损失、界面上的大量缺陷问题,还能解决在液相外延生长时选取溶液的不同极性可能对上一阶段生长的钙钛矿造成大范围侵蚀和溶解的问题,且制备的光电探测器性能优越。

    钙钛矿埋底界面材料、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN115161027A

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202210782601.7

    申请日:2022-07-05

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了钙钛矿埋底界面材料、制备方法及应用,所述钙钛矿埋底界面材料MXene/SnO2QDs具有纳米级的量子点结构;MXene/SnO2QDs包括Ti3C2TXMXene QDs和SnO2QDs,Ti3C2TX MXene QDs的Ti元素分散在SnO2QDs的基底表面,Sn、O、Ti和C元素的含量分别为20‑25%、70‑75%、1‑2%和0‑1%。本发明有效地提高了器件的导电性、稳定性以及各项性能,显著降低了钙钛矿层的缺陷与空位。为钙钛矿器件的发展提供了新思路,在未来的通信、航天、农业等领域的探测等方面有着广泛的应用前景。

    一种准BIC光滤波器及其手性调控方法

    公开(公告)号:CN119024466A

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202410966948.6

    申请日:2024-07-18

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开一种准BIC光滤波器及其手性调控方法,涉及光学超表面技术领域,包括:光滤波器基于超表面结构,超表面包括若干个方形晶格,每个方形晶格上刻蚀有中断的环形槽;破坏超表面方形晶格中环形槽的面内反转结构对称性至超表面支撑准BIC模式,具体包括将中断环形槽的其中一个槽的一端延长一段距离的同时,相邻槽邻近的一端同时缩短相同的距离,得到在准BIC频点处,将超表面x方向的横磁波切换RCP和LCP时的透射率,根据RCP和LCP的透射率对超表面的圆二色性进行手性调控。

    一种中介低损耗低温共烧陶瓷材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115124340B

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202210747970.2

    申请日:2022-06-29

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种中介低损耗低温共烧陶瓷材料及其制备方法和应用,所述陶瓷材料其原料包括ZnZrNb2O8和锂硼铋硅玻璃;所述锂硼铋硅玻璃的原料按质量百分比包括:10‑30%的Li2CO3、20‑40%的H3BO3、15‑35%的Bi2O3、15‑40%的SiO2。本发明提供的陶瓷材料在850‑950℃烧结良好,锂硼铋硅玻璃和陶瓷基体间不发生化学反应,保证了物相的可控性,同时降低了烧结温度,提高了陶瓷的致密度,具有优异的介电性能,得到的陶瓷材料能与银电极共烧。

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