公开(公告)号：CN113964100A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202110568778.2

申请日：2021-05-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 三枝直树

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/10 ,  H01L23/047 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明抑制键合引线的接合性的降低。半导体装置具有壳体，该壳体在正面开口有收纳第一半导体芯片、第二半导体芯片的收纳开口部，并且在布线安装区域(32f)通过粘接部件(39b)安装有控制布线部(35a)，布线安装区域(32f)在正面的开口缘部沿收纳开口部的一边凹陷。此时，引线框架的控制布线部(35a)通过粘接部件(39b)紧贴于壳体。因而，如果对与控制布线部(35a)所接合的控制IC(37)进行引线键合，则能够抑制紧贴于壳体的控制布线部(35a)的振动而提升键合引线对于控制IC(37)的接合性。

公开(公告)号：CN115176344A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202180016458.4

申请日：2021-04-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 白川彻 ,  阿形泰典 ,  三枝直树 ,  三塚要

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备半导体基板，该半导体装置包括：感测部，其设置于半导体基板，且检测预先确定的物理信息；感测焊盘部，其设置于半导体基板的上表面的上方，并且与感测部连接；栅极流道，其设置在半导体基板的上表面的上方，且被施加栅极电位；以及分离导电部，其设置在感测焊盘部与半导体基板之间，且与栅极流道分离。

公开(公告)号：CN115241175A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210206236.5

申请日：2022-03-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 三枝直树

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置具备：树脂壳体；引线端子，其自树脂壳体的内部延伸到外部；以及功率半导体芯片，其配置于位于树脂壳体的内侧的空间。树脂壳体包含自划定空间的壁面到引线端子中靠近空间的侧面的内壁部分、和覆盖引线端子的被包围部分的上表面的至少局部的被覆部分。

公开(公告)号：CN116798960A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310048229.1

申请日：2023-01-31

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 三枝直树

IPC: H01L23/047 ,  H01L23/49 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供半导体模块和半导体模块的制造方法。谋求半导体模块的小型化，并且使引线接合性提高。半导体模块具备：电路板，其搭载至少一个半导体元件；壳体，其具有从电路板的厚度方向观察时包含至少一个半导体元件的开口，该壳体由树脂组合物构成；以及引线，其与壳体一体地成形，引线具有：垫部，其配置于与该开口的周缘相邻的位置，并在沿着该开口的周缘的方向上延伸；以及第1部分，其自垫部的长度方向上的一端延伸，宽度窄于垫部的宽度，壳体具有：第1凹部，其在比第1部分靠近该开口的一侧与第1部分相邻；以及第1凸部，其横跨第1部分的局部地设于第1部分的局部上。

公开(公告)号：CN115152034A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202180016753.X

申请日：2021-04-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 白川彻 ,  阿形泰典 ,  三枝直树

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/532 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：焊盘部，其设置于半导体基板的上表面的上方，并且与发射电极分离；导线布线部，其与焊盘部的上表面的连接区域连接；布线层，其设置在半导体基板和焊盘部之间，且包括与连接区域重叠的区域；层间绝缘膜，其设置在布线层和焊盘部之间，且在连接区域的下方具有贯通孔；钨部，其设置在贯通孔的内部，且将布线层和焊盘部电连接，所述钨部包含钨；以及阻挡金属层，其设置为在连接区域的下方覆盖层间绝缘膜的上表面，且所述阻挡金属层包含钛。

公开(公告)号：CN110610920A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910358838.0

申请日：2019-04-30

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 三枝直树

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60

Abstract: 提供能够确保熔融接合材料的厚度、抑制基板的倾斜从而提高成品率、合格率的半导体装置、引线框架以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备：电路基板(10)，其具有电路图案层(12a)；半导体元件，其搭载在电路基板(10)上；熔融接合部(22a)，其配置于电路图案层(12a)的上表面；接合引线(3a)，其具有接合部(31a)，该接合部(31a)与电路图案层(12a)的上表面相向，经由熔融接合部(22a)来与电路图案层(12a)进行电连接；以及按压部(51a)，其与电路基板(10)的上表面直接接触。

公开(公告)号：CN204558442U

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201520138599.5

申请日：2015-03-11

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 三枝直树 ,  香月尚

IPC: H01L23/053 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置以及半导体装置用外壳。提供如下一种半导体装置：即使在注入密封材料直到外壳的上表面附近的情况下，也不会引起外观不良、与盖的粘接性降低。半导体装置(1)具备绝缘基板(2)、搭载在绝缘基板(2)上的半导体元件(3)、包围绝缘基板(2)的周缘来收容半导体元件(3)的中空的外壳(6)以及被填充到外壳(6)内来将外壳内密封的密封材料(10)。外壳(6)具有从外壳(6)的上表面(6c)局部突出的突起部(6f)。