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公开(公告)号：CN119304762A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411703748.8
申请日：2024-11-26
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆抛光装置及抛光工艺，对载物盘、加热元件、隔热装置、温控装置等部件进行结构，制作了一种温度可调、控温范围大、精确度高的温度场辅助抛光装置，利用本发明的装置辅助混合磨料的蓝宝石晶圆抛光工艺，能够促进硬质磨料机械切削与活性磨料化学腐蚀的协同作用，实现高效的材料去除和表面加工质量的提升，为蓝宝石晶圆的加工提供了一种高效的方法。
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公开(公告)号：CN118530790A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410698294.3
申请日：2024-05-31
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
IPC: C11D7/08 , H01L21/3213 , C11D7/10 , C11D7/60
Abstract: 本发明公开了一种用于去除晶圆表面Ni/Ag镀层的溶液及其应用方法，本发明示出了一种能够高效去除晶圆表面镀层（Ni/Ag）的溶液及其应用方法。相较于现有技术，本发明具有腐蚀效率高、成本低、操作简便、环境友好等优点，适用于半导体制造和后处理工艺中。
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公开(公告)号：CN119028878A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411183296.5
申请日：2024-08-27
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆再生项目去除钼金属膜层的方法及装置，包括如下步骤S1:将晶圆放置在内部装有酸性腐蚀液的第一超声波处理槽中，酸性腐蚀液中硫酸的质量百分比浓度为98%，双氧水的质量百分比浓度为30%；S2：再将处理完毕后的晶圆放置在第二超声波处理槽中，内部装有混酸处理液。使用两种不同混合酸液和超声设备组合作业，从而去除钼金属膜层，更好的控制膜去除后的硅片表面面状态，每种混合酸液发生反应生成的物质可溶于水，不会污染药液和槽体，不对后续作业的硅片产生污染，且不会过度损伤硅基底，整个流程对硅基底的腐蚀量小非常小，提高再生清洗成功率，稳定硅片循环再生的次数。
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公开(公告)号：CN119016468A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411383123.8
申请日：2024-09-30
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶片双面清洁设备，本发明涉及晶片清洁技术领域，包括支撑平台，所述支撑平台上端安装有对再生晶片限位并且控制再生晶片围绕自身轴线定向转动的驱动装置，还包括对再生晶片表面清洁的清理条以及对清理条进行导向的导向结构，所述导向结构包括两组第一导向装置以及一组第二导向装置，两组所述第一导向装置位于驱动装置两侧对称布置，所述第二导向装置位于驱动装置上方预定位置；所述清理条依次穿过第一个第一导向装置、第二导向装置、第二个第一导向装置形成倒置的V字形结构。该发明能够实现对再生晶片双面的同步连续清洁，极大地提高了再生晶片清洁的效率。
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公开(公告)号：CN119500719A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411682222.6
申请日：2024-11-22
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有磁性自调节功能的晶圆快排槽，涉及晶圆清洗技术领域。包括内腔底部安装有氮气曝气管的晶圆快排槽，所述晶圆快排槽上设置有喷淋管和用于对槽内去离子水进行电阻率检测的检测单元，所述晶圆快排槽靠近所述检测单元一侧的外壁上设置有磁体，所述磁体设置为电磁铁，还包括安装在所述晶圆快排槽上的自动调磁单元，根据所述晶圆快排槽内去离子水的温度变化自动调节所述磁体的磁性大小，以满足利用磁场驱离氮气泡的要求。性通过设置的自动调磁单元，根据晶圆快排槽内去离子水的温度变化自动调节磁体的磁性大小，以满足利用磁场驱离氮气泡的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118800690A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411031561.8
申请日：2024-07-30
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/677 , H01L21/02 , B08B1/12 , B08B1/20 , B08B3/02 , B08B3/10 , B08B13/00
Abstract: 本发明公开了一种多晶圆自动化连续清洗设备及其清洗方法，涉及晶圆清洗技术领域，包括基座，基座上设有工作平台，基座内设有电机，电机的输出端连接有旋转轴，旋转轴设有清洗盘，工作平台设有立架，立架顶部设有驱动平台，驱动平台下端滑动设有升降平台，工作平台设有支撑架，支撑架设有位于清洗盘上方的固定环，固定环通过埋设在清洗盘内的密闭环与其滑动相连，固定环一侧设有缺口，缺口滑动设有升降门，清洗盘设有圆周阵列的多根下刷条，驱动平台上设有安装架，安装架设有上刷条。本发明结构简单，可同时对多个晶圆进行清洗，对晶圆投放到清洗处的要求低，清洗完毕后便于将晶圆取出，自动化程度高，且适用于不同厚度、大小的晶圆，适合推广。
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公开(公告)号：CN118782501A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411031560.3
申请日：2024-07-30
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于传输设备移动清洗的晶圆清洗系统，具体涉及晶圆清洗技术领域，包括清洗罩，清洗罩内设置有传输盘，传输盘上设置有多个滚动支撑件，每个滚动支撑件包括转动连接在传输盘一侧的一对滚动辊，且一对滚动辊用于置放晶圆，传输盘两侧均固定连接有中空转轴，传输盘通过中空转轴转动连接在清洗罩上，清洗罩上设置有用于驱动传输盘转动的旋转装置一；上述一种基于传输设备移动清洗的晶圆清洗系统还包括旋转驱动机构、滚动支撑结构、晶圆喷淋系统、托板和刷块清洗系统。本发明解决了晶圆上下料清洗的过程存在清洁低效率和不便的问题以及晶圆清洗件上污物容易影响晶圆的清洗质量。
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公开(公告)号：CN118073194A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410228426.6
申请日：2024-02-29
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: 本发明一种再生项目加快去除不同工艺产生的氮化膜的方法针对使用不同酸碱腐蚀药液，从而去除不同工艺的氮化膜，更好的控制膜去除后的硅片表面面状态，从而降低了再生成本提高良率和产量。每一种药液与对氮化膜发生反应生成的物质可溶于水，不会污染药液和槽体，不对后续作业的硅片产生污染，且不会过度损伤硅基底，整个流程对硅基底的腐蚀量小于2um，提高再生清洗成功率，稳定硅片循环再生的次数。
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公开(公告)号：CN118039459A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410228432.1
申请日：2024-02-29
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种晶圆再生去除水波纹面状态异常的方法，通过湿法预理、DFG物理研磨、湿法再处理，通过调整去膜工艺去膜流程及工艺参数，从而去除水波纹类异常面状态的膜质残留，使硅片达到再生要求。无论是去膜流程及工艺参数的调整在去膜过程中发生反应生成的物质可溶于水，不会污染药液和槽体，不对后续作业的硅片产生污染，且不会过度损伤硅基底，因为水波纹膜质残留异于传统长见的膜质残留整个流程对硅基底的腐蚀量小于12um，提高再生清洗成功率，稳定硅片循环再生的次数。
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公开(公告)号：CN118847607A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410408862.1
申请日：2024-04-07
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆研磨液清洗装置及其方法，具体涉及晶圆清洗技术领域，包括固定板和位于固定板两侧的超声波清洗箱，固定板上设置有旋转支托结构，旋转支托结构上设置有晶圆，固定板的侧上方设置有向晶圆两面喷淋清洗液的清洗液喷淋系统，每个超声波清洗箱的外侧均设置有旋转架体，旋转架体包括一对支架、管组、一对支板组和旋转驱动单元。本发明解决了目前用于晶圆清洗的刷体在长时间使用时会积累较多晶圆片上因化学机械研磨工艺具有的颗粒物，这样会影响到晶圆的清洗质量并造成晶圆结构的缺陷以及未有有效的清洗和干燥集成结构来快速满足晶圆清洗和干燥工艺的加工的技术问题。
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