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公开(公告)号：CN114573336A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210135996.1
申请日：2022-02-14
Applicant: 广东风华高新科技股份有限公司 , 深圳先进电子材料国际创新研究院
IPC: C04B35/468 , C04B35/626 , C04B35/63 , C04B41/88 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷介电材料、陶瓷电容器及其制备方法，属于材料技术领域；本发明的陶瓷介电材料包括以下摩尔质量百分数的组分：钛酸钡94.0‑98.0％、玻璃相1.2‑2.5％、抗还原剂0.5‑1.0％、碱金属化合物0.5‑1.5％、稀土元素的氧化物0.5‑3.0％；所述稀土元素的氧化物包括Dy2O3、Y2O3和Tm2O3，得到的陶瓷介电材料具有稳定电容特性、高介电常数和高温度稳定性且更容易叠层；本发明的陶瓷电容器是以陶瓷介电材料为原料烧结而成，得到的陶瓷电容器符合X5R标准，且在常温段内能很好的稳定温度造成的电容值剧烈变化的影响；同时本发明提供的陶瓷介电材料和陶瓷电容器的制备方法简单、操作简便，不含有毒有害物质，制备得到的陶瓷电容器致密度高、晶粒小、缺陷少，适合实际生产应用。
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公开(公告)号：CN114538917B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210113201.7
申请日：2022-01-29
Applicant: 广东风华高新科技股份有限公司 , 深圳先进电子材料国际创新研究院
IPC: H01G4/30 , C04B35/468 , H01G4/12 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/90
Abstract: 本发明公开了一种高容量陶瓷介电材料、陶瓷电容器及其制备方法，属于材料技术领域；本发明的高容量陶瓷介电材料括以下组分：钛酸钡、烧结助剂、抗还原剂和稀土元素的氧化物，以所述高容量陶瓷介电材料总摩尔计，钛酸钡的摩尔百分数为91.0‑95.0％；所述烧结助剂包括Al2O3、SiO2和MgO，所述稀土元素的氧化物包括Sc2O3、Eu2O3、Ho2O3和Tm2O3，得到的陶瓷介电材料具有高容量、高介电常数、高电阻率和优异的抗老化特性；本发明的陶瓷电容器是以陶瓷介电材料为原料烧结而成，得到的陶瓷电容器符合X6T标准；同时本发明提供的高容量陶瓷介电材料和陶瓷电容器的制备方法简单、操作简便，不含有毒有害物质，制备得到的陶瓷电容器致密度高、晶粒小、缺陷少，适合实际生产应用。
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公开(公告)号：CN114566382A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210214430.8
申请日：2022-03-04
Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院 , 广东风华高新科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种陶瓷介质材料及其制备方法及应用，所述材料的主体材料为BaTiO3，掺杂材料包括SiO2、CaO、V2O5、ZrO2和稀土元素的氧化物；所述稀土元素的氧化物包括Sc2O3、Sm2O3、Dy2O3、Ho2O3中的至少两种；按摩尔百分比计，BaTiO3的添加量为93.5～95mol％；掺杂材料的总添加量为4.6～7mol％。本发明以BaTiO3作为主体材料，以烧结助剂、金属氧化物及稀土元素作为复合掺杂剂，对钛酸钡陶瓷基体进行改性，并添加烧结助剂以及掺杂材料细化颗粒，控制缺陷及提升晶粒尺寸均匀性，制备出具有高可靠性，稳定电容特性且更易叠层的细晶陶瓷与多层陶瓷电容器。
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公开(公告)号：CN113292097A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110580453.6
申请日：2021-05-26
Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院 , 广东风华高新科技股份有限公司
IPC: C01G23/00 , C04B35/468 , H01G4/12
Abstract: 本发明涉及MLCC陶瓷电容器电介质材料领域，具体涉及高四方性“芯‑壳”结构的钛酸钡粉体的制备方法。采用二步法制备；第一步采用水热法制备，将钛源在水热过程中作为整个水热反应的种子与第一钡源搅拌混合，得到了以钛源为核，以立方相钛酸钡为壳层的“芯‑壳”结构的粉体；第二步采用固相法制备，将采用水热法制备得到的粉体干燥后与第二钡源球磨混合均匀，将球磨混合后的产物干燥然后进行煅烧得到钛酸钡粉体。本发明制备的钛酸钡粉体结合了常压水热法制备钛酸钡粉体的低煅烧温度，小粒径的优点与固相法合成高四方性的优点，综合了水热法与固相法的优缺点，整个制备过程无污染，且通过选择原料不同的粒径尺寸，可达到粒径可控的目的。
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公开(公告)号：CN115480118A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211148862.X
申请日：2022-09-21
Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院 , 广东风华高新科技股份有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及陶瓷电容器检测技术领域，尤其涉及一种MLCC器件可靠性快速评估方法、系统、设备及介质，包括：将待测器件并联安装于测试夹具上；将安装好待测器件的测试夹具放入变温箱，并在不同的直流电压下，以预设的直流电压方式向待测器件施加电压；在不同的变温箱预设温度下，依次测试并记录待测器件在各直流电压下的漏电流；根据不同变温箱预设温度下各直流电压对应的漏电流，计算得到待测器件的肖特基势垒；根据待测器件的肖特基势垒，判断待测器件是否为合格品。本发明通过检测不同变温箱温度、不同直流电压下的漏电流，并计算得到待测器件的肖特基势垒，从而评价MLCC器件的电学性能和可靠性，大大缩短了测试周期，且功耗低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113353974A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110844590.6
申请日：2021-07-26
Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院 , 广东风华高新科技股份有限公司
IPC: C01G23/00
Abstract: 本发明涉及钛酸钡粉体的制备方法及其用途，具体公开了一种固相合成制备钛酸钡粉体的方法及其制备的钛酸钡粉体以及在多层陶瓷电容器(MLCC)中的用途。本发明使用回转炉低‑高温两段式煅烧法，制备钛酸钡粉体，采用改进的固相合成法，使原料在煅烧过程中受热均匀，得到的产品质量稳定。本发明提供的方法可以获得粒径小、四方性高、烧结活性高的钛酸钡粉体，其能够满足电子陶瓷工业对于高品质钛酸钡的需求，因此可用于多层陶瓷电容器(MLCC)；另一方面可通过调节煅烧温度和煅烧时间调控粒径大小，实现粒径可控。
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公开(公告)号：CN113353973B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110843499.2
申请日：2021-07-26
Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院 , 广东风华高新科技股份有限公司
IPC: C01G23/00
Abstract: 本发明涉及钙掺杂钛酸钡粉体、制备方法及其用途，具体公开了一种钙掺杂钛酸钡粉体的制备方法。本发明采用回转炉低‑高速两段煅烧固相合成法，制备得到四方性高同时粒度较均匀的钙掺杂的钛酸钡粉体。本发明的制备工艺获取的钙掺杂钛酸钡粉体相较传统马弗炉煅烧的方法，具有粒径均匀、四方性较高等优点。本发明工艺简单，原料易得，产品稳定性高，该方法为制备多层陶瓷电容器用的陶瓷粉体提供了一种新的技术支持。
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公开(公告)号：CN114538917A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210113201.7
申请日：2022-01-29
Applicant: 广东风华高新科技股份有限公司 , 深圳先进电子材料国际创新研究院
IPC: C04B35/468 , H01G4/30 , H01G4/12 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/90
Abstract: 本发明公开了一种高容量陶瓷介电材料、陶瓷电容器及其制备方法，属于材料技术领域；本发明的高容量陶瓷介电材料括以下组分：钛酸钡、烧结助剂、抗还原剂和稀土元素的氧化物，以所述高容量陶瓷介电材料总摩尔计，钛酸钡的摩尔百分数为91.0‑95.0％；所述烧结助剂包括Al2O3、SiO2和MgO，所述稀土元素的氧化物包括Sc2O3、Eu2O3、Ho2O3和Tm2O3，得到的陶瓷介电材料具有高容量、高介电常数、高电阻率和优异的抗老化特性；本发明的陶瓷电容器是以陶瓷介电材料为原料烧结而成，得到的陶瓷电容器符合X6T标准；同时本发明提供的高容量陶瓷介电材料和陶瓷电容器的制备方法简单、操作简便，不含有毒有害物质，制备得到的陶瓷电容器致密度高、晶粒小、缺陷少，适合实际生产应用。
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公开(公告)号：CN113353973A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110843499.2
申请日：2021-07-26
Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院 , 广东风华高新科技股份有限公司
IPC: C01G23/00
Abstract: 本发明涉及钙掺杂钛酸钡粉体、制备方法及其用途，具体公开了一种钙掺杂钛酸钡粉体的制备方法。本发明采用回转炉低‑高速两段煅烧固相合成法，制备得到四方性高同时粒度较均匀的钙掺杂的钛酸钡粉体。本发明的制备工艺获取的钙掺杂钛酸钡粉体相较传统马弗炉煅烧的方法，具有粒径均匀、四方性较高等优点。本发明工艺简单，原料易得，产品稳定性高，该方法为制备多层陶瓷电容器用的陶瓷粉体提供了一种新的技术支持。
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公开(公告)号：CN119899029A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202311409349.6
申请日：2023-10-27
Applicant: 深圳先进电子材料国际创新研究院
IPC: C04B35/468 , H01G11/00 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开一种二氧化锰掺杂钛酸钡基介质材料的制备方法，包括步骤：(1)将MnO2按照摩尔量0.3～1.0mol％添加与BaTiO3混合，得到混合料；(2)将混合料放到球磨罐中，加入氧化锆小球和无水乙醇，在转速为450～480r/min下球磨24～26小时，将球磨后的粉料烘干，随后通过150目筛网过筛处理，得到过筛后烘干粉体；(3)向过筛后烘干粉体中加入8wt％的粘结剂，150目过筛后，进行造粒，压片成型处理，得到生胚；(4)将生坯先排粘结剂，再进行1200～1300℃还原气氛中烧结，保温1～2h，即得。本发明制备的二氧化锰掺杂钛酸钡基介质材料介电常数和绝缘电阻率高于空气中烧结样品。
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