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公开(公告)号：CN102946982A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201080067363.7
申请日：2010-11-25
IPC: B01F1/00 , B01F15/06 , C01B13/11 , H01L21/304
CPC classification number: C11D7/04 , C01B13/11 , C11D3/3947
Abstract: 一种生成高浓度的臭氧水的装置，在该装置中，高压浓缩臭氧气体供给系统与臭氧气体溶解部（4）相连通连接，高压浓缩臭氧气体供给系统具有：臭氧气体产生部（1），其用于生成臭氧气体；臭氧气体浓缩部（2），其用于浓缩所生成的臭氧气体；浓缩臭氧气体加压部（3），其用于使从臭氧气体浓缩部（2）导出的浓缩臭氧气体的压力升高；冷却机构（13），其用于冷却浓缩臭氧气体加压部（3）；通过使高压浓缩臭氧气体溶解于纯水来形成高浓度臭氧水。
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公开(公告)号：CN104040699B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201280066775.8
申请日：2012-02-08
Applicant: 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/45561 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种能够确实地抑制在处理作业时反应室中的ClF3浓度的降低的三氟化氯供给路的内面处理方法。使作为蚀刻气体使用三氟化氯的处理装置的处理腔室(1)与气体供给路(2)和气体排出路(3)连结成一体，使与蚀刻处理操作时供给的三氟化氯气体浓度相同的浓度或者比该浓度高的浓度的三氟化氯气体作用于该形成一体的处理腔室(1)、气体供给路(2)和气体排出路(3)中的至少处理腔室(1)和气体供给路(2)的内面，至少对处理腔室(1)和气体供给路(2)的内面通过氟化膜形成覆膜。
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公开(公告)号：CN102946982B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201080067363.7
申请日：2010-11-25
IPC: B01F1/00 , B01F15/06 , C01B13/11 , H01L21/304
CPC classification number: C11D7/04 , C01B13/11 , C11D3/3947
Abstract: 一种生成高浓度的臭氧水的装置，在该装置中，高压浓缩臭氧气体供给系统与臭氧气体溶解部（4）相连通连接，高压浓缩臭氧气体供给系统具有：臭氧气体产生部（1），其用于生成臭氧气体；臭氧气体浓缩部（2），其用于浓缩所生成的臭氧气体；浓缩臭氧气体加压部（3），其用于使从臭氧气体浓缩部（2）导出的浓缩臭氧气体的压力升高；冷却机构（13），其用于冷却浓缩臭氧气体加压部（3）；通过使高压浓缩臭氧气体溶解于纯水来形成高浓度臭氧水。
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公开(公告)号：CN102884867B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201180022923.1
申请日：2011-04-21
Applicant: 岩谷产业株式会社
CPC classification number: H01T23/00
Abstract: 作为对处理对象室内有效地进行除尘的装置，具有：多条线电极（3），排列架设在设置于处理对象室内（1）的带电体（5）的上方，电压施加器（4），对各线电极（3）施加电压；电压施加器（4）在对线电极（3）通电时进行通电控制，以使相邻的被施加了电压的线电极（3a）（3b）彼此为不同的极性，并且以使向各线电极（3）供给的电压的极性以规定的周期交替地切换的方式进行施加。
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公开(公告)号：CN102124544A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980132360.4
申请日：2009-08-10
Applicant: 岩谷产业株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3065 , B81B2201/0264 , B81B2207/015 , B81C1/00531 , B81C2201/0132 , G02B1/00 , H01L21/76898
Abstract: 本发明提供一种团簇喷射式加工方法、半导体元件、微机电元件及光学零件。提供采用电中性的反应性团簇进行的试样加工方法，在不会使由反应性气体和沸点比反应性气体的沸点低的气体构成的混合气体发生液化的范围内的压力下，使该混合气体沿规定的方向一边绝热膨胀一边喷出，生成反应性团簇，将上述反应性团簇喷射到真空处理室内的试样上而加工试样表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109196276B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201780033968.6
申请日：2017-05-09
Applicant: 岩谷产业株式会社
Abstract: 本发明能够对透明的氢火焰进行良好且高亮度的着色并且长时间保持发色状态。其包括燃烧氢气发出氢火焰(F)的多个燃烧器(21)，以及放置在从燃烧器(21)的火焰口(21a)发出氢火焰(F)的方向的前方的着色部(31)。着色部(31)由发色部件(32)和穿过氢火焰(F)的贯通部(33)构成，发色部件(32)将呈现焰色反应的发色材料(32a)负载在溶岩形成的块状多孔体(32b)上形成。贯通部(33)由布置发色部件(32)时发色部件(32)之间的空间形成。
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公开(公告)号：CN104040699A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280066775.8
申请日：2012-02-08
Applicant: 岩谷产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/45561 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供一种能够确实地抑制在处理作业时反应室中的ClF3浓度的降低的三氟化氯供给路的内面处理方法。使作为蚀刻气体使用三氟化氯的处理装置的处理腔室(1)与气体供给路(2)和气体排出路(3)连结成一体，使与蚀刻处理操作时供给的三氟化氯气体浓度相同的浓度或者比该浓度高的浓度的三氟化氯气体作用于该形成一体的处理腔室(1)、气体供给路(2)和气体排出路(3)中的至少处理腔室(1)和气体供给路(2)的内面，至少对处理腔室(1)和气体供给路(2)的内面通过氟化膜形成覆膜。
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公开(公告)号：CN102989262A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210331453.3
申请日：2012-09-07
Applicant: 岩谷产业株式会社
CPC classification number: B01D53/047 , B01D2253/106 , B01D2256/14 , B01D2259/40007 , B01D2259/40035 , B01D2259/402 , C01B13/10
Abstract: 一种臭氧气体浓缩方法，并列配置向内部填充非冷却状态的吸附剂而成的至少两个吸附筒，使容置在各吸附筒内的非冷却状态的吸附剂在臭氧及氧气混合气体中选择性地吸附臭氧气体，且在进行臭氧气体脱离操作时，通过对各吸附筒进行减压处理来使臭氧气体从吸附剂脱离，由此浓缩提纯臭氧气体，另外，控制上述至少两个吸附筒，使两个吸附筒交替反复进行吸附工序和脱离工序，且在一个吸附筒处于吸附工序时使另一个吸附筒处于脱离工序。在从臭氧气体的吸附工序要向脱离工序切换时，使处于吸附工序的吸附筒和处于脱离结束阶段的吸附筒相连通，使得吸附筒内部的压力的均等化，之后，使处于吸附阶段的吸附筒与减压发生单元相连通，来使臭氧气体从吸附剂脱离。
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公开(公告)号：CN102884867A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180022923.1
申请日：2011-04-21
Applicant: 岩谷产业株式会社
CPC classification number: H01T23/00
Abstract: 作为对处理对象室内有效地进行除尘的装置，具有：多条线电极（3），排列架设在设置于处理对象室内（1）的带电体（5）的上方，电压施加器（4），对各线电极（3）施加电压；电压施加器（4）在对线电极（3）通电时进行通电控制，以使相邻的被施加了电压的线电极（3a）（3b）彼此为不同的极性，并且以使向各线电极（3）供给的电压的极性以规定的周期交替地切换的方式进行施加。
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公开(公告)号：CN102421940B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN200980158909.7
申请日：2009-04-30
CPC classification number: C23C22/05 , C08K3/32 , C09D1/00 , C23C18/04 , C23C18/122 , C23C18/1241 , C23C22/78 , C23C22/83 , C23C2222/20
Abstract: 本发明提供通过不使用酸且残留物少的处理方法使磷酸钙固定在金属表面的手段。所述制造方法为在基材的表面结合磷酸钙而成的磷酸钙复合体的制造方法，其特征在于，包括如下的工序：使所述基材的表面接触表面处理剂后，接触硅烷偶联剂而进行表面处理的表面处理工序；在所述表面处理工序后，通过聚合引发剂对硅烷偶联剂的聚合进行引发的聚合工序；和使聚合工序后的所述基材的表面的硅烷偶联剂与所述磷酸钙结合的结合工序；所述基材为金属，所述表面处理剂为臭氧水。
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