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公开(公告)号：CN117099191A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280025728.2
申请日：2022-10-11
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 确保接合材料的厚度并且提高半导体元件与金属布线板之间的接合强度。半导体模块(1)具备：层叠基板(2)，该层叠基板(2)通过在绝缘板(20)的上表面配置多个电路板(22)而成；半导体元件(3)，其配置于至少一个电路板的上表面；以及金属布线板(4)，其配置于半导体元件的上表面。金属布线板具有经由第1接合材料(S3)与半导体元件的上表面接合的第1接合部(40)。第1接合部包括具有上表面和下表面的板状部分，第1接合部具有：凸起(45)，其形成于板状部分的下表面，并朝向半导体元件突出；第1凹部(46)，其位于板状部分的上表面，并形成于与凸起的正上方对应的部位；以及多个第2凹部(49)，其形成于上表面，并小于第1凹部。
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公开(公告)号：CN119110993A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202380036239.1
申请日：2023-10-10
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提高半导体模块中的金属布线板的接合部与密封树脂之间的密合性。半导体模块(1)具备：层叠基板(2)，其在绝缘板(20)的上表面配置有多个电路板(22)；半导体元件(3)，其配置于至少一个电路板的上表面；以及金属布线板(4)，其配置于半导体元件的上表面。金属布线板具有接合部(40)，该接合部(40)经由接合材料(S3)与半导体元件的上表面接合。接合部包括板状部分，该板状部分具有上表面和下表面，板状部分具有多个粗糙化凹部，该多个粗糙化凹部使上表面粗糙化，多个粗糙化凹部包括开口尺寸、开口形状、深度中的至少一者不同的多种粗糙化凹部(49a、49b、49c、49d、49e)。
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公开(公告)号：CN119096365A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202380036744.6
申请日：2023-10-10
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提高半导体模块中的金属布线板的接合部与密封树脂之间的密合性。半导体模块(1)具备：层叠基板(2)，其在绝缘板(20)的上表面配置有多个电路板(22)；半导体元件(3)，其配置于至少一个电路板的上表面；以及金属布线板(4)，其配置于半导体元件的上表面。金属布线板具有接合部(40)，该接合部(40)经由接合材料(S3)与半导体元件的上表面接合。接合部包括板状部分，该板状部分具有上表面和下表面，板状部分具有多个粗糙化凹部(49)，该多个粗糙化凹部(49)使上表面粗糙化，多个粗糙化凹部中的至少一部分粗糙化凹部(49a)具有剥离抑制部(70)，该剥离抑制部(70)向内侧突出而使开口宽度变窄。
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公开(公告)号：CN118974917A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380031428.X
申请日：2023-08-31
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 防止利用接合材料与半导体元件的电极接合的引线与密封材料之间的界面处的剥离。半导体模块(2)具备：电路板(5)，其搭载有半导体元件(510)；引线(7)，其利用接合材料与半导体元件的上表面的电极接合；以及密封材料(9)，其将半导体元件以及引线密封，引线在与电极接合的接合部(701)中的上表面(710)形成有粗糙化用凹部(720)，该粗糙化用凹部(720)防止引线与密封材料之间的界面处的剥离，粗糙化用凹部包括：主凹部(721)，其在凹部中的一个以上的壁面形成有朝向相对的壁面突出的折回部；以及副凹部(722)，其中心位于俯视时主凹部的外侧、且是与形成有折回部的壁面分开了规定的距离的位置，该副凹部(722)具有随着自其中心向主凹部的开口端去而变浅的倾斜面。
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公开(公告)号：CN119110985A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202380037107.0
申请日：2023-10-10
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提高半导体模块中的金属布线板的接合部与密封树脂之间的密合性。半导体模块(1)具备：层叠基板(2)，其在绝缘板(20)的上表面配置有多个电路板(22)；半导体元件(3)，其配置于至少一个电路板的上表面；以及金属布线板(4)，其配置于半导体元件的上表面。金属布线板具有板状的接合部(40)，该接合部(40)经由接合材料(S3)与半导体元件的上表面接合，该半导体模块(1)具有使接合部的上表面粗糙化的多个粗糙化凹部(45)，多个粗糙化凹部各自俯视时呈六边形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117917768A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311110172.X
申请日：2023-08-31
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种半导体模块、半导体装置以及车辆，能够抑制具备半导体元件、以及通过接合构件来与半导体元件的电极接合的引线构件的半导体模块中产生裂纹。半导体模块具备：搭载有半导体元件的电路板；引线构件，其通过接合构件来与半导体元件的上表面的电极接合；以及密封构件，其将半导体元件和引线构件密封，其中，引线构件包括接合部和布线部，接合部与电极接合，布线部与接合部的第一侧面连接，并向同接合部的与半导体元件的电极相向的下表面相反的方向折弯，布线部的折弯部分的在接合部的下表面处的立起位置处于接合部的第一侧面的位置与接合部的同第一侧面相反的一侧的第二侧面的位置之间。
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公开(公告)号：CN114787991A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202180006896.2
申请日：2021-06-29
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体模块，所述半导体模块具备：绝缘电路基板，其在一个面形成有电路图案；半导体芯片，其载置于绝缘电路基板；以及布线部，其将半导体芯片和电路图案电连接，布线部具有与半导体芯片连接的芯片连接部，芯片连接部的表面具有：多个凹部；以及平面部，其配置于两个凹部之间。
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公开(公告)号：CN119170580A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410525920.9
申请日：2024-04-29
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 齐藤麻衣
IPC: H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：半导体模块，其包括半导体芯片；冷却部，其对半导体模块进行冷却；导热层，其介于半导体模块与冷却部之间；以及保护膜，其覆盖半导体模块与导热层的边界、以及冷却部与导热层的边界，其中，保护膜的吸水率低于导热层的吸水率。
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公开(公告)号：CN119110994A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202380036348.3
申请日：2023-10-10
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 提高半导体模块中的金属布线板的接合部与密封树脂之间的密合性。半导体模块(1)具备：层叠基板(2)，其在绝缘板(20)的上表面配置有多个电路板(22)；半导体元件(3)，其配置于至少一个电路板的上表面；以及金属布线板(4)，其配置于半导体元件的上表面。金属布线板具有第1接合部(40)，该第1接合部(40)经由接合材料(S3)与半导体元件的上表面接合。第1接合部包括板状部分，该板状部分具有上表面和下表面，在板状部分的上表面具有沿着第1接合部的外周设置的至少一个槽(50、53)。
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公开(公告)号：CN118974916A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380031150.6
申请日：2023-08-31
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 防止利用接合材料与半导体元件的电极接合的引线与密封材料之间的界面处的剥离的进展。半导体模块(2)具备：电路板(5)，其搭载有半导体元件(510)；引线(7)，其利用接合材料与半导体元件的上表面的电极接合；以及密封材料(9)，其将半导体元件以及引线密封，引线在与电极接合的接合部(701)中的与和电极相对的下表面相反的一侧的上表面(710)具有多个凹部(720)，该多个凹部(720)的俯视时的底面呈具有在与接合部的边中的任一者都不正交的方向上延伸的边的多边形形状，多个凹部各自具有自壁面(721、722、723)突出的折回部(727)。
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