有机杂化平面纳米晶块体异质结

    公开(公告)号:CN101652876A

    公开(公告)日:2010-02-17

    申请号:CN200780050192.5

    申请日:2007-11-13

    Abstract: 一种具有改善的杂化平面块体异质结的光敏光电子器件,包括布置在阳极(120)和阴极(170)之间的多种光电导材料(950)。光电导材料(950)包括施体材料的第一连续层(152)和受体材料的第二连续层(154)。施体材料的第一网络(953c)从第一连续层(152)朝向第二连续层(154)延伸,提供了将空穴传导到第一连续层(152)的连续路径。受体材料的第二网络(953b)从第二连续层(154)朝向第一连续层(152)延伸,提供了将电子传导到第二连续层(154)的连续路径。第一网络(953c)和第二网络(953b)相互交错。至少一种其他光电导材料(953a、953d)散布在交错的网络之间。该其他的光电导材料(953a、953d)具有与施体和受体材料不同的吸收光谱。

    用于加速外延剥离的应变控制

    公开(公告)号:CN104584239B

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201380029526.6

    申请日:2013-06-04

    Abstract: 本发明公开了用于外延剥离的薄膜装置,其包含柄和一个或多个配置在所述柄上的应变层,其中所述一个或多个应变层引起所述柄弯曲。本发明还公开了制造用于外延剥离的薄膜装置的方法,其包括在柄上沉积一个或多个应变层,其中所述一个或多个应变层在所述柄上引起至少一种选自拉伸应变、压缩应变和近中性应变的应变。本发明还公开了用于外延剥离的方法,其包括在配置于生长基底上的牺牲层上沉积外延层;在所述生长基底和所述柄中的至少一者上沉积一个或多个应变层;使所述柄结合于所述生长基底;以及蚀刻所述牺牲层。

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