-
公开(公告)号：CN104584239A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380029526.6
申请日：2013-06-04
Applicant: 密歇根大学董事会
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 李圭相 , 杰拉米·齐默尔曼
Abstract: 本发明公开了用于外延剥离的薄膜装置，其包含柄和一个或多个配置在所述柄上的应变层，其中所述一个或多个应变层引起所述柄弯曲。本发明还公开了制造用于外延剥离的薄膜装置的方法，其包括在柄上沉积一个或多个应变层，其中所述一个或多个应变层在所述柄上引起至少一种选自拉伸应变、压缩应变和近中性应变的应变。本发明还公开了用于外延剥离的方法，其包括在配置于生长基底上的牺牲层上沉积外延层；在所述生长基底和所述柄中的至少一者上沉积一个或多个应变层；使所述柄结合于所述生长基底；以及蚀刻所述牺牲层。
-
公开(公告)号：CN104335365A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380008503.7
申请日：2013-02-07
Applicant: 密歇根大学董事会
Inventor： 李圭相 , 杰拉米·齐默尔曼 , 史蒂芬·R·福里斯特
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L21/3247 , H01L21/3065 , H01L21/3245 , H01L31/1896 , H01L33/007 , Y02E10/50 , H01L31/18 , H01L31/1864
Abstract: 本发明公开了一种保持生长衬底的完整性的方法，所述方法包括：提供包括生长衬底、一个或多个保护层、牺牲层和至少一个外延层的结构，其中，所述牺牲层和所述一个或多个保护层设置在所述生长衬底和所述至少一个外延层之间；通过用蚀刻剂蚀刻所述牺牲层，释放所述至少一个外延层；以及对所述生长衬底和/或至少一个保护层进行热处理。
-
公开(公告)号：CN102804408A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080049905.8
申请日：2010-09-09
Applicant: 密歇根大学董事会
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 杰拉米·齐默尔曼 , 李圭相 , 徐崑庭
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1892 , H01L21/7813 , H01L31/0735 , H01L31/1852 , H01L31/1896 , Y02E10/544
Abstract: 公开了一种通过使用外延剥离制造诸如柔性光伏(PV)器件的光敏器件的方法。这里还描述了制备柔性PV器件的方法，该柔性PV器件包括具有生长基板的结构，其中保护层的选择性蚀刻产生适合于重新使用的光滑的生长基板。
-
公开(公告)号：CN107624197A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201680016407.0
申请日：2016-03-18
Applicant: 密歇根大学董事会
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 李圭相 , 范德久
CPC classification number: H01L21/78 , C09K13/00 , C30B33/08 , H01L21/7813 , H01L31/1896 , H01L33/0079 , Y02E10/50
Abstract: 本文公开了消除或减少外延剥离的薄膜外延层在次级主衬底上的剥落的方法，所述方法允许制造高得率的ELO加工的薄膜器件。所述方法利用了图案化的减轻应变的沟槽。
-
公开(公告)号：CN106165111A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580004756.6
申请日：2015-01-15
Applicant: 密歇根大学董事会
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 李圭相 , 范德久 , 杰拉米·齐默尔曼
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1896 , H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/0547 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/1892 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制备光伏器件的方法。特别地，所述方法包括通过印刷方法将外延剥离太阳能电池与迷你抛物面聚光器阵列集成。因此，本发明公开了包括如下的方法：提供生长基板；在生长基板上沉积至少一个保护层；在保护层上沉积至少一个牺牲层；在牺牲层上沉积至少一个光活性电池；蚀刻从所述至少一个光活性电池延伸至牺牲层的至少两个平行沟槽的图案；在所述至少一个光活性电池上沉积金属；将所述金属粘结至主体基板；以及利用一个或多个蚀刻步骤除去牺牲层。主体基板可以是硅氧烷，其在辊压时可形成用于将太阳能电池集成到聚光器阵列中的冲压物。本发明还公开了制造生长基板的方法和由其制造的生长基板。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105793998A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480061763.5
申请日：2014-11-11
Applicant: 密歇根大学董事会
Inventor： 斯蒂芬·R·弗里斯特 , 李圭相
IPC: H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 公开了一种装配薄膜光电子器件的工艺。所述工艺可包括：提供生长结构，所述生长结构包括具有生长表面的晶圆、牺牲层和器件区。所述工艺可进一步包括提供主基板和在所述器件区上沉积第一金属层及在所述主基板上沉积第二金属层。所述工艺可进一步包括通过在接合温度下将所述第一和第二金属层压在一起使所述第一金属层接合至所述第二金属层，其中所述接合温度高于室温且低于所述主基板的玻璃化转变温度和所述主基板的熔化温度中的较低者。
-
公开(公告)号：CN102804408B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201080049905.8
申请日：2010-09-09
Applicant: 密歇根大学董事会
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 杰拉米·齐默尔曼 , 李圭相 , 徐崑庭
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1892 , H01L21/7813 , H01L31/0735 , H01L31/1852 , H01L31/1896 , Y02E10/544
Abstract: 公开了一种通过使用外延剥离制造诸如柔性光伏(PV)器件的光敏器件的方法。这里还描述了制备柔性PV器件的方法，该柔性PV器件包括具有生长基板的结构，其中保护层的选择性蚀刻产生适合于重新使用的光滑的生长基板。
-
公开(公告)号：CN104584239B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201380029526.6
申请日：2013-06-04
Applicant: 密歇根大学董事会
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 李圭相 , 杰拉米·齐默尔曼
Abstract: 本发明公开了用于外延剥离的薄膜装置，其包含柄和一个或多个配置在所述柄上的应变层，其中所述一个或多个应变层引起所述柄弯曲。本发明还公开了制造用于外延剥离的薄膜装置的方法，其包括在柄上沉积一个或多个应变层，其中所述一个或多个应变层在所述柄上引起至少一种选自拉伸应变、压缩应变和近中性应变的应变。本发明还公开了用于外延剥离的方法，其包括在配置于生长基底上的牺牲层上沉积外延层；在所述生长基底和所述柄中的至少一者上沉积一个或多个应变层；使所述柄结合于所述生长基底；以及蚀刻所述牺牲层。
-
公开(公告)号：CN108198875A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810054202.2
申请日：2014-11-11
Applicant: 密歇根大学董事会
Inventor： 斯蒂芬·R·弗里斯特 , 李圭相
IPC: H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及装配薄膜光电子器件的工艺。所述工艺可包括：提供生长结构，所述生长结构包括具有生长表面的晶圆、牺牲层和器件区，其中所述牺牲层被置于所述晶圆与所述器件区之间，并且其中所述器件区具有最远离所述晶圆的表面；提供主基板，其中所述主基板包含金属箔；在所述器件区的表面上沉积第一金属层；在所述主基板上沉积第二金属层；通过在接合温度下将所述第一金属层和所述第二金属层压在一起来使所述第一金属层接合至所述第二金属层，其中所述接合温度高于室温且低于所述主基板的熔化温度和500℃中的较低者。
-
公开(公告)号：CN105793998B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201480061763.5
申请日：2014-11-11
Applicant: 密歇根大学董事会
Inventor： 斯蒂芬·R·弗里斯特 , 李圭相
IPC: H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 公开了一种装配薄膜光电子器件的工艺。所述工艺可包括：提供生长结构，所述生长结构包括具有生长表面的晶圆、牺牲层和器件区。所述工艺可进一步包括提供主基板和在所述器件区上沉积第一金属层及在所述主基板上沉积第二金属层。所述工艺可进一步包括通过在接合温度下将所述第一和第二金属层压在一起使所述第一金属层接合至所述第二金属层，其中所述接合温度高于室温且低于所述主基板的玻璃化转变温度和所述主基板的熔化温度中的较低者。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.023 seconds)
