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公开(公告)号：CN102031563B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010297346.4
申请日：2010-09-30
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种高温相钼酸碲钡晶体及其制备方法与应用。高温相钼酸碲钡晶体属于正交晶系，空间群为Pca21，a＝14.8683(2)b＝5.66360(10)c＝17.6849(3)紫外-可见-近红外透过光谱和中红外透过光谱显示，该晶体在380～5530nm的波长范围内透过，室温下，用1064nm的红外激光入射晶体，产生波长为532nm的绿光。采用助熔剂法生长。本发明还提供高温相钼酸碲钡晶体作为非线性光学晶体用、双折射晶体、压电晶体、铁电晶体、热释电晶体或激光基质材料的应用。
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公开(公告)号：CN102214892A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110122179.4
申请日：2011-05-12
Applicant: 中国科学院理化技术研究所 , 山东大学
Abstract: 一种基于块状激光自变频材料级联效应的激光器，包括至少一个泵浦源、由激光谐振腔A镜和B镜组成的激光谐振腔和至少含三个光学面的块状激光自变频材料；其第一和第二光学面分别垂直于自变频材料非线性系数最大的基频光倍频相位匹配方向(θ1，φ1)和基频光与倍频光和频相位匹配方向(θ2，φ2)；第三光学面垂直于相位匹配方向(θ1，φ1)和(θ2，φ2)平分线；泵浦源对自变频材料至少一个面进行泵浦，泵浦光进入处镀对泵浦光具高透射率膜系；基频光沿相位匹配方向(θ1，φ1)产生倍频光，基频光与倍频光在自变频材料沿“V”字形传播，基频光与倍频光沿相位匹配方向(θ2，φ2)产生和频光(三倍频光)；本发明用一块自变频材料实现基频激光谐振、倍频与和频多种功能，复合功能性强、结构紧凑、稳定性高、制作成本低。
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公开(公告)号：CN102031563A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010297346.4
申请日：2010-09-30
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种高温相钼酸碲钡晶体及其制备方法与应用。高温相钼酸碲钡晶体属于正交晶系，空间群为Pca21，a＝14.8683(2)b＝5.66360(10)c＝17.6849(3)紫外-可见-近红外透过光谱和中红外透过光谱显示，该晶体在380～5530nm的波长范围内透过，室温下，用1064nm的红外激光入射晶体，产生波长为532nm的绿光。采用助熔剂法生长。本发明还提供高温相钼酸碲钡晶体作为非线性光学晶体用、双折射晶体、压电晶体、铁电晶体、热释电晶体或激光基质材料的应用。
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公开(公告)号：CN101966689A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010292885.9
申请日：2010-09-27
Applicant: 山东大学
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种大直径4H-SiC碳面的表面抛光方法，包括机械抛光、化学机械抛光及清洗，机械抛光选用金刚石微粉与氧化剂、分散剂配制的pH值为1～5的抛光液，在抛光温度30～70℃条件下对4H-SiC晶片的碳面进行机械抛光；化学机械抛光选用pH值为1～5、浓度为2～50wt％、粒度为20～100nm的纳米抛光液，加入适量氧化剂。本发明克服了传统的单晶片表面碱性抛光液的缺点，获得了无表面损伤层、高平整度、超光滑的表面，材料去除速率为0.4～1.5μm/h，抛光后晶片透明光亮。
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公开(公告)号：CN101962810A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010292892.9
申请日：2010-09-27
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明提供一种LiGa3Te5单晶体，该晶体是非中心对称结构，属于三方晶系，空间群为R32，晶胞参数为：α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝12，单胞体积为其体块直径为3mm～15mm、长度为20mm～40mm。该LiGa3Te5单晶体的制备方法是首先制备LiGa3Te5多晶原料，再利用坩埚下降法进行LiGa3Te5单晶体的生长。本发明制备的LiGa3Te5单晶体可供晶体物理性能测试与器件研究，并具有足够尺寸体块；具有较宽的红外透过范围，能够通过非线性频率变换技术实现中远红外激光输出，因而可应用于制作红外非线性光学器件；同时可用于制作压电器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100588609C
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200810001675.2
申请日：2006-01-04
Applicant: 山东大学
IPC: C01B21/082 , C01B21/04 , C01B31/06 , C01B31/04
Abstract: 一种用于调控氮化碳材料物相的溶剂热恒压合成方法，属于化工生产和新材料领域。该方法包括碳源液和氮源液的配制、装釜，加热之前先施加40～2000MPa的恒定压力，控制温度以0.01～60℃/分钟的速度加热到220～1000℃，反应结束，冷却至室温，对产品进行后处理。本发明的方法合成硼碳氮时，反应体系的温度和压力可以独立地分别调控，既能使反应过程在恒定的压力下进行，又可以根据需要改变体系的压力，从而对合成氮化碳的反应进行的速度和方向进行控制。利用本发明的方法，可得到大粒度的氮化碳晶体。
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公开(公告)号：CN100557090C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200610070586.4
申请日：2006-12-06
Applicant: 山东大学
Abstract: 一种拉曼晶体及其制备方法与应用，属于晶体生长与晶体器件技术领域。用提拉法制备具有白钨矿结构的晶体BaWO4，SrWO4，CaWO4，NaY(WO4)2或NaY(WO4)2。通过闪光灯或激光二极管泵浦Nd:YAG晶体或透明陶瓷，Nd:YAP晶体，Nd:GVO4或Nd:YxGd1-xVO4晶体，产生1.3微米的激光，使用电光调Q、声光调Q、被动调Q等元器件形成脉冲激光，再通过白钨矿结构晶体产生人眼安全的1.5μm波长激光。本方法制作的激光器具有简单、紧凑、阈值低、输出功率高、稳定性好、转换效率高、光束质量好、操作简单、成本低，以及便于工业化的大批量制造等特点。
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公开(公告)号：CN101483309A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910013894.7
申请日：2009-01-21
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种以可饱和吸收体作为选频和调Q元件的双波长激光器及应用。双波长激光器，包括闪光灯或者激光二极管泵浦源，在适当抑制1.06微米激光的激光谐振腔中插入对1.05微米或1.08微米强吸收的可饱和吸收体，以激光材料为增益介质。通过可饱和吸收体Cr:YAG或半导体对1.05或者1.08微米激光强吸收、对1.06微米激光相对弱吸收的特点进行选频，与端面或者侧面泵浦的激光装置相结合，产生双波长脉冲激光，利用该激光的差频实现太赫兹输出。该激光器具有结构紧凑、操作简单、光束质量好、转换效率高、成本低，便于工业化大批量制造等优点。
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公开(公告)号：CN100467679C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710015419.4
申请日：2007-04-20
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种彩色碳硅石单晶及其制备方法与人造宝石的制备。该彩色碳硅石单晶是在无色的碳硅石单晶或通色掺杂的彩色碳硅石单晶中含有间隔的掺杂元素的彩色条纹，其中彩色条纹宽度0.1-0.5mm，彩色条纹间距1-5mm。利用升华法生长碳硅石单晶的过程中，通过掺杂V、N等元素制得。所得彩色碳硅石单晶经过切割、研磨和抛光加工成具有彩色条纹的碳硅石人造宝石。本发明首次制得带彩色条纹的碳硅石单晶，经过琢型和抛光，最终得到的彩色碳硅石色泽浓艳又鲜亮，具有较好的色度和色耀度的综合效果。
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公开(公告)号：CN101254905A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810001675.2
申请日：2006-01-04
Applicant: 山东大学
IPC: C01B21/082 , C01B21/04 , C01B31/06 , C01B31/04
Abstract: 一种用于调控氮化碳材料物相的溶剂热恒压合成方法，属于化工生产和新材料领域。该方法包括碳源液和氮源液的配制、装釜，加热之前先施加40～2000MPa的恒定压力，控制温度以0.01～60℃/分钟的速度加热到220～1000℃，反应结束，冷却至室温，对产品进行后处理。本发明的方法合成硼碳氮时，反应体系的温度和压力可以独立地分别调控，既能使反应过程在恒定的压力下进行，又可以根据需要改变体系的压力，从而对合成氮化碳的反应进行的速度和方向进行控制。利用本发明的方法，可得到大粒度的氮化碳晶体。
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