公开(公告)号：CN115663057A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211335276.6

申请日：2022-10-28

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  黄辉 ,  侯蕊 ,  夏超 ,  李晨曦 ,  周祥 ,  陶金龙 ,  黄志祥

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L21/302

Abstract: 本发明公开了一种基于氢氩混合等离子体温和处理的多层WSe2薄膜光电探测器及其制备方法，该探测器是利用多层WSe2薄膜实现光探测的双端器件，且多层WSe2薄膜通过氢氩混合等离子体进行处理，以减薄WSe2薄膜的层数、并修复多层WSe2晶体的本征缺陷。本发明的光电探测器兼顾高探测率、快响应速度以及低暗电流等优势，具有超高的探测灵敏度，且可用于探测微弱的光信号。

公开(公告)号：CN115663056A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211334839.X

申请日：2022-10-28

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  侯蕊 ,  黄辉 ,  夏超 ,  李晨曦 ,  周祥 ,  陶金龙 ,  黄志祥

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种基于硫化镉纳米线阵列/溴铅铯量子点异质结的钙钛矿光电探测器，其是以镉片为基底，在镉片上生长有作为电子传输层的CdS纳米线阵列，在CdS纳米线阵列上设置有作为光吸收体的CsPbBr3量子点。本发明的光电探测器采用了一种较新的电子传输层材料—CdS纳米线阵列，并且该探测器具有制作方法简易、光电性能优异等优点。

公开(公告)号：CN114141951A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111439768.5

申请日：2021-11-30

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  夏超 ,  侯蕊 ,  黄辉 ,  王宁 ,  周雪 ,  李晨曦 ,  周祥 ,  黄志祥

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种基于溴铅铯/甲基胺溴化铅单晶异质结的窄带光电探测器及其制备方法，是通过CsPbBr3单晶与MAPbBr3单晶所构成的异质结实现光的探测。本发明的光电探测器具有探测波段范围窄、选择性高的优势。

公开(公告)号：CN113130212A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110424858.0

申请日：2021-04-20

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  夏超 ,  胡鑫 ,  黄辉 ,  侯蕊 ,  周雪 ,  王宁

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种基于二硒化铌的水系非对称超级电容器，其是以二硒化铌纳米片作为正极活性材料。本发明所得水系非对称电容器具有优异的电化学性能，能量密度高、循环稳定性好、库伦效率高。

公开(公告)号：CN112820826A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202110067435.8

申请日：2021-01-19

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  王宁 ,  周雪 ,  夏超 ,  黄辉 ,  侯蕊 ,  黄志祥

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于MXene/MoSe2/PMMA/MXene结构的非易失性存储器件，其是在衬底上逐层设有MXene层、MoSe2层、PMMA层和MXene层。本发明的非易失性存储器件可重复性好、开关阈值低，具有较好的应用前景；且本发明的非易失性存储器件基于有机物PMMA与无机物MoSe2的协同而实现，制备方法简单、成本低，可实现工业化生产。

公开(公告)号：CN116825877A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310837196.9

申请日：2023-07-10

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  陶金龙 ,  侯蕊 ,  黄辉 ,  夏超 ,  李晨曦 ,  周祥 ,  黄志祥

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种基于硫化镉纳米线阵列/MXene纳米片异质结的光电探测器，是以镉片为基底，在镉片上生长CdS纳米线阵列作为电子传输层，在CdS纳米线阵列上设置MXene纳米片作为光吸收体。本发明的光电探测器具有制作简便、响应度高、探测率高、外量子效率高等优点。

公开(公告)号：CN112820826B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202110067435.8

申请日：2021-01-19

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  王宁 ,  周雪 ,  夏超 ,  黄辉 ,  侯蕊 ,  黄志祥

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于MXene/MoSe2/PMMA/MXene结构的非易失性存储器件，其是在衬底上逐层设有MXene层、MoSe2层、PMMA层和MXene层。本发明的非易失性存储器件可重复性好、开关阈值低，具有较好的应用前景；且本发明的非易失性存储器件基于有机物PMMA与无机物MoSe2的协同而实现，制备方法简单、成本低，可实现工业化生产。

公开(公告)号：CN116322089A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211684129.X

申请日：2022-12-27

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  李晨曦 ,  周祥 ,  黄辉 ,  夏超 ,  侯蕊 ,  陶金龙 ,  黄志祥

IPC: H10K30/88 ,  H10K30/10 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开了基于溴铅铯量子点/三维甲基胺溴化铅单晶异质结构的光电探测器，是以三维甲基胺溴化铅单晶为基底，将溴铅铯量子点旋涂于单晶表面作为钝化层所构成的异质结构实现光电探测。本发明的光电探测器中，溴铅铯量子点与三维甲基胺溴化铅单晶表现出协同增强作用，对比以三维甲基胺溴化铅单晶构成的光电探测器，该异质结构光电探测器表现出暗电流降低，响应速度提高，水稳定性增强等优势。

公开(公告)号：CN114695581A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210456530.1

申请日：2022-04-27

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  李晨曦 ,  周雪 ,  周祥 ,  夏超 ,  黄辉 ,  候蕊 ,  王宁

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  C03C17/34 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y15/00

Abstract: 本发明公开了一种硫化铋纳米片阵列的制备方法及基于其的异质结型光电极，是通过改进Bi2S3纳米片阵列的合成工艺，获得了形貌均匀、不团聚且厚度极薄的Bi2S3纳米片阵列，然后通过合适的工艺方法将其与Bi2O2Se纳米片构建为异质结光电极，二者表现出极强的协同增效作用，所得异质结具有优异的PEC性能。本发明Bi2S3纳米片阵列的制备方法与异质结的构建方法，都具有方法简单、安全性能高和无污染的优势。

公开(公告)号：CN115663057B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202211335276.6

申请日：2022-10-28

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  黄辉 ,  侯蕊 ,  夏超 ,  李晨曦 ,  周祥 ,  陶金龙 ,  黄志祥

IPC: H10F30/22 ,  H10F77/12 ,  H10F71/00 ,  H01L21/302

Abstract: 本发明公开了一种基于氢氩混合等离子体温和处理的多层WSe2薄膜光电探测器及其制备方法，该探测器是利用多层WSe2薄膜实现光探测的双端器件，且多层WSe2薄膜通过氢氩混合等离子体进行处理，以减薄WSe2薄膜的层数、并修复多层WSe2晶体的本征缺陷。本发明的光电探测器兼顾高探测率、快响应速度以及低暗电流等优势，具有超高的探测灵敏度，且可用于探测微弱的光信号。