公开(公告)号：CN114464932B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202011262166.2

申请日：2020-11-12

Applicant: 山东大学

Inventor： 廉刚 ,  崔馨航 ,  肖风龙 ,  孙军威 ,  崔得良 ,  王琪珑

IPC: H01M12/08

Abstract: 本发明提供了一种利用高压提高金属‑空气电池性能的方法，包括步骤如下：将金属‑空气电池置于高压容器中，向高压容器内充入含氧气体至高压容器内的压力为15～2000大气压，然后维持恒压并静置2‑6小时。本发明的方法可以提高金属‑空气电池的容量，还可以显著改善电池的倍率性能和稳定性，满足对大功率动力电池的实用化要求，本发明的方法中不使用有毒材料，电池的制造成本更低、使用安全性更高，因此特别适合于大规模生产和应用。

公开(公告)号：CN112342017A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011227836.7

申请日：2020-11-06

Applicant: 山东大学

Inventor： 廉刚 ,  韩生会 ,  崔得良 ,  王琪珑

IPC: C09K11/63 ,  G01N21/64

Abstract: 本发明提供了一种超长寿命室温磷光材料的制备方法，包括步骤：将硼源和氮源加入水中，搅拌均匀，得到混合液，将所得混合液置于反应釜中进行水热反应；反应完成后，自然冷却至室温，将所得的反应液进行加热处理，得到超长寿命室温磷光材料。本发明的超长寿命室温磷光材料粉末在紫外光激发后能够发射蓝色荧光，在移除紫外激光光源后，能够看到青色的余辉。室温磷光寿命能够达到1.7秒，肉眼可见的余辉能够达到10秒。本发明的方法制备过程操作方便，对设备要求较低，原材料易于购买且成本较低，后处理简单，环境友好，易于大量制备。本发明得到的超长寿命室温磷光材料在信息显示和信息加密和解密等领域具有重要应用。

公开(公告)号：CN106680321B

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201710046485.1

申请日：2017-01-18

Applicant: 山东大学

Inventor： 崔得良 ,  赵天宇 ,  廉刚 ,  付现伟 ,  董宁 ,  宋思德 ,  吕松 ,  王琪珑

IPC: G01N27/00 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种用于制备有机‑无机复合半导体材料的压差驱动强制交换复合方法，包括步骤如下：将多孔金属氧化物半导体纳米固体或多孔金属氧化物半导体薄膜，在真空条件下热处理；在真空条件下，将有机半导体置于高温端加热，将上述得到的多孔金属氧化物半导体纳米固体或多孔金属氧化物半导体薄膜于低温端加热；然后从高温端通入惰性气体，惰性气体携带有机半导体气体分子与多孔金属氧化物半导体纳米固体或多孔金属氧化物半导体薄膜发生交换复合反应；所述交换复合反应过程中持续进行抽真空；将上述得到的产物在惰性气体中退火处理，即得。本发明的方法简单、绿色环保、成本低，可以实现材料的均匀分布和完全复合。

公开(公告)号：CN109540742A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811561598.6

申请日：2018-12-20

Applicant: 山东大学

Inventor： 廉刚 ,  孙军威 ,  黄丽萍 ,  尚美佳 ,  王琪珑 ,  崔得良

IPC: G01N13/02 ,  G01N13/00

Abstract: 本发明涉及一种用于测定表面浸润性质的多功能接触角原位测试池及其应用，包括高压圆筒、样品测控机构、样品位置调控机构；高压圆筒是整个原位测试池的主体，分别与样品测控机构、样品位置调控机构连接，通过样品位置调控机构来控制样品的释放位置，通过样品测控机构来调整高压圆筒内的测试环境。本发明原位测试池可以预先对待测的固体衬底表面进行清洗、修饰和改性，并在高压、特种气氛以及高温下测定液体及熔体与固体表面的接触角，对二者在界面上的浸润性能进行评估。利用本发明的原位测试池得到的数据，可以为表面改性及处理、多组份复合材料和结构的设计提供重要依据。

公开(公告)号：CN104387222B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201410514582.5

申请日：2014-09-29

Applicant: 山东大学

Inventor： 刘陟 ,  张保杰 ,  华万鸣 ,  崔得良

IPC: C07C13/62 ,  C07C5/00 ,  C07C17/35 ,  C07C25/22 ,  C07F5/02 ,  C07D213/16 ,  C07D213/133

Abstract: 本发明提供了一类基于芴和萘的高稠环[6] 用。螺烯化合物(Ⅰ)及其合成方法，属于化工技术领域。本发明以萘和芴衍生物为原料，采用光催化闭环的方法，成功制得一类具有光电功能的高稠环[6]螺烯化合物。本发明具有产率高、时间短、操作简单等优点，并且使用普通廉价的试剂，降低制备的成本，易于推广应用。基于芴和萘的高稠环[6]螺烯化合物(Ⅰ)在不同的有机溶剂中有很好的溶解性，有利于该化合物的提纯、制膜；通过接入不同取代基可获得多种高稠环[6]螺烯化合物。基于芴和萘的高稠环[6]螺烯化合物(Ⅰ)有望在有机电致发光、有机场效应管、有机二阶非线性、手性液晶以及生物医药等领域得到广泛应

公开(公告)号：CN103833754B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201410106251.8

申请日：2014-03-20

Applicant: 山东大学

Inventor： 刘陟 ,  华万鸣 ,  张保杰 ,  郭巍 ,  陶绪堂 ,  崔得良

IPC: C07D471/04 ,  C07F5/02 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明提供了一种具有二氮杂芳香稠环结构的咔唑并菲啶类化合物（Ⅰ）及其合成方法。本发明以咔唑和喹啉衍生物为原料，采用光催化闭环的方法，成功制得一类具有光电功能的氮杂芳香稠环化合物。本发明的合成手段简单，并且使用普通廉价的试剂，降低制备的成本，易于推广应用。化合物（Ⅰ）在不同的有机溶剂中有很好的溶解性，有利于该化合物的提纯、制膜；通过接入不同取代基可获得多种氮杂芳香稠环化合物。化合物（Ⅰ）有望在有机场效应管、有机发光二极管、光伏电池、有机非线性光学、荧光探针和激光染料等领域得到广泛应用。

公开(公告)号：CN102603748A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110435477.9

申请日：2011-12-22

Applicant: 山东大学

Inventor： 刘陟 ,  石龙强 ,  陶绪堂 ,  崔得良 ,  郭巍

IPC: C07D487/04

Abstract: 本发明提供了一种基于咔唑的高稠环二氮杂[7]螺烯化合物(I)及其合成方法，属于化工技术领域。本发明以廉价且有多个活性位点的咔唑衍生物为原料，采用光催化闭环的方法，成功制得一类溶解性良好的高稠环二氮杂[7]螺烯化合物。本发明具有产率高、时间短、操作简单等优点，并且避免使用昂贵的试剂，降低制备的成本，易于推广应用。本发明将基于咔唑的高稠环二氮杂[7]螺烯化合物(I)在不同的溶剂中重结晶，得到包含不同溶剂的包合物晶体。高稠环二氮杂[7]螺烯化合物有望在超分子化学、不对称催化、手性液晶、有机二阶非线性、有机电致发光以及生物医药等领域得到广泛应用。

公开(公告)号：CN101219780A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200810001674.8

申请日：2006-01-20

Applicant: 山东大学

Inventor： 崔得良 ,  赖泽锋 ,  陆希峰 ,  朱玲玲 ,  王琪珑 ,  蒋民华

IPC: C01B21/082 ,  C01B21/064 ,  C01B31/06

Abstract: 一种可控制备硼碳氮材料的水热恒压合成方法，属于化工和新材料领域。该方法包括：去离子水的处理，硼源液、碳源液、氮源液的配制，装釜，在对热压釜加热之前，先施加20～2000MPa压力，接着调控温度以0.01～60℃/分钟的速度加热到240～1000℃，反应6～480小时。利用该方法合成硼碳氮材料时，体系的温度和压力可以各自独立地调控，对合成硼碳氮材料的反应速度和方向进行控制。可在恒压水热环境中得到金刚石，立方氮化硼和氮化碳体块晶体。这些材料在精密机械加工、国防工业、石油钻探和开采以及高温大功率短波长光电子器件研制等领域有着广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN1194804C

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN03112453.4

申请日：2003-06-27

Applicant: 山东大学

Inventor： 崔得良 ,  蒋民华 ,  郝霄鹏 ,  于美燕

IPC: B01J3/04

Abstract: 用于控制水热和溶剂热反应过程的高压反应釜，属于化工设备技术领域。包括高压反应釜的釜体、釜盖和紧固件，加热炉及温度控制器，磁力驱动搅拌器和转速控制器，压力测量装置，安全防爆装置，用于取样和通气的阀门、管道，在反应釜内、外加装了一套或者多套内置式反应罐和/或外置式反应罐。本发明的高压反应釜可以有效地控制反应过程和结晶过程，制备的样品结晶质量比现有技术大幅度改善。此外，通过控制反应过程进行的速度，还可以很方便地控制所制备材料的粒度及其分布，并能够控制多相共存的材料中各个物相的相对含量。

公开(公告)号：CN1149686C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN00111113.2

申请日：2000-05-19

Applicant: 山东大学 ,  山东华光光电子有限公司

Inventor： 黄柏标 ,  张兆春 ,  于永芹 ,  崔得良 ,  秦晓燕 ,  潘教青

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/32

Abstract: 本发明属于光电子技术领域。本发明的主要内容是利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)在GaAs衬底上生长高亮度发光二极管为异质结芯片结构，上限制层生长结束时，继续生长磷化镓GaP窗口层，通过切断和连接镓源及磷源，选用P型掺杂剂在磷化镓窗口层进行δ掺杂，最终达到厚度≤2μm的窗口层，它解决了现有技术存在的生长工艺复杂、生长成本高的缺点，采用本发明，可使发光二极管芯片生长工艺简化，降低生产成本，提高生产效率。