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公开(公告)号：CN112080803B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202011014955.4
申请日：2020-09-24
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种多苯基鏻类单晶光纤及其制备方法与应用。所述的多苯基鏻单晶光纤化学组成为四苯基卤化鏻或四苯基卤化鏻水合物晶体，所述的多苯基鏻单晶光纤的分子式为C24H20PX·nH2O，其中X为Cl、Br或I，n≥0，直径为1～50μm，长径比≥500：1。本发明首次采用下种生长的方式进行制备多苯基鏻单晶光纤。与现有技术相比，本发明的方法可以将光纤直径可以控制在1～50μm范围之内，制备的多苯基鏻单晶光纤拥有极大的长径比和比表面积，光纤直径可控，表面光滑，光纤质量高、体积小，导光性好，拉伸强度高，可应用于受激拉曼散射、非线性频率转换及光波导器件的制备。
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公开(公告)号：CN102031563B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010297346.4
申请日：2010-09-30
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种高温相钼酸碲钡晶体及其制备方法与应用。高温相钼酸碲钡晶体属于正交晶系，空间群为Pca21，a＝14.8683(2)b＝5.66360(10)c＝17.6849(3)紫外-可见-近红外透过光谱和中红外透过光谱显示，该晶体在380～5530nm的波长范围内透过，室温下，用1064nm的红外激光入射晶体，产生波长为532nm的绿光。采用助熔剂法生长。本发明还提供高温相钼酸碲钡晶体作为非线性光学晶体用、双折射晶体、压电晶体、铁电晶体、热释电晶体或激光基质材料的应用。
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公开(公告)号：CN102031563A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010297346.4
申请日：2010-09-30
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种高温相钼酸碲钡晶体及其制备方法与应用。高温相钼酸碲钡晶体属于正交晶系，空间群为Pca21，a＝14.8683(2)b＝5.66360(10)c＝17.6849(3)紫外-可见-近红外透过光谱和中红外透过光谱显示，该晶体在380～5530nm的波长范围内透过，室温下，用1064nm的红外激光入射晶体，产生波长为532nm的绿光。采用助熔剂法生长。本发明还提供高温相钼酸碲钡晶体作为非线性光学晶体用、双折射晶体、压电晶体、铁电晶体、热释电晶体或激光基质材料的应用。
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公开(公告)号：CN111876827A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010701740.3
申请日：2020-07-21
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明提供了一种磷酸二氢钾类单晶光纤及其生长方法与应用。所述磷酸二氢钾类单晶光纤为四方相磷酸二氢钾单晶光纤、单斜相磷酸二氢钾单晶光纤、四方相磷酸二氘钾单晶光纤或单斜相磷酸二氘钾单晶光纤。上述光纤的制备方法，包括步骤：将磷酸二氢钾(KDP)加入溶剂中，密封加热溶解得到澄清磷酸二氢钾溶液；将所得溶液在70-90℃过热48小时，之后过滤至生长槽中，冷却至0-30℃，得到过饱和溶液；向上述过饱和溶液中加入晶种，在生长槽密封状态下生长，生长得到单晶光纤。本发明的生长方法，成功率高，重复性好。本发明的光纤拥有极大的长径比，光纤直径可控，表面光滑，光纤质量高，可应用于微型非线性频率转换及电光器件的制备。
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公开(公告)号：CN1958883A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610069169.8
申请日：2006-10-17
Applicant: 山东大学
Abstract: 钼酸碲钡晶体及其制备方法与应用。该晶体化学式为BaTeMo2O9，属于单斜晶系，空间群为P21，采用助熔剂法制备而得。将BaTeMo2O9多晶粉末加入合适的助熔剂体系TeO2－MoO3，MoO3，TeO2，B2O3或PbO－B2O3中，放入白金坩埚中，升温使原料完全熔化，充分混合；然后降温至熔体饱和点，下入籽晶，降温生长可得到长度超过10毫米，厚度超过5毫米，物相单一的非线性光学晶体BTM单晶。该晶体具有极强的倍频效应，红外吸收边大于5000nm，具有很高的稳定性，室温不分解、不潮解等优点；可用于非线性光学和电光及压电领域；本方法操作条件易实现，且原料易得，价格便宜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111876827B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202010701740.3
申请日：2020-07-21
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明提供了一种磷酸二氢钾类单晶光纤及其生长方法与应用。所述磷酸二氢钾类单晶光纤为四方相磷酸二氢钾单晶光纤、单斜相磷酸二氢钾单晶光纤、四方相磷酸二氘钾单晶光纤或单斜相磷酸二氘钾单晶光纤。上述光纤的制备方法，包括步骤：将磷酸二氢钾(KDP)加入溶剂中，密封加热溶解得到澄清磷酸二氢钾溶液；将所得溶液在70‑90℃过热48小时，之后过滤至生长槽中，冷却至0‑30℃，得到过饱和溶液；向上述过饱和溶液中加入晶种，在生长槽密封状态下生长，生长得到单晶光纤。本发明的生长方法，成功率高，重复性好。本发明的光纤拥有极大的长径比，光纤直径可控，表面光滑，光纤质量高，可应用于微型非线性频率转换及电光器件的制备。
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公开(公告)号：CN100523311C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200610069169.8
申请日：2006-10-17
Applicant: 山东大学
Abstract: 钼酸碲钡晶体及其制备方法与应用。该晶体化学式为BaTeMo2O9，属于单斜晶系，空间群为P21，采用助熔剂法制备而得。将BaTeMo2O9多晶粉末加入合适的助熔剂体系TeO2-MoO3，MoO3，TeO2，B2O3或PbO-B2O3中，放入白金坩埚中，升温使原料完全熔化，充分混合；然后降温至熔体饱和点，下入籽晶，降温生长可得到长度超过10毫米，厚度超过5毫米，物相单一的非线性光学晶体BTM单晶。该晶体具有极强的倍频效应，红外吸收边大于5000nm，具有很高的稳定性，室温不分解、不潮解等优点；可用于非线性光学和电光及压电领域；本方法操作条件易实现，且原料易得，价格便宜。
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公开(公告)号：CN104562204A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510016098.4
申请日：2015-01-13
Applicant: 山东大学
CPC classification number: C30B29/32 , C30B15/00 , H01S3/1675
Abstract: 本发明涉及钨酸碲铯晶体的助熔剂法生长与应用。钨酸碲铯晶体，化学式为Cs2TeW3O12，属于六方晶系，空间群为P63，紫外-可见-近红外透过光谱和中红外透过光谱显示，该晶体在430～5350nm的波长范围内均有透过，且在未镀膜的情况下其透过率可达到80％以上；用Nd：YAG激光器产生的波长为1064nm的红外激光入射晶体，产生强烈的绿光。与已有文献报道Cs2TeW3O12多晶的合成技术相比，本发明在国际上首次提出采用助熔剂法生长高质量Cs2TeW3O12单晶并首次成功解析了其晶体结构，同时得到了尺寸足以满足应用的Cs2TeW3O12单晶。
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公开(公告)号：CN102011189B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201010581219.7
申请日：2010-12-09
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及钼酸碲铯晶体及其助熔剂法生长与应用。钼酸碲铯晶体，六方晶系，空间群为P63，在430～5380nm的波长范围内均有透过；室温下压电系数d33＝20.5pC/N，用Nd:YAG激光器产生的波长为1064nm的红外激光入射晶体，产生强烈的绿光；采用助熔剂法进行晶体生长制得大尺寸单晶，用于制作压电器件，还用作非线性光学晶体、铁电晶体、热释电晶体和激光基质晶体。
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公开(公告)号：CN112080803A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202011014955.4
申请日：2020-09-24
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种多苯基鏻类单晶光纤及其制备方法与应用。所述的多苯基鏻单晶光纤化学组成为四苯基卤化鏻或四苯基卤化鏻水合物晶体，所述的多苯基鏻单晶光纤的分子式为C24H20PX·nH2O，其中X为Cl、Br或I，n≥0，直径为1～50μm，长径比≥500：1。本发明首次采用下种生长的方式进行制备多苯基鏻单晶光纤。与现有技术相比，本发明的方法可以将光纤直径可以控制在1～50μm范围之内，制备的多苯基鏻单晶光纤拥有极大的长径比和比表面积，光纤直径可控，表面光滑，光纤质量高、体积小，导光性好，拉伸强度高，可应用于受激拉曼散射、非线性频率转换及光波导器件的制备。
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